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EPC90145開發(fā)板快速上手:開啟高效功率轉換之旅

chencui ? 2026-05-14 13:05 ? 次閱讀
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EPC90145開發(fā)板快速上手:開啟高效功率轉換之旅

在電子工程領域,開發(fā)板是驗證和測試新器件性能的關鍵工具。今天,我們就來深入了解一下EPC90145開發(fā)板,這是一款專為評估EPC2306 eGaN場效應晶體管(FET)而設計的半橋開發(fā)板,下面將從多個方面為大家詳細介紹。

文件下載:EPC90145.pdf

開發(fā)板概述

EPC90145開發(fā)板尺寸為2英寸×2英寸,板上集成了兩個EPC2306 eGaN FET,采用半橋配置,還有一個EPC2038 GaN FET用于增強自舉電源。它搭載了uPI Semiconductor uP1966E柵極驅動器,包含了所有關鍵組件,布局設計支持最佳開關性能,并且設有多個探測點,方便進行波形測量和效率計算。

性能參數

Symbol Parameter Conditions Min Nominal Max Units
V DD Gate Drive Regulator Supply Range 7.5 12 V
V IN Bus Input Voltage Range (1) 80 V
I OUT Switch Node Output Current (2) 45 A
V PWM PWM Logic Input Voltage Threshold (3) Input ‘High’ 3.5 5.5 V
Input ‘Low’ 0 1.5 V
PWM ‘High’ State Input Pulse Width V PWM rise and fall time < 10 ns 50 ns
PWM ‘Low’ State Input Pulse Width (4) V PWM rise and fall time < 10 ns 200 ns

需要注意的是,最大輸入電壓取決于電感負載,EPC2306的開關節(jié)點最大振鈴必須保持在100 V以下;最大電流取決于管芯溫度,實際最大電流受開關頻率、總線電壓和散熱條件影響;使用板載邏輯緩沖器時,繞過邏輯緩沖器需參考uP1966E數據手冊;PWM低態(tài)輸入脈沖寬度受高端自舉電源電壓“刷新”時間限制。

快速啟動步驟

單/雙PWM信號輸入設置

開發(fā)板上有兩個PWM信號輸入端口PWM1和PWM2。雙輸入模式下,PWM1連接上FET,PWM2連接下FET;單輸入模式下,PWM1作為輸入,電路會為FET生成所需的互補PWM。輸入模式通過選擇J630(模式選擇)的跳線位置來設置。

死區(qū)時間設置

死區(qū)時間是指一個FET關斷到另一個FET導通之間的時間,參考柵極驅動器的輸入??梢酝ㄟ^電阻R620和R625來設置死區(qū)時間,所需電阻值可從圖4的圖表中讀取。建議最小死區(qū)時間為5 ns,最大為15 ns。

旁路設置

可以使用J640(旁路)的跳線設置來繞過極性變換器和死區(qū)時間電路,直接訪問柵極驅動器輸入。有三種旁路選項:無旁路、死區(qū)時間旁路和完全旁路。

轉換器配置

降壓轉換器配置

可選擇單或雙PWM輸入,通過J630(模式)的跳線設置來選擇。單輸入降壓模式下,旁路跳線J640必須設置為無旁路模式;雙輸入降壓模式下,旁路跳線J640可配置為任何有效設置。操作步驟包括連接電源、開關節(jié)點、柵極驅動電源、PWM控制信號等,開啟電源后逐步調整參數并觀察輸出。

升壓轉換器配置

同樣可選擇單或雙PWM輸入,通過J630(模式)的跳線設置來選擇。單輸入升壓模式下,旁路跳線J640必須設置為無旁路模式;雙輸入升壓模式下,旁路跳線J640可配置為任何有效設置。操作時需注意不能在無負載的情況下運行升壓轉換器模式,以防止輸出電壓超過最大額定值。

測量與熱考慮

測量考慮

測量包含高頻內容的開關節(jié)點電壓時,要注意提供準確的高速測量??墒褂每蛇x的雙引腳接頭(J33)進行開關節(jié)點測量,推薦使用差分探頭測量高端柵極電壓,對于普通無源電壓探頭,可使用探頭適配器。EPC網站提供了相關測量技術的資料。

熱考慮

EPC90145開發(fā)板配備了三個機械墊片,可用于安裝散熱器。安裝散熱器前,需移除散熱器區(qū)域內厚度超過1 mm的組件。選擇熱界面材料(TIM)時,要考慮機械順應性、電氣絕緣性和熱性能等特性。EPC推薦了幾種熱界面材料,如t-Global的TG-A1780、TG-A620,Bergquist的GP5000 - 0.02和GPTGP7000ULM - 0.020等。

實驗驗證

測試條件

在特定的測試條件下對EPC90145的性能進行了測試,包括調節(jié)輸入電壓、輸出電壓、開關頻率、電感、輸入和輸出電容等參數,同時添加了散熱器和熱界面材料。

電氣性能

測量了不同負載電流下的電感電流和開關節(jié)點波形,展示了開發(fā)板在不同工作條件下的電氣性能。

效率和功率損耗

圖15顯示了在不同開關頻率下,使用4.7 μH電感時的效率和功率損耗結果。

熱性能

圖16展示了在特定條件下,開發(fā)板的熱性能,包括在高氣流下的外殼溫度測量結果。

熱降額

通過在不同氣流條件下的測試,生成了熱降額曲線,以確定不同開關頻率下,帶或不帶散熱器時的環(huán)境溫度降額情況。

EPC90145開發(fā)板為工程師提供了一個便捷的平臺來評估EPC2306 eGaN FET的性能。在使用過程中,大家要嚴格按照操作步驟進行,注意各項參數的設置和安全事項。你在使用類似開發(fā)板時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經驗。

如需支持文件,可訪問EPC90145的官網頁面:https://epc-co.com/epc/Products/DemoBoards/EPC90145.aspx 。如有更多疑問,可聯(lián)系info@epc - co.com或當地銷售代表。

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