onsemi PNP達林頓晶體管BD系列：設計應用與技術解析

作為電子工程師，在設計互補通用放大器等電路時，選擇合適的晶體管至關重要。今天就來聊聊 onsemi 的一系列塑料、中功率硅 PNP 達林頓晶體管，包括 BD676G、BD676AG、BD678G、BD678AG、BD680G、BD680AG、BD682G 和 BD682TG。

文件下載：BD676-D.PDF

產品特點與應用

這些 PNP 達林頓晶體管可作為互補通用放大器應用中的輸出設備。它們具有以下顯著特點：

1. 高直流電流增益：能有效放大電流信號，在很多對電流放大要求較高的電路中發(fā)揮重要作用。
2. 單片結構：這種結構使得晶體管的性能更加穩(wěn)定可靠。
3. 互補性：BD676、676A、678、678A、680、680A、682 與 BD675、675A、677、677A、679、679A、681 互補，為電路設計提供了更多的選擇和靈活性。
4. 等效性：BD678、678A、680、680A 等效于 MJE 700、701、702、703，方便工程師在不同產品之間進行替代設計。
5. 環(huán)保特性：這些器件無鉛且符合 RoHS 標準，符合現(xiàn)代電子產品環(huán)保的要求。

最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

熱特性

熱特性對于晶體管的性能和壽命有著重要影響。這些晶體管的結 - 殼熱阻（RJC）最大為 3.13 ?C/W。在設計散熱系統(tǒng)時，我們需要根據這個參數來確保晶體管在工作過程中能夠有效地散熱，避免因過熱而損壞。

電氣特性

集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓

在 (I{C}=50 mAdc)，(I{B}=0) 的條件下，不同型號的集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓有所不同，BD676G、BD676AG 為 45V，BD678G、BD678AG 為 60V，BD680G、BD680AG 為 80V，BD682G、BD682TG 為 100V。

集電極截止電流（ICEO）

最大為 0.2 uAdc。

發(fā)射極截止電流

文檔中未明確給出具體數值。

直流電流增益（hfe）

在 (I{C}=2.0 Adc)，(V{CE}=3.0 Vdc) 的條件下，BD676G、BD678G、BD680G、BD682G 的直流電流增益為 750。

基極 - 發(fā)射極導通電壓（VBE(on)）

在 (I{C}=2.0 Adc)，(V{CE}=3.0 Vdc) 的條件下，BD676AG、BD678AG、BD680AG 的基極 - 發(fā)射極導通電壓為 2.5Vdc。

產品的電氣特性是在特定測試條件下給出的，如果實際工作條件不同，產品性能可能會有所差異。在進行脈沖測試時，脈沖寬度 ≤300 μs，占空比 ≤2.0 %。

安全工作區(qū)

晶體管的功率處理能力受到平均結溫和二次擊穿的限制。安全工作區(qū)曲線表明了 (I{C}-V{CE}) 的限制，為了保證可靠運行，晶體管的功耗不能超過曲線所示的值。在高殼溫下，熱限制會使晶體管能夠處理的功率低于二次擊穿所施加的限制。

訂購信息

部分器件已經停產，如 BD676G、BD676AG、BD678G、BD678AG、BD680G、BD680AG 等。對于仍在供應的 BD682G，采用 TO - 225（無鉛）封裝，每盒 500 個；BD682TG 采用 TO - 225（無鉛）封裝，每軌 50 個。在進行新設計時，不建議使用已停產的器件，可聯(lián)系 onsemi 代表獲取相關信息。

機械封裝尺寸

這些晶體管采用 TO - 225 封裝，文檔給出了詳細的封裝尺寸，包括各部分的最小和最大尺寸。如 A 尺寸范圍為 2.40 - 3.00 毫米，A1 為 1.00 - 1.50 毫米等。在進行 PCB 設計時，我們需要根據這些尺寸來合理布局晶體管，確保其安裝和連接的正確性。

總之，onsemi 的這些 PNP 達林頓晶體管在互補通用放大器應用中具有很多優(yōu)勢，但在使用過程中，我們需要充分了解其各項特性和參數，合理設計電路，以確保晶體管能夠穩(wěn)定、可靠地工作。大家在實際設計中有沒有遇到過類似晶體管的使用問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。