深入解析 onsemi NCV8412:具備浪涌電流管理的自保護(hù)低側(cè)驅(qū)動(dòng)器
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,尤其是汽車和工業(yè)應(yīng)用中,可靠的驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要。onsemi 的 NCV8412 和 NCV8412D 自保護(hù)低側(cè)驅(qū)動(dòng)器,憑借其豐富的保護(hù)特性和出色的性能,成為眾多工程師的首選。本文將深入剖析這款驅(qū)動(dòng)器的特點(diǎn)、性能及應(yīng)用。
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產(chǎn)品概述
NCV8412 是一款三端受保護(hù)的低側(cè)智能分立 FET。它具備多種保護(hù)功能,如增量熱關(guān)斷、過流保護(hù)、過溫保護(hù)、ESD 保護(hù)以及集成的漏極 - 柵極鉗位過壓保護(hù)。同時(shí),該器件還能通過柵極引腳提供故障指示,非常適合惡劣的汽車環(huán)境。
產(chǎn)品特性
- 短路保護(hù)與浪涌電流管理:能夠有效應(yīng)對(duì)短路情況,并對(duì)浪涌電流進(jìn)行管理,確保電路安全。
- 增量熱關(guān)斷:通過兩個(gè)獨(dú)立的溫度傳感器(冷傳感器和熱傳感器),感知溫差,實(shí)現(xiàn)緩慢的結(jié)溫上升控制,提高了器件的可靠性。
- 熱關(guān)斷與自動(dòng)重啟:當(dāng)結(jié)溫超過最大值(典型值 175°C)時(shí),器件自動(dòng)關(guān)斷,防止過熱損壞,并且具備自動(dòng)重啟功能。
- 過壓保護(hù):集成的鉗位電路可應(yīng)對(duì)過壓和電感開關(guān)情況,保護(hù)器件免受電壓沖擊。
- ESD 保護(hù):人體模型(HBM)的 ESD 能力達(dá)到 4000V,增強(qiáng)了器件的抗靜電能力。
- dV/dt 魯棒性:能夠在電壓變化率較大的環(huán)境中穩(wěn)定工作。
- 模擬驅(qū)動(dòng)能力:支持邏輯電平輸入,方便與其他電路集成。
- 汽車級(jí)應(yīng)用:具有 NCV 前綴,符合 AEC - Q101 Grade 1 標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車及其他有特殊要求的應(yīng)用。
- 環(huán)保合規(guī):無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。
典型應(yīng)用
- 負(fù)載切換:可用于切換各種電阻性、電感性和電容性負(fù)載。
- 替代繼電器和分立電路:能夠取代機(jī)電繼電器和分立電路,簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
- 汽車/工業(yè)領(lǐng)域:在汽車和工業(yè)環(huán)境中發(fā)揮重要作用。
電氣特性
最大額定值
| 額定參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
|---|---|---|
| 內(nèi)部鉗位的漏源電壓(VDSS) | 42 | V |
| 內(nèi)部鉗位的漏柵電壓(VDG) | 42 | V |
| 柵源電壓(VGS) | ±14 | V |
| 連續(xù)漏極電流(ID) | 內(nèi)部限制 | |
| SOT - 223 封裝總功耗(TA = 25°C) | 1.28(注 1),2.19(注 2) | W |
| SOIC - 8 雙路封裝每通道功耗(TA = 25°C,兩路均加載) | 0.57(注 1),0.78(注 2) | W |
| SOIC - 8 雙路封裝總功耗(TA = 25°C,僅一路加載) | 0.93(注 1),1.20(注 2) | W |
| SOT - 223 封裝熱阻(結(jié)到環(huán)境、結(jié)到外殼焊點(diǎn)) | 97.0,57.0,7.9 | °C/W |
| SOIC - 8 雙路封裝熱阻(兩路均加載) | 107.8,79.4,29.0 | °C/W |
| SOIC - 8 雙路封裝熱阻(僅一路加載) | 133.6,103.8,29.1 | °C/W |
| 單脈沖電感負(fù)載開關(guān)能量(L = 50mH,ILpeak = 2A,VGS = 5V,RG = 25Ω,TJstart = 25°C) | 100 | mJ |
| 負(fù)載突降電壓(VGS = 0 和 10V,RL = 22Ω) | 55 | V |
| 工作結(jié)溫 | - 40 至 150 | °C |
| 儲(chǔ)存溫度 | - 55 至 150 | °C |
電氣特性(TJ = 25°C,除非另有說明)
- 關(guān)斷特性
- 漏源鉗位擊穿電壓(VGS = 0V,ID = 10mA):典型值 44V,最大值 42V(TJ = 150°C 時(shí)為 39 - 42V)。
- 零柵壓漏極電流(VGS = 0V,VDS = 32V):典型值 0.7μA,最大值 4.0μA。
