近日，日本知名市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)富士經(jīng)濟(jì)（Fuji Keizai）發(fā)布了最新全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)報(bào)告。報(bào)告指出，到2035年，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到73495億日元（約合人民幣3700億元）。其中，傳統(tǒng)的硅（Si）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)為48418億日元，而下一代功率半導(dǎo)體（主要包括碳化硅、氮化鎵、氧化鎵等寬禁帶及超寬禁帶材料）市場(chǎng)規(guī)模將攀升至25077億日元，占據(jù)整體市場(chǎng)的三分之一以上。

回顧2025年，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為37550億日元，其中硅功率半導(dǎo)體貢獻(xiàn)了32182億日元，下一代功率半導(dǎo)體僅為5368億日元。對(duì)比兩組數(shù)據(jù)不難看出，未來(lái)十年，下一代功率半導(dǎo)體將進(jìn)入高速增長(zhǎng)通道，市場(chǎng)體量有望擴(kuò)大近五倍，成為驅(qū)動(dòng)整個(gè)功率半導(dǎo)體行業(yè)升級(jí)的核心引擎。

一、硅功率半導(dǎo)體：成熟市場(chǎng)承壓，長(zhǎng)期依然穩(wěn)健

2025年，硅基功率半導(dǎo)體市場(chǎng)雖受到電子設(shè)備制造商庫(kù)存調(diào)整的影響，但在消費(fèi)電子、信息通信設(shè)備等需求拉動(dòng)下仍實(shí)現(xiàn)了小幅增長(zhǎng)。然而，歐洲、美國(guó)和日本的主要功率半導(dǎo)體廠商普遍受到電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)增速放緩的沖擊，傳統(tǒng)硅基IGBT及MOSFET在車(chē)用領(lǐng)域的訂單趨于疲軟。展望2035年，硅功率半導(dǎo)體將繼續(xù)占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)份額（約66%），但其增長(zhǎng)將明顯慢于下一代產(chǎn)品，主要面向成本敏感、對(duì)性能要求相對(duì)溫和的應(yīng)用場(chǎng)景。

二、碳化硅（SiC）：下一代市場(chǎng)主力，價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈

在下一代功率半導(dǎo)體中，碳化硅（SiC）扮演著絕對(duì)主力的角色。報(bào)告顯示，SiC功率模塊的市場(chǎng)規(guī)模將從2025年的3506億日元猛增至2035年的1.8749萬(wàn)億日元（約18749億日元），十年間增長(zhǎng)超過(guò)五倍。

增長(zhǎng)動(dòng)力主要來(lái)自電動(dòng)汽車(chē)的牽引逆變器。預(yù)計(jì)到2035年，全球約70%的電動(dòng)汽車(chē)將采用基于SiC的牽引逆變器，以實(shí)現(xiàn)更高效率、更輕量化及更長(zhǎng)續(xù)航。此外，在鐵路牽引、大容量?jī)?chǔ)能系統(tǒng)（ESS）以及太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)器中，SiC功率模塊的應(yīng)用也在快速擴(kuò)大。

競(jìng)爭(zhēng)格局方面，隨著中國(guó)本土功率半導(dǎo)體制造商的不斷涌入，碳化硅市場(chǎng)正面臨日益加劇的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)。業(yè)界普遍認(rèn)為，未來(lái)SiC器件成本的持續(xù)下降將推動(dòng)更多中端車(chē)型和工業(yè)領(lǐng)域采納這一技術(shù)，但也將對(duì)現(xiàn)有廠商的盈利能力構(gòu)成挑戰(zhàn)。

三、氮化鎵（GaN）：后起之秀，汽車(chē)與服務(wù)器領(lǐng)域成新藍(lán)海

氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體雖然起步晚于SiC，但發(fā)展勢(shì)頭同樣迅猛。據(jù)富士經(jīng)濟(jì)預(yù)測(cè)，2025年GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為585億日元，到2035年將增長(zhǎng)至3169億日元，增幅接近五倍半。

應(yīng)用拓展方面，GaN正快速?gòu)南M(fèi)電子快充向更高功率領(lǐng)域滲透。未來(lái)，其部署將重點(diǎn)集中在車(chē)載充電器（OBC）、激光雷達(dá)（LiDAR）、服務(wù)器機(jī)架電源、人形機(jī)器人以及無(wú)人機(jī)等新興方向。尤其是數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，因需應(yīng)對(duì)節(jié)能減排和功率密度提升的剛性需求，被視為GaN繼快充之后又一個(gè)極具潛力的爆發(fā)點(diǎn)。

