EPC90154開(kāi)發(fā)板快速上手指南
在電子工程領(lǐng)域,開(kāi)發(fā)板是驗(yàn)證和開(kāi)發(fā)新設(shè)計(jì)的重要工具。今天,我們就來(lái)詳細(xì)了解一下EPC90154開(kāi)發(fā)板,它是一款用于評(píng)估EPC2088 eGaN? FET性能的半橋開(kāi)發(fā)板,下面將從多個(gè)方面為大家介紹其特性、使用方法及相關(guān)注意事項(xiàng)。
文件下載:EPC90154.pdf
一、開(kāi)發(fā)板概述
EPC90154是一款帶有板載柵極驅(qū)動(dòng)器的半橋開(kāi)發(fā)板,采用了額定電壓為100 V的EPC2088 eGaN FET。該開(kāi)發(fā)板尺寸為2'' × 2'',包含兩個(gè)半橋配置的EPC2088 eGaN FET和一個(gè)用于增強(qiáng)自舉電源的EPC2038 GaN FET。它還采用了uPI Semiconductor uP1966E柵極驅(qū)動(dòng)器,并且包含了所有關(guān)鍵組件,其布局支持最佳開(kāi)關(guān)性能。此外,板上還有各種探測(cè)點(diǎn),方便進(jìn)行簡(jiǎn)單的波形測(cè)量和效率計(jì)算。
性能參數(shù)
| Symbol | Parameter | Conditions | Min | Nominal | Max | Units |
|---|---|---|---|---|---|---|
| V DD | Gate Drive Regulator Supply Range | 7.5 | 12 | V | ||
| V IN | Bus Input Voltage Range (1) | 80 | V | |||
| I OUT | Switch Node Output Current (2) | 25 | A | |||
| V PWM | PWM Logic Input Voltage Threshold (3) | Input ‘High’ | 3.5 | 5.5 | V | |
| Input ‘Low’ | 0 | 1.5 | V | |||
| PWM ‘High’ State Input Pulse Width | V PWM rise and fall time < 10ns | 50 | ns | |||
| PWM ‘Low’ State Input Pulse Width (4) | V PWM rise and fall time < 10ns | 200 | ns |
需要注意的是,最大輸入電壓取決于電感負(fù)載和開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴;最大電流取決于管芯溫度;使用板載邏輯緩沖器時(shí),旁路開(kāi)關(guān)頻率、總線電壓和熱冷卻需參考uP1966E數(shù)據(jù)手冊(cè);PWM低狀態(tài)輸入脈沖寬度受高側(cè)自舉電源電壓“刷新”時(shí)間限制。
二、快速啟動(dòng)步驟
(一)單/雙PWM信號(hào)輸入設(shè)置
開(kāi)發(fā)板上有兩個(gè)PWM信號(hào)輸入端口PWM1和PWM2。在雙輸入模式下,PWM1連接到上FET,PWM2連接到下FET;在單輸入模式下,PWM1作為輸入,電路會(huì)為FET生成所需的互補(bǔ)PWM。輸入模式通過(guò)選擇J630(模式選擇)的跳線位置來(lái)設(shè)置。
(二)死區(qū)時(shí)間設(shè)置
死區(qū)時(shí)間是指一個(gè)FET關(guān)斷到另一個(gè)FET導(dǎo)通之間的時(shí)間,對(duì)于該開(kāi)發(fā)板,是相對(duì)于柵極驅(qū)動(dòng)器的輸入而言的。可以通過(guò)電阻R620和R625來(lái)設(shè)置死區(qū)時(shí)間,所需電阻值可從圖4的圖表中讀取。推薦的最小死區(qū)時(shí)間為5 ns,最大為15 ns。
(三)旁路設(shè)置
極性變換器和死區(qū)時(shí)間電路可以通過(guò)J640(旁路)的跳線設(shè)置進(jìn)行旁路,有三種旁路選項(xiàng):無(wú)旁路、死區(qū)時(shí)間旁路和完全旁路。
三、電路配置
(一)降壓轉(zhuǎn)換器配置
可以選擇單PWM輸入或雙PWM輸入來(lái)將開(kāi)發(fā)板配置為降壓轉(zhuǎn)換器。選擇單輸入降壓模式時(shí),旁路跳線J640必須設(shè)置為無(wú)旁路模式;選擇雙輸入降壓模式時(shí),旁路跳線J640可以配置為任何有效設(shè)置。操作步驟如下:
- 關(guān)閉電源,將輸入電源總線連接到VIN,接地/返回連接到GND。
- 關(guān)閉電源,將半橋的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)(SW)連接到所需電路,或使用提供的電感(L1)和輸出電容(Cout)焊盤。
