安森美NUP2301MW6T1G:低電容二極管陣列,為數(shù)據(jù)線路ESD防護保駕護航
在電子設(shè)備的設(shè)計中,靜電放電(ESD)是一個常見且可能對敏感組件造成嚴重損害的問題。安森美(onsemi)推出的NUP2301MW6T1G和SZNUP2301MW6T1G低電容二極管陣列,為兩條數(shù)據(jù)線路提供了可靠的ESD防護解決方案。下面就為大家詳細介紹這款產(chǎn)品。
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產(chǎn)品概述
NUP2301MW6T1G是一款微型集成設(shè)備,旨在保護敏感組件免受可能有害的電氣瞬變影響,特別是ESD。它具有低電容、單封裝集成設(shè)計等特點,能夠確保數(shù)據(jù)線路的速度和完整性,同時減少組件數(shù)量和電路板空間。
產(chǎn)品特性
低電容特性
該二極管陣列的I/O線間最大電容僅為2.0 pF,低電容特性對于高速數(shù)據(jù)線路至關(guān)重要,它能夠減少信號的衰減和失真,確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣群屯暾?。在高速?shù)據(jù)傳輸應(yīng)用中,低電容可以降低信號的延遲,提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏蚀_性。
單封裝集成設(shè)計
采用單封裝集成設(shè)計,將多個保護二極管集成在一個封裝內(nèi),不僅減少了組件數(shù)量,還節(jié)省了電路板空間。這對于空間有限的設(shè)計,如便攜式設(shè)備和高密度電路板,具有很大的優(yōu)勢。
符合多種ESD防護標準
- JEDEC標準:滿足JESD22標準,其中機器模型為Class C,人體模型為Class 3B,能夠有效抵御不同類型的ESD沖擊。
- IEC61000 - 4 - 2標準:提供IEC61000 - 4 - 2(Level 4)防護,接觸放電8.0 kV,空氣放電15 kV,為設(shè)備提供了可靠的ESD防護。
其他特性
- 能夠?qū)⑺矐B(tài)引導到正側(cè)或接地,確保設(shè)備的安全運行。
- SZ前綴適用于汽車和其他有獨特場地和控制變更要求的應(yīng)用,并且符合AEC - Q101標準,具備生產(chǎn)件批準程序(PPAP)能力。
- 該產(chǎn)品為無鉛器件,符合環(huán)保要求。
應(yīng)用領(lǐng)域
該二極管陣列適用于多種應(yīng)用場景,包括但不限于:
- 通信領(lǐng)域:T1/E1、T3/E3、HDSL、IDSL等二次IC保護,確保通信設(shè)備在復雜的電磁環(huán)境中穩(wěn)定運行。
- 視頻領(lǐng)域:視頻線路保護,保護視頻信號的傳輸質(zhì)量,避免ESD對視頻信號的干擾。
- 控制領(lǐng)域:微控制器輸入保護,防止ESD對微控制器造成損壞,提高系統(tǒng)的可靠性。
- 基站應(yīng)用:基站中的I2C總線保護,確?;驹O(shè)備的正常通信。
產(chǎn)品參數(shù)
最大額定值
| 在 $T_J = 25^{circ}C$ 條件下,每個二極管的最大額定值如下: | 參數(shù) | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 反向電壓 | $V_R$ | 70 | Vdc | |
| 正向電流 | $I_F$ | 200 | mAdc | |
| 峰值正向浪涌電流 | $I_{FM(surge)}$ | 500 | - | |
| 重復峰值反向電壓 | - | 70 | - | |
| 平均整流正向電流(20 ms內(nèi)平均) | $I_{FRM}$ | 715 | mA | |
| 非重復峰值正向電流($t = 1.0 μs$ 和 $t = 1.0 ms$) | $I_{FSM}$ | 2.0、1.0 | A |
需要注意的是,超過最大額定值可能會損壞設(shè)備,影響其功能和可靠性。
熱特性
| 特性 | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 引腳焊接溫度(最大10秒持續(xù)時間) | $T_L$ | 260 | $^{circ}C$ |
| 結(jié)溫 | - | - | - |
| 儲存溫度 | - | - | $^{circ}C$ |
電氣特性
| 在 $T_J = 25^{circ}C$ 條件下,每個二極管的電氣特性如下: | 特性 | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 反向擊穿電壓 | $V_{(BR)}$ | 70 | - | - | Vdc | |
| 反向電壓泄漏電流($V_R = 70 Vdc$,$T_J = 150^{circ}C$) | $I_R$ | - | - | 2.5、30 | - | |
| 電容(I/O引腳間,$V_R = 0 V$,$f = 1.0 MHz$) | $C_D$ | - | 1.0、1.6 | 2.0、3 | pF | |
| 正向電壓($I_F = 1.0 mAdc$、$10 mAdc$、$50 mAdc$、$150 mAdc$) | $V_F$ | - | - | 1000、1250 | - | |
| 系統(tǒng)內(nèi)接觸放電 | $V_{ESD}$ | - | - | - | kV |
產(chǎn)品的參數(shù)性能在所列測試條件下有效,如果在不同條件下運行,性能可能會有所不同。
封裝信息
產(chǎn)品采用SC - 88封裝,為無鉛封裝,每盤3000個,采用帶盤包裝。對于帶盤規(guī)格的詳細信息,可參考安森美的Tape and Reel Packaging Specification Brochure(BRD8011/D)。
總結(jié)
安森美NUP2301MW6T1G和SZNUP2301MW6T1G低電容二極管陣列以其低電容、高防護性能和單封裝集成設(shè)計,為電子設(shè)備的數(shù)據(jù)線路提供了可靠的ESD防護解決方案。在實際設(shè)計中,電子工程師可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求和設(shè)計要求,合理選擇和使用該產(chǎn)品,以提高設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。大家在使用這款產(chǎn)品的過程中,有沒有遇到過什么問題或者有什么獨特的應(yīng)用經(jīng)驗?zāi)??歡迎在評論區(qū)分享交流。
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