EPC9001C開發(fā)板快速上手指南
EPC9001C開發(fā)板快速上手指南
在電子工程領(lǐng)域，高效且可靠的功率轉(zhuǎn)換設(shè)備一直是大家追求的目標(biāo)。EPC9001C開發(fā)板就是這樣一款能夠幫助工程師快速評(píng)估EPC2015C eGaN FET性能的工具。下面就為大家詳細(xì)介紹這款開發(fā)板。
文件下載：EPC9001C.pdf
開發(fā)板概述
EPC9001C開發(fā)板是一款最大設(shè)備電壓為40V、最大輸出電流為15A的半橋電路，板載柵極驅(qū)動(dòng)器，采用了EPC2015C增強(qiáng)型（eGaN?）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。其目的在于簡(jiǎn)化EPC2015C eGaN FET的評(píng)估過(guò)程，將所有關(guān)鍵組件集成在一塊電路板上，方便連接到任何現(xiàn)有的轉(zhuǎn)換器中。
開發(fā)板尺寸為2” x 1.5”，采用德州儀器LM5113柵極驅(qū)動(dòng)器、電源和旁路電容，以半橋配置包含兩個(gè)EPC2015C eGaN FET。該板包含所有關(guān)鍵組件和布局，以實(shí)現(xiàn)最佳開關(guān)性能，同時(shí)還設(shè)有各種探測(cè)點(diǎn)，便于進(jìn)行簡(jiǎn)單的波形測(cè)量和效率計(jì)算。
性能參數(shù)
| SYMBOL | PARAMETER | CONDITIONS | MIN | MAX | UNITS |
|---|---|---|---|---|---|
| V DD | 柵極驅(qū)動(dòng)輸入電源范圍 | 7 | 12 | V | |
| V IN | 總線輸入電壓范圍 | 28* | V | ||
| V OUT | 開關(guān)節(jié)點(diǎn)輸出電壓 | 40 | V | ||
| I OUT | 開關(guān)節(jié)點(diǎn)輸出電流 | 15* | A | ||
| V PWM | PWM邏輯輸入電壓閾值 | 輸入‘High’ | 3.5 | 6 | V |
| 輸入‘Low’ | 0 | 1.5 | V | ||
| 最小‘High’狀態(tài)輸入脈沖寬度 | VPWM上升和下降時(shí)間 < 10ns | 60 | ns | ||
| 最小‘Low’狀態(tài)輸入脈沖寬度 | VPWM上升和下降時(shí)間 < 10ns | 200 # | ns |
注：* 假設(shè)為感性負(fù)載，最大電流取決于管芯溫度，實(shí)際最大電流受開關(guān)頻率、總線電壓和熱性能影響；# 受高端自舉電源電壓‘刷新’所需時(shí)間限制。
大家在使用開發(fā)板時(shí)，一定要注意這些參數(shù)的范圍，避免因超出參數(shù)范圍而損壞開發(fā)板。
快速啟動(dòng)步驟
連接操作
- 關(guān)閉電源，將輸入電源總線連接到 (+VIN)（J5、J6），將接地/返回端連接到 (-V_{IN})（J7、J8）。
- 關(guān)閉電源，根據(jù)需要將半橋的開關(guān)節(jié)點(diǎn)OUT（J3、J4）連接到您的電路。
- 關(guān)閉電源，將柵極驅(qū)動(dòng)電源連接到 (+VDD)（J1，引腳1），將接地返回端連接到 (-V_{DD})（J1，引腳2）。
- 關(guān)閉電源，將輸入PWM控制信號(hào)連接到PWM（J2，引腳1），將接地返回端連接到J2的其余任何引腳。
電源開啟
- 打開柵極驅(qū)動(dòng)電源，確保電源在7V至12V范圍內(nèi)。
- 將總線電壓打開到所需值（不要超過(guò) (V_{IN}) 的絕對(duì)最大電壓100V）。
- 打開控制器/PWM輸入源，并探測(cè)開關(guān)節(jié)點(diǎn)以觀察開關(guān)操作。
調(diào)試與觀察
- 一旦開始運(yùn)行，在工作范圍內(nèi)調(diào)整總線電壓和負(fù)載PWM控制，并觀察輸出開關(guān)行為、效率和其他參數(shù)。
關(guān)機(jī)操作
- 關(guān)機(jī)時(shí)，請(qǐng)按相反步驟操作。
測(cè)量注意事項(xiàng)
在測(cè)量高頻內(nèi)容開關(guān)節(jié)點(diǎn)（OUT）時(shí)，必須注意避免使用長(zhǎng)接地引線。通過(guò)將示波器探頭尖端穿過(guò)開關(guān)節(jié)點(diǎn)上的大過(guò)孔（為此目的設(shè)計(jì)）來(lái)測(cè)量開關(guān)節(jié)點(diǎn)（OUT），并直接將探頭接地到提供的GND端子上。
熱管理考慮
EPC9001C開發(fā)板展示了EPC2015C eGaN FET的性能。盡管其電氣性能優(yōu)于傳統(tǒng)硅器件，但相對(duì)較小的尺寸確實(shí)增加了熱管理要求。該開發(fā)板適用于在低環(huán)境溫度和對(duì)流冷卻條件下進(jìn)行臺(tái)架評(píng)估。添加散熱片和強(qiáng)制風(fēng)冷可以顯著提高這些器件的電流額定值，但必須注意不要超過(guò)管芯的絕對(duì)最高溫度150°C。
