EPC9091開發(fā)板快速上手:開啟EPC2051 eGaN FET評估之旅
在電子工程領(lǐng)域,高效的功率轉(zhuǎn)換一直是追求的目標(biāo)。EPC(Efficient Power Conversion)公司推出的EPC9091開發(fā)板,為工程師們評估EPC2051 eGaN FET提供了便捷的途徑。今天,我們就來詳細(xì)了解一下這款開發(fā)板。
文件下載:EPC9091.pdf
開發(fā)板概述
EPC9091開發(fā)板是一款最大器件電壓為100V的半橋電路,板載柵極驅(qū)動器,采用了EPC2051增強(qiáng)型(eGaN?)場效應(yīng)晶體管(FET)。其設(shè)計目的是簡化EPC2051 eGaN FET的評估過程,將所有關(guān)鍵組件集成在一塊2” x 2”的電路板上,方便連接到任何現(xiàn)有的轉(zhuǎn)換器中。
該開發(fā)板使用uPI Semiconductor Corp的uP1966A柵極驅(qū)動器,采用半橋配置,包含兩個EPC2051 eGaN FET。板上包含了所有關(guān)鍵組件和布局,以實現(xiàn)最佳的開關(guān)性能,并且設(shè)有多個探測點,便于進(jìn)行簡單的波形測量和效率計算。
快速啟動步驟
EPC9091開發(fā)板的設(shè)置非常簡單,按照以下步驟操作,即可開始評估EPC2051 eGaN FET的性能:
- 電源連接:在電源關(guān)閉的情況下,將輸入電源總線連接到 (+VIN)(J5、J6),將接地/返回端連接到GND(J7、J8)。
- 開關(guān)節(jié)點連接:同樣在電源關(guān)閉時,根據(jù)需要將半橋的開關(guān)節(jié)點(SW)(J3、J4)和GND(J7、J8)連接到您的電路中(半橋配置)。該開發(fā)板還提供了可選的降壓轉(zhuǎn)換器配置,如圖2所示,板上有未焊接的輸出電感器和輸出電容器的焊盤。
- 柵極驅(qū)動電源連接:關(guān)閉電源,將柵極驅(qū)動電源連接到 (V_{D D})(J1,Pin - 1),接地返回端連接到GND(J1,Pin - 2)。
- PWM控制信號連接:在電源關(guān)閉狀態(tài)下,將高端開關(guān)的輸入PWM控制信號連接到PWM(J2,Pin - 1),接地返回端連接到GND(J2,Pin - 2)。
- 開啟柵極驅(qū)動電源:確保電源電壓在7.5V至12V范圍內(nèi)。
- 開啟控制器/PWM輸入源。
- 開啟總線電壓:將總線電壓調(diào)整到所需值(不要超過絕對最大電壓),探測開關(guān)節(jié)點以觀察開關(guān)操作。
- 參數(shù)調(diào)整與觀察:一旦開發(fā)板開始工作,在工作范圍內(nèi)調(diào)整PWM控制、總線電壓和負(fù)載,觀察輸出開關(guān)行為、效率和其他參數(shù)。
- 關(guān)機(jī)操作:關(guān)機(jī)時,請按上述步驟的相反順序進(jìn)行操作。
性能參數(shù)
| 以下是EPC9091開發(fā)板在 (T_{A}=25^{circ} C) 時的性能參數(shù)總結(jié): | 符號 | 參數(shù) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| (V_{DD}) | 柵極驅(qū)動輸入電源范圍 | 7.5 | 10 | 12 | V | ||
| (V_{IN}) | 電壓范圍(1) 總線輸入 | 80 | V | ||||
| (I_{OUT}) | 輸出電流(2) 開關(guān)節(jié)點 | 注2 | 見說明 | A | |||
| (V_{PWM}) | PWM邏輯輸入電壓閾值 | 輸入‘高’ | 2.3 | V | |||
| 輸入‘低’ | 0.5 | V | |||||
| 最小‘高’狀態(tài)輸入脈沖寬度(3) | (V_{PWM}) 上升和下降時間 < 10 ns | 20 | ns | ||||
| 最小‘低’狀態(tài)輸入脈沖寬度(4) | (V_{PWM}) 上升和下降時間 < 10 ns | 注4 | ns |
需要注意的是,(1) 最大輸入電壓取決于電感負(fù)載,對于EPC2051,開關(guān)節(jié)點的最大振鈴必須保持在100V以下;(2) 最大電流取決于管芯溫度,實際最大電流受開關(guān)頻率、總線電壓和熱冷卻的影響;(3) 受柵極驅(qū)動器上升和下降時間的限制;(4) 受‘刷新’高端自舉電源電壓所需時間的限制。
測量注意事項
在測量高頻內(nèi)容的開關(guān)節(jié)點時,必須注意提供準(zhǔn)確的高速測量。開發(fā)板上包含一個可選的雙引腳接頭(J10),用于開關(guān)節(jié)點測量。建議將測量點安裝在電路板的背面,以防止污染頂面組件。如需了解測量技術(shù)的詳細(xì)信息,請點擊標(biāo)題查看EPC的應(yīng)用筆記AN023:“Accurately Measuring High Speed GaN Transistors”。
熱考慮
EPC9091開發(fā)板展示了EPC2051 eGaN FET的性能。該開發(fā)板旨在在典型的室溫環(huán)境下進(jìn)行臺式評估。添加散熱片和強(qiáng)制風(fēng)冷可以顯著提高這些器件的電流能力,但必須注意不要超過絕對最大管芯溫度150°C。需要注意的是,EPC9091開發(fā)板板上沒有任何電流或熱保護(hù)。
如需了解有關(guān)EPC eGaN FET熱性能的更多信息,請參考:D. Reusch和J. Glaser的《DC - DC Converter Handbook》,這是《GaN Transistors for Efficient Power Conversion》第一版的補(bǔ)充,由Power Conversion Publications于2015年出版。
