onsemi碳化硅MOSFET NTBG080N120SC1技術(shù)解析

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能逐漸成為熱門選擇。今天我們來詳細解析onsemi的一款SiC MOSFET——NTBG080N120SC1，深入了解它的特性、參數(shù)以及應(yīng)用場景。

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產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻與低電荷電容

這款MOSFET典型導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)}) 為80 mΩ，能夠有效降低導(dǎo)通損耗。同時，它具有超低的柵極電荷（典型 (Q{G(tot)} = 56 nC) ）和低有效輸出電容（典型 (C_{oss} = 79 pF) ），這使得它在開關(guān)過程中能夠快速響應(yīng)，減少開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。

高可靠性

該器件經(jīng)過100%雪崩測試，能夠承受較大的雪崩能量，保證了在復(fù)雜工況下的可靠性。其工作結(jié)溫 (T_J) 可達175°C，具有良好的高溫性能。此外，它是無鹵產(chǎn)品，符合RoHS標準（豁免7a），并且在二級互連處采用無鉛2LI技術(shù)。

典型應(yīng)用

NTBG080N120SC1適用于多種電力電子應(yīng)用，如不間斷電源（UPS）、DC - DC轉(zhuǎn)換器和升壓逆變器等。在這些應(yīng)用中，其低損耗和高可靠性的特點能夠顯著提升系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性。

最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。而且整個應(yīng)用環(huán)境會影響熱阻數(shù)值，這些數(shù)值并非恒定不變，僅在特定條件下有效。

熱特性與電氣特性

熱特性

電氣特性

在 (T_J = 25°C) 條件下，該器件具有以下關(guān)鍵電氣特性：

• 關(guān)斷特性：漏源擊穿電壓 (V{(BR)DSS}) 為1200 V，溫度系數(shù) (V{(BR)DSS}/TJ) 為0.5 V/°C，零柵壓漏極電流 (I{DSS}) 在 (T_J = 25°C) 時為100 μA，在 (TJ = 175°C) 時為1 mA，柵源泄漏電流 (I{GSS}) 為 ±1 μA。
• 導(dǎo)通特性：柵極閾值電壓為3 - 4.3 V，導(dǎo)通電阻典型值為80 mΩ，最大值為110 mΩ，正向跨導(dǎo)在 (V_{DS} = 20 V, I_D = 20 A) 時為11 S。
• 電荷、電容與柵極電阻：輸出電容、反向傳輸電容等參數(shù)在特定條件下有相應(yīng)數(shù)值。
• 開關(guān)特性：開通延遲時間 (t_{d(ON)}) 典型值為12 - 22 ns，關(guān)斷延遲時間典型值為21 ns，下降時間 (tf) 典型值為9 ns，開通能量 (E{ON}) 典型值為46 μJ。
• 漏源二極管特性：連續(xù)漏源二極管正向電流 (I{SD}) 為18 A，脈沖漏源二極管正向電流 (I{SDM}) 為110 A，正向二極管電壓 (V{SD}) 在 (I{SD} = 10 A, TJ = 25°C) 時為3.9 V，反向恢復(fù)時間 (t{RR}) 典型值為16.2 ns。

典型特性曲線

文檔中給出了多個典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻與柵源電壓的關(guān)系、傳輸特性、二極管正向電壓與電流的關(guān)系、柵源電壓與總電荷的關(guān)系、電容與漏源電壓的關(guān)系、非鉗位電感開關(guān)能力、最大連續(xù)漏極電流與殼溫的關(guān)系、安全工作區(qū)以及單脈沖最大功率耗散等。這些曲線能夠幫助工程師更直觀地了解器件在不同條件下的性能表現(xiàn)。

機械封裝與訂購信息

該器件采用D2PAK - 7L封裝，封裝尺寸有詳細的標注。訂購信息顯示，型號為NTBG080N120SC1的器件以800個/卷帶盤的形式發(fā)貨。

對于電子工程師來說，在設(shè)計使用NTBG080N120SC1時，需要綜合考慮其各項特性和參數(shù)，結(jié)合具體的應(yīng)用場景進行合理設(shè)計。大家在實際應(yīng)用中是否遇到過類似器件的使用問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。