onsemi肖特基勢(shì)壘二極管NSR0240V2和NSVR0240V2技術(shù)解析
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,肖特基勢(shì)壘二極管憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì),在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中發(fā)揮著重要作用。今天,我們就來深入了解一下onsemi公司的NSR0240V2和NSVR0240V2肖特基勢(shì)壘二極管。
文件下載:NSR0240V2T1-D.PDF
產(chǎn)品概述
NSR0240V2和NSVR0240V2是專為低正向壓降和低漏電流而優(yōu)化的肖特基勢(shì)壘二極管。它們廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備的直流 - 直流轉(zhuǎn)換器、鉗位和保護(hù)等應(yīng)用中。其中,采用SOD - 523微型封裝的NSR0240V2,能幫助設(shè)計(jì)師在提高效率的同時(shí),滿足對(duì)空間的嚴(yán)格要求。
產(chǎn)品特性
低正向壓降
在100 mA電流下,正向壓降僅為480 mV。低正向壓降意味著在導(dǎo)通時(shí)功耗更低,能夠有效提高電路的效率,減少能量損耗。這對(duì)于對(duì)功耗敏感的便攜式設(shè)備來說至關(guān)重要。大家在設(shè)計(jì)低功耗電路時(shí),是否會(huì)優(yōu)先考慮具有低正向壓降的二極管呢?
低反向電流
在25 V反向電壓(VR)下,反向電流為0.2 A。低反向電流可以降低漏電流,減少不必要的能量損失,提高電路的穩(wěn)定性和可靠性。
高連續(xù)正向電流
具有250 mA的連續(xù)正向電流,能夠滿足大多數(shù)電路的電流需求。
低功耗
最小走線情況下,功率耗散為200 mW。低功耗有助于降低電路的發(fā)熱,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
高開關(guān)速度和低電容
開關(guān)速度非常高,電容CT = 4 pF。高開關(guān)速度使得二極管能夠快速響應(yīng)電路中的信號(hào)變化,適用于高頻應(yīng)用;低電容則可以減少信號(hào)的延遲和失真。
汽車級(jí)應(yīng)用
NSV前綴適用于汽車和其他有特殊場(chǎng)所和控制變更要求的應(yīng)用,并且通過了AEC - Q101認(rèn)證,具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)能力。這表明該產(chǎn)品在質(zhì)量和可靠性方面達(dá)到了汽車級(jí)標(biāo)準(zhǔn),可應(yīng)用于對(duì)安全性和可靠性要求較高的汽車電子系統(tǒng)中。
環(huán)保特性
這些器件無(wú)鉛、無(wú)鹵/無(wú)溴化阻燃劑(BFR),符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),符合環(huán)保要求。
典型應(yīng)用
顯示與照明
適用于LCD和鍵盤背光、相機(jī)閃光燈等應(yīng)用。在這些應(yīng)用中,二極管的快速響應(yīng)和低功耗特性能夠提供穩(wěn)定的電流和電壓,確保顯示和照明效果。
電源轉(zhuǎn)換
可用于降壓和升壓直流 - 直流轉(zhuǎn)換器。在電源轉(zhuǎn)換電路中,二極管的低正向壓降和高開關(guān)速度能夠提高轉(zhuǎn)換效率,減少能量損失。
保護(hù)電路
用于反向電壓和電流保護(hù)、鉗位和保護(hù)電路。在電路中,二極管能夠防止反向電壓和電流對(duì)其他元件造成損壞,起到保護(hù)作用。
訂購(gòu)信息
| 該產(chǎn)品有不同的型號(hào)和包裝可供選擇,均采用SOD - 523無(wú)鉛封裝,具體如下: | 器件型號(hào) | 封裝 | 包裝數(shù)量 |
|---|---|---|---|
| NSR0240V2T1G | SOD - 523 (Pb - Free) | 3,000 / 卷帶包裝 | |
| NSVR0240V2T1G | SOD - 523 (Pb - Free) | 3,000 / 卷帶包裝 | |
| NSR0240V2T5G | SOD - 523 (Pb - Free) | 8,000 / 卷帶包裝 | |
| NSVR0240V2T5G | SOD - 523 (Pb - Free) | 8,000 / 卷帶包裝 |
最大額定值
| 額定參數(shù) | 符號(hào) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 反向電壓 | VR | 40 | Vdc |
| 正向連續(xù)電流(DC) | IF | 250 | mA |
| 非重復(fù)性峰值正向浪涌電流 | IFSM | 2.0 | A |
| ESD 評(píng)級(jí)(人體模型/機(jī)器模型) | ESD | 2類/A類 | - |
需要注意的是,超過最大額定值可能會(huì)損壞器件,影響其功能和可靠性。
熱特性
| 特性 | 符號(hào) | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結(jié)到環(huán)境熱阻(條件1) | RJA | 600 | °C/W |
| 總功率耗散(TA = 25°C,條件1) | PD | 200 | mW |
| 結(jié)到環(huán)境熱阻(條件2) | RJA | 300 | °C/W |
| 總功率耗散(TA = 25°C,條件2) | PD | 400 | mW |
| 結(jié)和存儲(chǔ)溫度范圍 | TJ, Tstg | -55 至 +150 | °C |
注:條件1為安裝在4平方英寸的FR - 4板上,10平方毫米、1盎司銅、0.06英寸厚的單面電路板,達(dá)到穩(wěn)態(tài)工作;條件2為安裝在4平方英寸的FR - 4板上,1平方英寸、1盎司銅、0.06英寸厚的單面電路板,達(dá)到穩(wěn)態(tài)工作。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,我們應(yīng)該如何根據(jù)熱特性來選擇合適的散熱方案呢?
電氣特性
反向漏電流
在不同反向電壓下,反向漏電流有所不同。例如,在VR = 10 V時(shí),反向漏電流為0.55 μA;在VR = 25 V時(shí),為2.0 μA;在VR = 40 V時(shí),為10 μA。
正向電壓
在不同正向電流下,正向電壓也不同。當(dāng)IF = 10 mA時(shí),正向電壓為345 - 390 mV;當(dāng)IF = 100 mA時(shí),為485 - 550 mV;當(dāng)IF = 200 mA時(shí),為580 - 700 mV。
總電容
在VR = 5.0 V、f = 1 MHz的條件下,總電容CT = 4.0 pF。
反向恢復(fù)時(shí)間
在IF = IR = 10 mA、IR = 1.0 mA的條件下,反向恢復(fù)時(shí)間trr = 3.0 ns。
產(chǎn)品的電氣特性是在特定測(cè)試條件下給出的,實(shí)際應(yīng)用中如果條件不同,產(chǎn)品性能可能會(huì)有所差異。在設(shè)計(jì)電路時(shí),我們需要根據(jù)實(shí)際情況對(duì)這些參數(shù)進(jìn)行驗(yàn)證。
總結(jié)
onsemi的NSR0240V2和NSVR0240V2肖特基勢(shì)壘二極管具有低正向壓降、低反向電流、高開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn),適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。在選擇和使用這些二極管時(shí),我們需要充分考慮其各項(xiàng)特性和參數(shù),結(jié)合實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)計(jì),以確保電路的性能和可靠性。大家在實(shí)際項(xiàng)目中使用過這款二極管嗎?有什么經(jīng)驗(yàn)和心得可以分享呢?
-
肖特基勢(shì)壘二極管
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
96瀏覽量
9620
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
onsemi肖特基勢(shì)壘二極管NSR0240V2和NSVR0240V2技術(shù)解析
評(píng)論