- 柵極輸入電流:最大值 52μA。
- 導(dǎo)通特性
- 柵極閾值電壓(VGS = VDS,ID = 150μA):典型值 1.6V,范圍 1.0 - 2.2V。
- 柵極閾值溫度系數(shù):典型值 3.1mV/°C。
- 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻:不同條件下有不同取值,如 VGS = 5.0V,ID = 1.7A 時(shí),典型值 180mΩ,范圍 180 - 230mΩ(TJ = 25°C),310 - 460mΩ(TJ = 150°C)。
- 開關(guān)特性
- 導(dǎo)通時(shí)間(ton):最大值 31μs。
- 導(dǎo)通上升時(shí)間(10% ID 到 90% ID):典型值 14μs,最大值 25μs。
- 關(guān)斷時(shí)間(toff):典型值 96μs,最大值 140μs。
- 關(guān)斷下降時(shí)間(90% ID 到 10% ID):典型值 37μs。
- 導(dǎo)通時(shí) dVDS/dt:典型值 0.45V/μs。
- 關(guān)斷時(shí) dVDS/dt(50% VDS 到 80% VDS):典型值 0.4V/μs,最小值 0.3V/μs。
- 自保護(hù)特性
- 電流限制:不同 VGS 和 TJ 條件下有不同取值,如 VDS = 10V,VGS = 5.0V 時(shí),典型值 3.3A,范圍 2.3 - 4.4A(TJ = 25°C),4.9A(TJ = 150°C);VDS = 10V,VGS = 10V 時(shí),典型值 5.9A,3.5 - 5.0A(TJ = 150°C)。
- 溫度限制(關(guān)斷):VGS = 5.0V 時(shí),典型值 150°C,最大值 190°C;VGS = 10V 時(shí),典型值 150°C,范圍 185 - 200°C。
- 熱滯回:典型值 15°C。
典型性能曲線
文檔中提供了多種典型性能曲線,如單脈沖最大關(guān)斷電流與負(fù)載電感的關(guān)系、單脈沖最大開關(guān)能量與負(fù)載電感的關(guān)系、導(dǎo)通狀態(tài)輸出特性、轉(zhuǎn)移特性等。這些曲線有助于工程師更好地了解器件在不同條件下的性能表現(xiàn),從而進(jìn)行合理的設(shè)計(jì)。
應(yīng)用信息
電路保護(hù)特性
- 電流限制和短路保護(hù):器件內(nèi)置電流感測(cè)元件,當(dāng)漏極電流達(dá)到設(shè)計(jì)的電流限制水平時(shí),集成的電流限制保護(hù)將電流維持在恒定水平。
- 增量熱關(guān)斷(DTSD):通過感知冷、熱傳感器的溫差,實(shí)現(xiàn)緩慢的結(jié)溫上升控制。輸出的開/關(guān)循環(huán)設(shè)計(jì)有滯回特性,形成受控的鋸齒狀溫度曲線,直到結(jié)溫達(dá)到約 175°C 觸發(fā)絕對(duì)溫度關(guān)斷(TSD)。
- 熱關(guān)斷與自動(dòng)重啟:內(nèi)部熱關(guān)斷(TSD)電路可在結(jié)溫超過最大值時(shí)保護(hù)器件,當(dāng)溫度達(dá)到典型值 175°C 時(shí),器件關(guān)斷,防止意外過熱導(dǎo)致的故障。
EMC 性能
若需要更好的 EMC 性能,可根據(jù)圖 26 所示,在盡可能靠近器件的漏極引腳處連接一個(gè)小陶瓷電容。
測(cè)試電路和波形
文檔中給出了多種測(cè)試電路和波形,包括電阻性負(fù)載開關(guān)測(cè)試電路和波形、電感性負(fù)載開關(guān)測(cè)試電路和波形等。這些測(cè)試電路和波形有助于工程師驗(yàn)證器件在不同負(fù)載條件下的性能。
器件訂購信息
| 器件標(biāo)記 | 封裝 | 包裝 |
|---|---|---|
| NCV8412ASTT1G | SOT - 223(無鉛) | 1000 個(gè)/卷帶 |
| NCV8412ASTT3G | SOT - 223(無鉛) | 1000 個(gè)/卷帶 |
| NCV8412ADDR2G | SOIC - 8(無鉛) | 2500 個(gè)/卷帶 |
總結(jié)
onsemi 的 NCV8412 和 NCV8412D 自保護(hù)低側(cè)驅(qū)動(dòng)器以其豐富的保護(hù)特性、出色的電氣性能和適用于惡劣環(huán)境的特點(diǎn),為汽車和工業(yè)應(yīng)用提供了可靠的解決方案。工程師在設(shè)計(jì)過程中,可以根據(jù)具體需求,參考其電氣特性和典型性能曲線,合理選擇器件和優(yōu)化電路設(shè)計(jì)。同時(shí),要注意遵循最大額定值和相關(guān)注意事項(xiàng),確保器件的正常工作和可靠性。你在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過類似器件的選型和設(shè)計(jì)問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。
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