- 關(guān)閉電源,將柵極驅(qū)動(dòng)電源連接到VDD(J1,引腳1),接地返回連接到GND(J1,引腳2,在板的底部標(biāo)明)。
- 關(guān)閉電源,根據(jù)選擇的輸入模式設(shè)置,將輸入PWM控制信號(hào)連接到PWM1和/或PWM2,并將接地返回連接到板底部標(biāo)明的任何GND J2引腳。
- 打開(kāi)柵極驅(qū)動(dòng)電源,確保電源設(shè)置在7.5 V至12 V之間。
- 打開(kāi)控制器/PWM輸入源。
- 確保初始輸入電源電壓為0 V,打開(kāi)電源并緩慢增加電壓到所需值(不要超過(guò)絕對(duì)最大電壓),探測(cè)開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)以查看開(kāi)關(guān)操作。
- 一旦運(yùn)行,在工作范圍內(nèi)調(diào)整PWM控制、總線電壓和負(fù)載,并觀察輸出開(kāi)關(guān)行為、效率和其他參數(shù)。
- 關(guān)機(jī)時(shí),請(qǐng)按相反步驟操作。
(二)升壓轉(zhuǎn)換器配置
同樣可以選擇單PWM輸入或雙PWM輸入來(lái)將開(kāi)發(fā)板配置為升壓轉(zhuǎn)換器。選擇單輸入升壓模式時(shí),旁路跳線J640必須設(shè)置為無(wú)旁路模式;選擇雙輸入升壓模式時(shí),旁路跳線J640可以配置為任何有效設(shè)置。需要注意的是,切勿在無(wú)負(fù)載的情況下操作升壓轉(zhuǎn)換器模式,否則輸出電壓可能會(huì)超過(guò)最大額定值。操作步驟如下:
- 電感(L1)和輸入電容(標(biāo)記為Cout)可以焊接到板上,也可以在板外提供。反并聯(lián)二極管也可以使用EPC2088 FET右側(cè)的額外焊盤進(jìn)行安裝。
- 關(guān)閉電源,將輸入電源總線連接到VOUT,接地/返回連接到GND,或者如果電感L1和Cout在外部提供,則在電容兩端外部連接。將輸出電壓(標(biāo)記為VIN)連接到所需電路,例如電阻負(fù)載。
- 關(guān)閉電源,將柵極驅(qū)動(dòng)電源連接到VDD(J1,引腳1),接地返回連接到GND(J1,引腳2,在板的底部標(biāo)明)。
- 關(guān)閉電源,根據(jù)選擇的輸入模式設(shè)置,將輸入PWM控制信號(hào)連接到PWM1和/或PWM2,并將接地返回連接到板底部標(biāo)明的任何GND J2引腳。
- 打開(kāi)柵極驅(qū)動(dòng)電源,確保電源在7.5 V至12 V之間。
- 打開(kāi)控制器/PWM輸入源。
- 確保輸出不是開(kāi)路,且初始輸入電源電壓為0 V,打開(kāi)電源并緩慢增加電壓到所需值(不要超過(guò)絕對(duì)最大電壓),探測(cè)開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)以查看開(kāi)關(guān)操作。
- 一旦運(yùn)行,在工作范圍內(nèi)調(diào)整PWM控制、總線電壓和負(fù)載,并觀察輸出開(kāi)關(guān)行為、效率和其他參數(shù),觀察設(shè)備溫度以確定操作限制。
- 關(guān)機(jī)時(shí),請(qǐng)按相反步驟操作。
四、測(cè)量和散熱注意事項(xiàng)
(一)測(cè)量考慮
在測(cè)量包含高頻內(nèi)容的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓時(shí),需要注意提供準(zhǔn)確的高速測(cè)量。開(kāi)發(fā)板提供了一個(gè)可選的雙引腳插頭(J33)和一個(gè)MMCX連接器(J32)用于開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)測(cè)量。推薦使用差分探頭測(cè)量高端柵極電壓,Tektronix的IsoVu探頭有匹配的MMCX連接器。對(duì)于使用MMCX連接器的常規(guī)無(wú)源電壓探頭(如TPP1000),可以使用探頭適配器(PN: 206 - 0663 - xx)。
(二)散熱考慮
EPC90154開(kāi)發(fā)板配備了三個(gè)機(jī)械墊片,可以用于輕松安裝散熱器或散熱片。在安裝散熱器之前,需要移除散熱器區(qū)域下厚度超過(guò)1 mm的任何組件。散熱器可以使用鋁或碲銅制造,以獲得更高的性能。在組裝散熱器時(shí),可能需要添加一層薄的絕緣層,以防止散熱器與電容器和電阻器等具有暴露導(dǎo)體的組件短路。推薦的絕緣材料為L(zhǎng)aird P/N: A14692 - 30, Tgard? K52,厚度為0.051 mm。熱界面材料(TIM)的選擇需要考慮機(jī)械順應(yīng)性、電氣絕緣性和熱性能等特性。EPC推薦了幾種熱界面材料,如t - Global P/N: TG - A1780 X 0.5 mm(最高導(dǎo)熱率為17.8 W/m·K)等。