物料清單
| 開發(fā)板的物料清單如下: | 項目 | 數(shù)量 | 參考 | 零件描述 | 制造商 | 零件編號 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 3 | C4, C10, C11 | 電容器,1 μF,10%,25 V,X5R,0603 | Murata | GRM188R61E105KA12D | |
| 2 | 1 | C9 | 電容器,0.1 μF,10%,25 V,X5R,0402 | TDK | C1005X5R1E104K050BC | |
| 3 | 2 | C16, C17 | 電容器,100 pF,10%,50 V,NP0,0402 | Kemet | C0402C101K5GACTU | |
| 4 | 1 | C19 | 電容器,1 μF,10%,25 V,X5R,0402 | TDK | C1005X5R1E105K050BC | |
| 5 | 4 | C21, C22, C23, C24 | 電容器,1 μF,20%,100 V,X7S,0805 | TDK | C2012X7S2A105M125AB | |
| 6 | 2 | D1, D2 | 肖特基二極管,30 V,SOD523 | Diodes Inc. | SDM03U40 - 7 | |
| 7 | 2 | Q1, Q2 | eGaN FET,100 V,21 mΩ | EPC | EPC2051 | |
| 8 | 1 | U1 | IC,與非門,1通道,2輸入,6微封裝 | Fairchild | NC7SZ00L6X | |
| 9 | 1 | U2 | IC,柵極驅(qū)動器,半橋,100 V,DSBGA - 12 | UPI Semiconductor Corp. | UP1966A | |
| 10 | 1 | U3 | IC,線性穩(wěn)壓器,5 V,8DFN | Microchip | MCP1703T - 5002E/MC | |
| 11 | 1 | U4 | IC,與門,1通道,2輸入,6 - 微封裝 | Fairchild | NC7SZ08L6X | |
| 12 | 1 | R1 | 電阻器,10 kΩ,1%,1/10 W,0603 | Stackpole | RMCF0603FT10K0 | |
| 13 | 3 | R2, R15, R3 | 電阻器,0 Ω跳線,1/10 W,0603 | Panasonic | ERJ - 3GEY0R00V | |
| 14 | 1 | R4 | 電阻器,340 Ω,1%,1/10 W,0603 | Yageo | RC0603FR - 07340RL | |
| 15 | 1 | R5 | 電阻器,357 Ω,1%,1/10 W,0603 | Yageo | RC0603FR - 07357RL | |
| 16 | 1 | R19 | 電阻器,0 Ω跳線,1/16 W,0402 | Stackpole | RMCF0402ZT0R00TR - ND | |
| 17 | 3 | J1, J2, J9 | 2引腳接頭,通孔,100密耳間距 | Tyco | 4 - 103185 - 0 - 02 | |
| 18 | 6 | J3, J4, J5, J6, J7, J8 | 4引腳接頭,通孔,100密耳間距 | Amphenol FCI | 68602 - 224HLF | |
| 19 | 2 | TP1, TP2 | 測試點,微型SMT | Keystone Elect | 5015 |
此外,開發(fā)板還有一些可選組件,如用于死區(qū)時間調(diào)整的電位器、用于VGS探頭的MMCX連接器等。
注意事項
EPC9091開發(fā)板僅用于產(chǎn)品評估目的,不適合商業(yè)用途。請僅使用快速啟動指南中零件清單(或物料清單)中所示的零件替換評估板上的組件。如有任何問題,請聯(lián)系EPC授權(quán)代表。
該開發(fā)板應(yīng)由經(jīng)過認(rèn)證的專業(yè)人員在實驗室環(huán)境中按照適當(dāng)?shù)陌踩绦蚴褂?,使用風(fēng)險自負(fù)。作為評估工具,該開發(fā)板未設(shè)計為符合歐盟電磁兼容性指令或任何其他此類指令或法規(guī)。由于電路板的構(gòu)建有時受產(chǎn)品供應(yīng)的影響,電路板可能包含不符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的組件或組裝材料,EPC不保證所購買的電路板100%符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
評估板(或套件)僅用于演示目的,評估板和本快速啟動指南均不構(gòu)成銷售合同,也不針對所涉及的應(yīng)用或產(chǎn)品提供任何明示或暗示的保證。EPC保留隨時更改本文所述任何產(chǎn)品的權(quán)利,以提高可靠性、功能或設(shè)計,且不承擔(dān)因本文所述任何產(chǎn)品或電路的應(yīng)用或使用而產(chǎn)生的任何責(zé)任,也不授予其專利權(quán)或其他知識產(chǎn)權(quán)的許可。
希望這篇文章能幫助您快速上手EPC9091開發(fā)板,開啟EPC2051 eGaN FET的評估之旅。在實際使用過程中,您是否遇到過類似開發(fā)板的其他問題呢?歡迎在評論區(qū)分享您的經(jīng)驗和疑問。
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