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探索EVAL - 1EDC20H12AH - SIC評估板:助力功率電子設(shè)計

chencui ? 2026-05-18 11:40 ? 次閱讀
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探索EVAL - 1EDC20H12AH - SIC評估板:助力功率電子設(shè)計

在功率電子設(shè)計領(lǐng)域,一款優(yōu)秀的評估板能為工程師們提供寶貴的實踐經(jīng)驗和技術(shù)支持。今天,我們就來深入了解一下英飛凌的EVAL - 1EDC20H12AH - SIC評估板,看看它是如何幫助我們探索EiceDRIVER?和CoolSiC? MOSFET的功能與性能的。

文件下載:EVAL1EDC20H12AHSIC.pdf

評估板概述

EVAL - 1EDC20H12AH - SIC評估板旨在展示英飛凌EiceDRIVER? 1EDC20H12AH或1EDI20H12AH與CoolSiC? MOSFET IMZ120R045M1的功能和關(guān)鍵特性。該評估板尺寸為(85 × 55 × 30 ~mm^{3}),適用于雙脈沖測試。不過,如果要進行連續(xù)操作測試,用戶需要自行添加散熱片,并建議在高壓電源處添加額外的阻塞電容

評估板有兩種不同的柵極驅(qū)動器可供選擇:1EDC20H12AH提供UL1577認證,而1EDI20H12AH是功能性絕緣變體,其他組件和功能相同。板上還包含短路保護功能,能在短路事件發(fā)生后約1.5 μs內(nèi)關(guān)閉CoolSiC? MOSFET。

電氣特性

1. 關(guān)鍵特性

  • 雙柵極驅(qū)動器:評估板包含兩個柵極驅(qū)動器,可驅(qū)動半橋配置中的兩個SiC MOSFET開關(guān)。
  • 過流信息傳輸:額外的柵極驅(qū)動器用于通過隔離屏障將過流信息從功率高壓側(cè)傳輸?shù)降蛪狠斎雮?cè)。
  • 支持電路:板上集成了電壓調(diào)節(jié)器和DC - DC轉(zhuǎn)換器等支持電路,方便在實驗室中使用。DC - DC轉(zhuǎn)換器為每個SiC MOS驅(qū)動器級提供電氣隔離的電源電壓。

2. 電源電壓、工作條件和絕對最大額定值

評估板適用于實驗室中的雙脈沖測試,功率耗散有限。用戶需要添加適當(dāng)?shù)碾娙菀源_保穩(wěn)定的電源電壓。在連續(xù)操作時,還需為CoolSiC? MOSFET IMZ120R045M1添加足夠的散熱片,并確保散熱片之間相互隔離,與電容保持安全距離,避免高壓下產(chǎn)生電弧。

評估板有兩種供電模式:VCC1 = 5 V和VCC1 = 3.3 V,具體參數(shù)可參考文檔中的表格。

3. 啟動步驟

啟動評估板需要按照以下步驟進行:

  1. 連接器J4.1處提供+16 V的+15V電源,并將電源GND連接到連接器J4.2。
  2. 紅色LED4亮起。
  3. 按下S1復(fù)位錯誤觸發(fā)器。
  4. 紅色LED4熄滅,黃色LED3亮起。
  5. 將數(shù)字驅(qū)動設(shè)備連接到數(shù)字接口連接器CON1,IN_T連接到引腳6,IN_B連接到引腳8。
  6. 將高壓電源連接到連接器J1.1或J1.2,HV GND連接到J3.2,并在J1.1到J3.2之間添加一個大于(100 mu F)的外部電容以穩(wěn)定電源電壓。
  7. 根據(jù)測試需求將電感負載連接到J2.1,并將負載的另一側(cè)連接到相應(yīng)節(jié)點。
  8. 評估板準(zhǔn)備好進行測試。

4. 過流保護

評估板配備了過流保護功能,通過測量分流電阻R18兩端的電壓來檢測電流。檢測電路將測量到的電壓經(jīng)過低通濾波器R17和C21后,與由電壓分壓器R11和R19定義的參考電壓進行比較。過流觸發(fā)點約為32 A,可通過更改R18和/或調(diào)整參考電壓分壓器R11和R19來適應(yīng)客戶需求。

當(dāng)檢測到過流時,輸出信號將通過IC3傳輸?shù)降蛪河?,觸發(fā)觸發(fā)器并存儲過流事件。觸發(fā)器觸發(fā)后,通過ENABLE信號關(guān)閉兩個柵極驅(qū)動器,并通過FAULT信號向數(shù)字接口連接器報告過流事件,同時點亮LED4。要恢復(fù)正常操作,只需按下S1復(fù)位觸發(fā)器,LED4熄滅,LED3亮起。

5. 引腳分配

評估板有多個連接器,用于為板提供電源和輸入/輸出不同信號。具體的引腳分配可參考文檔中的表格。

原理圖

評估板的原理圖分為三個部分:

1. 柵極驅(qū)動器原理圖

包含半橋配置的高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器,以及過流檢測和保護電路、電壓調(diào)節(jié)器和反饋路徑。每個柵極驅(qū)動器有兩個輸入:非反相輸入IN+和反相輸入IN - ,分別用于開啟和關(guān)閉相應(yīng)的SiC MOSFET。

2. 電源原理圖

展示了用于生成高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器隔離電源的DC - DC轉(zhuǎn)換器。通過變壓器TR1實現(xiàn)電氣隔離,可通過改變變壓器的匝數(shù)比或輸入電壓來調(diào)整柵極驅(qū)動器的電源電壓。

3. 接口原理圖

包含5 V調(diào)節(jié)器IC6、10引腳數(shù)字接口連接器、復(fù)位按鈕S1和錯誤觸發(fā)器。錯誤觸發(fā)器用于在實驗室評估期間保護評估板,在實際應(yīng)用中可能不需要。

PCB布局

為了展示所使用組件的卓越性能,評估板采用了特殊的PCB布局。主要優(yōu)化了柵極驅(qū)動器與SiC MOS晶體管之間的交互,以及高功率電源、負載和電源GND的電流路徑。同時,對DC - DC轉(zhuǎn)換器、過流檢測電路和所有電路部分的電源供應(yīng)也進行了優(yōu)化。

物料清單

文檔中列出了評估板使用的所有組件,包括電容、電阻、二極管、集成電路、晶體管等。詳細的物料清單信息可幫助工程師更好地了解評估板的組成和選型。

總結(jié)

EVAL - 1EDC20H12AH - SIC評估板為工程師們提供了一個全面的平臺,用于評估英飛凌EiceDRIVER?和CoolSiC? MOSFET的性能。通過了解其電氣特性、原理圖、PCB布局和物料清單,工程師們可以更好地利用該評估板進行功率電子設(shè)計和測試。你在使用類似評估板時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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