五、實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
(一)測(cè)試條件
| 在進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證時(shí),EPC90154的性能測(cè)試是在特定的操作條件下進(jìn)行的,具體測(cè)試條件如下表所示: | Parameter | Max | Units |
|---|---|---|---|
| Regulated Input voltage | 48 | V | |
| Regulated Output voltage | 12 | V | |
| Switching frequency (f S ) | 500 | kHz | |
| Inductor (mounted on motherboard) | 2.2 | μH [1] | |
| Additional Input capacitance (min.) | 23.5 | μF [2] | |
| Additional Output capacitance (min.) | 70.5 | μF [3] | |
| Maximum case temperature | 110 | °C | |
| Dead time | 10 | ns |
其中,[1]為Vishay的2.2 μH電感(P/N IHTH1125KZEB2R2M5A);[2]使用的電容為4.7 μF、100 V,共5個(gè)(P/N: GMC32X7R475K100NT);[3]使用的電容為4.7 μF、100 V,共5個(gè)(P/N: GMC32X7R475K100NT)和47 μF、80 V,1個(gè)(P/N: 80SXV47M)。在高電流測(cè)試之前,在板上添加了符合圖10和圖11的散熱器,使用t - Global TG - A1780熱界面材料(TIM)和Wakefield Vette 567 - 24AB散熱器,并使用相同的TIM。同時(shí),添加了額外的輸入和輸出電容,以抑制高輸出電流時(shí)的輸入和輸出電壓紋波。
(二)電氣性能
1. 測(cè)量波形
在不同的負(fù)載電流下,測(cè)量了電感電流和開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)波形。例如,當(dāng)從48 V以500 kHz運(yùn)行并向12 V負(fù)載輸送0 A、10 A和25 A電流時(shí),分別得到了相應(yīng)的波形。這些波形能夠直觀地反映開(kāi)發(fā)板在不同負(fù)載條件下的開(kāi)關(guān)性能。
2. 效率和功率損耗
圖15展示了在使用2.2 μH電感的情況下,從48 V到12 V在各種開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)行時(shí)的效率和功率損耗結(jié)果。通過(guò)這些數(shù)據(jù),我們可以了解開(kāi)發(fā)板在不同工作頻率下的能量轉(zhuǎn)換效率和功率損耗情況,從而為優(yōu)化電路設(shè)計(jì)提供參考。
(三)熱性能
圖16顯示了開(kāi)發(fā)板在48 V輸入、向負(fù)載提供12 V輸出,且有1000 - 1500 LFM(高)氣流的情況下的熱性能。通過(guò)測(cè)量外殼溫度的熱圖像,可以了解開(kāi)發(fā)板在特定工作條件下的散熱情況,評(píng)估其熱穩(wěn)定性。
(四)熱降額
通過(guò)對(duì)開(kāi)發(fā)板進(jìn)行額外的測(cè)試,在500 LFM和1000 LFM的氣流條件下,確定了帶散熱器和不帶散熱器時(shí)開(kāi)發(fā)板的環(huán)境溫度降額情況。測(cè)量了負(fù)載電流與溫度上升的關(guān)系,并生成了最大外殼溫度為110°C時(shí)不同開(kāi)關(guān)頻率下的降額曲線。這些曲線有助于我們了解開(kāi)發(fā)板在不同散熱條件和工作頻率下的負(fù)載能力,從而合理使用開(kāi)發(fā)板,避免因過(guò)熱導(dǎo)致性能下降或損壞。
綜上所述,EPC90154開(kāi)發(fā)板為工程師提供了一個(gè)方便的平臺(tái)來(lái)評(píng)估EPC2088 eGaN FET的性能。在使用過(guò)程中,需要根據(jù)具體需求進(jìn)行合理的配置和設(shè)置,并注意測(cè)量和散熱等方面的問(wèn)題。大家在實(shí)際使用中有沒(méi)有遇到什么特別的問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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eGaN FET
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