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安森美NPN小信號(hào)達(dá)林頓晶體管BSP52T1G、BSP52T3G、SBSP52T1G介紹

lhl545545 ? 2026-05-15 14:10 ? 次閱讀
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安森美NPN小信號(hào)達(dá)林頓晶體管BSP52T1G、BSP52T3G、SBSP52T1G介紹

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,晶體管是不可或缺的基礎(chǔ)元件。今天要給大家介紹安森美(onsemi)的NPN小信號(hào)達(dá)林頓晶體管BSP52T1G、BSP52T3G、SBSP52T1G,它們?cè)陂_關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,下面我們來詳細(xì)了解一下。

文件下載:BSP52T1-D.PDF

產(chǎn)品概述

這些NPN小信號(hào)達(dá)林頓晶體管主要用于開關(guān)應(yīng)用,像打印錘、繼電器、螺線管和燈驅(qū)動(dòng)器等場(chǎng)景都能看到它們的身影。它們采用SOT - 223封裝,這種封裝專為中功率表面貼裝應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

產(chǎn)品特性

封裝優(yōu)勢(shì)

SOT - 223封裝既可以使用波峰焊,也能采用回流焊進(jìn)行焊接。其成型引腳能在焊接過程中吸收熱應(yīng)力,避免芯片受損。并且,該產(chǎn)品有12mm的卷帶包裝形式。

訂購(gòu)信息

  • BSP52T1G和SBSP52T1G采用SOT - 223(無鉛)封裝,每卷1000個(gè)。
  • BSP52T3G同樣是SOT - 223(無鉛)封裝,每卷4000個(gè)。關(guān)于卷帶規(guī)格的詳細(xì)信息,可參考安森美《Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D》。

    環(huán)保特性

    這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。其中,帶S前綴的產(chǎn)品適用于汽車及其他有獨(dú)特場(chǎng)地和控制變更要求的應(yīng)用,并且通過了AEC - Q101認(rèn)證,具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)能力。其PNP互補(bǔ)型號(hào)是BSP62T1。

產(chǎn)品參數(shù)

最大額定值

額定值 符號(hào) 最大值 單位
集電極 - 發(fā)射極電壓 VCES 80 V
集電極 - 基極電壓 VCBO 90 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO 5.0 V
集電極電流 IC 1.0 A
總功率耗散(注1)@TA = 25°C
25°C以上降額
PD 0.8
6.4
W
mW/°C
總功率耗散(注2)@TA = 25°C
25°C以上降額
PD 1.25
10
W
mW/°C
工作和儲(chǔ)存溫度范圍 TJ, Tstg - 65至150 °C

注1:器件安裝在采用最小推薦焊盤的FR - 4玻璃環(huán)氧樹脂印刷電路板上。注2:器件安裝在采用1cm2焊盤的FR - 4玻璃環(huán)氧樹脂印刷電路板上。

熱特性

特性 符號(hào) 單位
熱阻(注1)結(jié)到環(huán)境 RBA 156 °C/W
熱阻(注2)結(jié)到環(huán)境 RBA 100 °C/W
焊接用最高溫度
在焊錫槽中的時(shí)間
TL 260
10
°C
Sec

電氣特性

關(guān)斷特性

特性 符號(hào) 最小值 典型值 最大值 單位
集電極 - 基極擊穿電壓(IC = 100μA,IE = 0) V(BR)CBO 90 V
發(fā)射極 - 基極擊穿電壓(IE = 10μA,IC = 0) V(BR)EBO 5.0 V
集電極 - 發(fā)射極截止電流(VCE = 80 V,VBE = 0) ICES 10 μA
發(fā)射極 - 基極截止電流(VEB = 4.0 V,IC = 0) IEBO 10 μA

導(dǎo)通特性

特性 符號(hào) 最小值 典型值 最大值 單位
直流電流增益(IC = 150 mA,VCE = 10 V)
(IC = 500 mA,VCE = 10 V)
hFE 1000
2000
-
集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(IC = 500 mA,IB = 0.5 mA) VCE(sat) 1.3 V
基極 - 發(fā)射極飽和電壓(IC = 500 mA,IB = 0.5 mA) VBE(sat) 1.9 V

開關(guān)特性

特性 符號(hào) 最小值 典型值 最大值 單位
上升時(shí)間(VCC = 10 V,IC = 150 mA,IB1 = 0.15 mA) tr 155 ns
延遲時(shí)間(VCC = 10 V,IC = 150 mA,IB1 = 0.15 mA) td 205 ns
存儲(chǔ)時(shí)間(VCC = 10 V,IC = 150 mA,IB1 = 0.15 mA,IB2 = 0.15 mA) ts 420 ns
下降時(shí)間(VCC = 10 V,IC = 150 mA,IB1 = 0.15 mA,IB2 = 0.15 mA) tf 365 ns

這里需要注意的是,產(chǎn)品參數(shù)性能是在列出的測(cè)試條件下給出的,如果在不同條件下工作,產(chǎn)品性能可能會(huì)有所不同。對(duì)于導(dǎo)通特性的測(cè)試,采用的是脈沖測(cè)試(脈沖寬度 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2.0%)。

典型特性

文檔中還給出了一些典型特性曲線,包括直流電流增益、集電極 - 發(fā)射極飽和電壓、基極 - 發(fā)射極飽和電壓、基極 - 發(fā)射極導(dǎo)通電壓、電容以及電流增益帶寬積與集電極電流的關(guān)系等曲線。這些曲線能幫助工程師更好地了解器件在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。

注意事項(xiàng)

在使用這些晶體管時(shí),要注意不要超過最大額定值表中列出的應(yīng)力,否則可能會(huì)損壞器件,影響其功能和可靠性。同時(shí),安森美提醒用戶,產(chǎn)品的“典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會(huì)有所變化,實(shí)際性能也會(huì)隨時(shí)間改變,因此所有工作參數(shù)都需要由客戶的技術(shù)專家針對(duì)每個(gè)客戶應(yīng)用進(jìn)行驗(yàn)證。另外,安森美的產(chǎn)品不設(shè)計(jì)、不打算也未獲授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、FDA 3類醫(yī)療設(shè)備或人體植入設(shè)備等關(guān)鍵應(yīng)用。

大家在實(shí)際設(shè)計(jì)中,是否會(huì)優(yōu)先考慮這款晶體管呢?在使用過程中又會(huì)遇到哪些問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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