值得注意的是，多家國(guó)際IDM及國(guó)內(nèi)初創(chuàng)公司已在車(chē)規(guī)級(jí)GaN上取得突破，預(yù)計(jì)2030年前后將陸續(xù)實(shí)現(xiàn)前裝量產(chǎn)。

四、氧化鎵（Ga?O?）：新興力量蓄勢(shì)，市場(chǎng)形成在即

作為第四代超寬禁帶半導(dǎo)體的代表，氧化鎵功率半導(dǎo)體雖然2025年市場(chǎng)規(guī)模極小，但被富士經(jīng)濟(jì)列為未來(lái)十年值得關(guān)注的技術(shù)變量。預(yù)計(jì)到2035年，其市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到149億日元。

氧化鎵器件主要分為兩類(lèi)：肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。日本企業(yè)FLOSFIA已在2025年12月完成了4英寸氧化鎵晶圓制造技術(shù)的驗(yàn)證，并利用原型SBD驗(yàn)證了器件可靠性的提升?；诖耍皇拷?jīng)濟(jì)預(yù)測(cè)，面向白色家電、服務(wù)器機(jī)架電源的600V 氧化鎵SBD將于2027年左右進(jìn)入量產(chǎn)階段，屆時(shí)市場(chǎng)將真正啟動(dòng)。

雖然碳化硅成本的持續(xù)下降在一定程度上削弱了氧化鎵的成本優(yōu)勢(shì)，但氧化鎵在耐更高電壓（如1200V以上）以及潛在更低生產(chǎn)成本方面仍具獨(dú)特吸引力。預(yù)計(jì)2030年前后，氧化鎵FET將面向工業(yè)及能源領(lǐng)域率先規(guī)?；灼谀繕?biāo)包括大型太陽(yáng)能電廠的電源調(diào)節(jié)器、兆瓦級(jí)充電器等。待技術(shù)成熟后，應(yīng)用有望進(jìn)一步向汽車(chē)電子和消費(fèi)電子延伸。

五、制造設(shè)備與元件市場(chǎng)：短期調(diào)整，中長(zhǎng)期翻倍增長(zhǎng)

受2025年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)整體低迷及電動(dòng)汽車(chē)資本支出放緩的影響，功率半導(dǎo)體制造設(shè)備及元件市場(chǎng)也經(jīng)歷了一輪調(diào)整。

· 元件市場(chǎng)（含晶圓、光刻膠、焊料、封裝材料、鍵合材料等）：2025年市場(chǎng)規(guī)模約為5967億日元。硅晶圓需求同比僅小幅增長(zhǎng)，中國(guó)市場(chǎng)對(duì)前端材料保持強(qiáng)勁，而歐美需求有所回落；后端材料則受到汽車(chē)和電子應(yīng)用疲軟的拖累。預(yù)計(jì)從2026年起，隨功率半導(dǎo)體需求復(fù)蘇，元件市場(chǎng)將重拾升勢(shì)，2029年突破1萬(wàn)億日元，到2035年達(dá)到1.806萬(wàn)億日元。

· 設(shè)備市場(chǎng)：2025年規(guī)模約為6735億日元，同比顯著萎縮，主要原因是電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)低迷導(dǎo)致車(chē)用資本開(kāi)支削減，以及2024年之前過(guò)度投資后的回調(diào)。但自2026年起，此前被推遲的資本投資將逐步恢復(fù)，尤其是前端工藝設(shè)備將率先反彈。到2035年，設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將翻倍至1.3627萬(wàn)億日元。驅(qū)動(dòng)力包括：8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線的設(shè)備投資增加，以及在汽車(chē)、電子行業(yè)中檢測(cè)測(cè)試設(shè)備和芯片外觀檢測(cè)設(shè)備的廣泛應(yīng)用。

結(jié)語(yǔ)

綜合富士經(jīng)濟(jì)的預(yù)測(cè)，未來(lái)十年將是功率半導(dǎo)體技術(shù)代際更替的關(guān)鍵窗口。以碳化硅、氮化鎵為代表，以氧化鎵為潛在變量的下一代功率半導(dǎo)體，將在電動(dòng)汽車(chē)、能源基礎(chǔ)設(shè)施、數(shù)據(jù)中心及機(jī)器人等領(lǐng)域釋放巨大價(jià)值。與此同時(shí)，硅功率半導(dǎo)體仍將憑借成熟生態(tài)和成本優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期共存。對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)而言，把握技術(shù)路線節(jié)奏、應(yīng)對(duì)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)并提前布局新興產(chǎn)能，將是贏得未來(lái)的核心課題。

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