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Onsemi塑料中功率硅NPN達(dá)林頓晶體管BD系列解析

lhl545545 ? 2026-05-14 18:25 ? 次閱讀
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Onsemi塑料中功率硅NPN達(dá)林頓晶體管BD系列解析

在電子電路設(shè)計(jì)中,功率晶體管的選擇對于整個系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。今天我們來詳細(xì)探討一下Onsemi公司的BD675G、BD675AG、BD677G、BD677AG、BD679G、BD679AG、BD681G這一系列塑料中功率硅NPN達(dá)林頓晶體管。

文件下載:BD675-D.PDF

一、產(chǎn)品概述

這一系列晶體管可作為互補(bǔ)通用放大器應(yīng)用中的輸出設(shè)備。其具有高直流電流增益、單片結(jié)構(gòu)的特點(diǎn),并且與BD676、676A、678、678A、680、680A、682互補(bǔ)。其中,BD677、677A、679、679A等效于MJE 800、801、802、803。同時,這些器件是無鉛的,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

二、主要參數(shù)

1. 最大額定值

額定參數(shù) 符號 單位
集電極 - 發(fā)射極電壓(不同型號) VCEO 45、60、80、100 Vdc
集電極 - 基極電壓(不同型號) VCBO 45、60、80、100 Vdc
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO 5.0 Vdc
集電極電流 IC 4.0 Adc
基極電流 IB 1.0 Adc
總器件功耗(@TC = 25°C,25°C以上降額) PD 40、0.32 W、W/°C
工作和存儲結(jié)溫范圍 TJ, Tstg –55 至 +150 °C

在設(shè)計(jì)電路時,我們必須確保各項(xiàng)參數(shù)不超過這些最大額定值,否則可能會損壞器件,影響其功能和可靠性。大家在實(shí)際應(yīng)用中有沒有遇到過因?yàn)閰?shù)超出額定值而導(dǎo)致器件損壞的情況呢?

2. 熱特性

熱阻ReJC最大值為3.13。熱特性對于功率晶體管來說非常重要,它關(guān)系到器件在工作過程中的散熱情況,進(jìn)而影響其性能和壽命。在設(shè)計(jì)散熱系統(tǒng)時,我們需要根據(jù)這個熱阻參數(shù)來選擇合適的散熱片等散熱設(shè)備。

三、電氣特性

1. 關(guān)斷特性

  • 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓(不同型號):例如BD675G、BD675AG為45Vdc,BD679G、BD679AG為60Vdc,BD681G為80Vdc。
  • 集電極截止電流(VCE = 額定VCEO的一半,IB = 0)最大值為500uAdc;在(VCB = 額定BVCEO,IE = 0,TC = 100°C)條件下,最大值為0.2 - 2.0mAdc。
  • 發(fā)射極截止電流(VBE = 5.0Vdc,IC = 0)最大值為2.0mAdc。

2. 導(dǎo)通特性

  • 直流電流增益(不同測試條件):例如在(IC = 1.5Adc,VCE = 3.0Vdc)條件下,BD675G、BD677G、BD679G、BD681G的hFE最小值為750;在(IC = 2.0Adc,VCE = 3.0Vdc)條件下,BD675AG、BD677AG、BD679AG的hFE最小值為750。
  • 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(不同測試條件):例如在(IC = 1.5Adc,IB = 30mAdc)條件下,BD677G、BD679G、BD681G;在(IC = 2.0Adc,IB = 40mAdc)條件下,BD675AG、BD677AG、BD679AG,VCE(sat)最大值為2.8Vdc。
  • 基極 - 發(fā)射極導(dǎo)通電壓(不同測試條件):例如在(IC = 1.5Adc,VCE = 3.0Vdc)條件下,BD677G、BD679G、BD681G;在(IC = 2.0Adc,VCE = 30Vdc)條件下,VBE(on)最大值為2.5Vdc。

3. 動態(tài)特性

信號電流增益(IC = 1.5Adc,VCE = 3.0Vdc,f = 1.0MHz)最小值為1.0。這些電氣特性是我們在設(shè)計(jì)電路時進(jìn)行參數(shù)匹配和性能優(yōu)化的重要依據(jù)。大家在設(shè)計(jì)過程中,是如何根據(jù)這些電氣特性來選擇合適的工作點(diǎn)的呢?

四、安全工作區(qū)

晶體管的功率處理能力受到平均結(jié)溫和二次擊穿的限制。安全工作區(qū)曲線表明了晶體管的IC - VCE限制,為了可靠運(yùn)行,必須遵守這些限制。在高殼溫下,熱限制會使可處理的功率低于二次擊穿所施加的限制。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,我們需要根據(jù)安全工作區(qū)曲線來合理選擇晶體管的工作點(diǎn),避免超出其安全范圍。

五、訂購信息

器件 包裝數(shù)量
BD681G 500 Units / Box
BD675G 500 Units / Box
BD675AG 500 Units / Box
BD677G 500 Units / Box
BD677AG 500 Units / Box
BD679G 500 Units / Box
BD679AG 500 Units / Box

需要注意的是,部分器件已經(jīng)停產(chǎn),不推薦用于新設(shè)計(jì)。大家在采購時一定要注意器件的可用性哦。

六、機(jī)械尺寸

該系列晶體管采用TO - 225 CASE 77 - 09封裝,其各部分尺寸都有明確的規(guī)定,例如A尺寸范圍為2.40 - 3.00mm,A1尺寸范圍為1.00 - 1.50mm等。在進(jìn)行PCB設(shè)計(jì)時,我們需要根據(jù)這些機(jī)械尺寸來合理安排器件的布局,確保其安裝和使用的便利性。

Onsemi的這一系列NPN達(dá)林頓晶體管在通用放大器應(yīng)用中具有很多優(yōu)勢,但在實(shí)際設(shè)計(jì)過程中,我們需要綜合考慮各項(xiàng)參數(shù)和特性,以確保電路的性能和可靠性。希望通過這篇文章,能對大家在選擇和使用這些晶體管時有所幫助。大家在使用這些晶體管時還有什么疑問或者經(jīng)驗(yàn),歡迎在評論區(qū)分享交流。

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