需要注意的是，EPC2015C開發(fā)板板上沒(méi)有任何電流或熱保護(hù)。
物料清單
| Item | Qty | Reference | Part Description | Manufacturer / Part # |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 3 | C4, C10, C11 | 電容，1 μF，10%，25 V，X5R | Murata, GRM188R61E105KA12D |
| 2 | 2 | C16, C17 | 電容，100 pF，5%，50 V，NP0 | Kemet, C0402C101K5GACTU |
| 3 | 2 | C9, C19 | 電容，0.1 μF，10%，25 V，X5R | TDK, C1005X5R1E104K |
| 4 | 3 | C21, C22, C23 | 電容，4.7 μF，10%，50 V，X5R | TDK, C2012X5R1H475K125AB |
| 5 | 2 | D1, D2 | 肖特基二極管，30 V | Diodes Inc., SDM03U40-7 |
| 6 | 3 | J1, J2, J9 | 連接器 | 2引腳的Tyco, 4-103185-0 |
| 7 | 1 | J3, J4, J5, J6, J7, J8 | 連接器 | FCI, 68602-224HLF |
| 8 | 2 | Q1, Q2 | eGaN? FET | EPC, EPC2015C |
| 9 | 1 | R1 | 電阻，10.0 K，5%，1/8 W | Stackpole, RMCF0603FT10K0 |
| 10 | 2 | R2, R15 | 電阻，0 Ohm，1/8 W | Stackpole, RMCF0603ZT0R00 |
| 11 | 1 | R4 | 電阻，7.5 Ohm，1%，1/8 W | Stackpole, RMCF0603FT7R50 |
| 12 | 1 | R5 | 電阻，47 Ohm，1%，1/8 W | Stackpole, RMCF0603FT47R0 |
| 13 | 6 | R19, R20, R21, R22, R23, R24 | 電阻，0 Ohm，1/16 W | Stackpole, RMCF0402ZT0R00 |
| 14 | 2 | TP1, TP2 | 測(cè)試點(diǎn) | Keystone Elect, 5015 |
| 15 | 1 | TP3 | 連接器 | 1/40的Tyco, 4-103185-0 |
| 16 | 1 | U1 | 集成電路，邏輯 | Fairchild, NC7SZ00L6X |
| 17 | 1 | U2 | 集成電路，柵極驅(qū)動(dòng)器 | Texas Instruments, LM5113TME |
| 18 | 1 | U3 | 集成電路，穩(wěn)壓器 | Microchip, MCP1703T-5002E/MC |
| 19 | 1 | U4 | 集成電路，邏輯 | Fairchild, NC7SZ08L6X |
| 20 | 0 | R14 | 可選電阻 | |
| 21 | 0 | D3 | 可選二極管 | |
| 22 | 0 | P1, P2 | 可選電位器 |
了解這些物料信息，有助于我們?cè)陂_發(fā)過(guò)程中進(jìn)行故障排查和組件更換。
注意事項(xiàng)
EPC9001C開發(fā)板僅用于產(chǎn)品評(píng)估目的，不用于商業(yè)用途。作為評(píng)估工具，它未設(shè)計(jì)為符合歐盟電磁兼容性指令或任何其他此類指令或法規(guī)。由于電路板的構(gòu)建有時(shí)取決于產(chǎn)品供應(yīng)情況，電路板可能包含不符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的組件或組裝材料。EPC不保證所購(gòu)買的電路板100%符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。此外，EPC不承擔(dān)應(yīng)用協(xié)助、客戶產(chǎn)品設(shè)計(jì)、軟件性能或?qū)＠蛉魏纹渌R(shí)產(chǎn)權(quán)侵權(quán)的責(zé)任。EPC保留隨時(shí)更改電路和規(guī)格的權(quán)利，恕不另行通知。
大家在使用這款開發(fā)板時(shí)，一定要仔細(xì)閱讀相關(guān)的說(shuō)明文檔，遵循操作步驟和注意事項(xiàng)，以確保開發(fā)過(guò)程的順利進(jìn)行。如果你在使用過(guò)程中遇到任何問(wèn)題，歡迎在評(píng)論區(qū)留言交流。
-
eGaN FET
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
29瀏覽量
7097
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
評(píng)論