在人工智能浪潮席卷半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的背景下，韓國(guó)三星電子正憑借一項(xiàng)目前尚處于研發(fā)階段的獨(dú)創(chuàng)封裝技術(shù)，嘗試將此前長(zhǎng)期局限于服務(wù)器市場(chǎng)和高端AI芯片領(lǐng)域的高帶寬內(nèi)存（HBM），首次引入智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)終端。

當(dāng)前全球內(nèi)存市場(chǎng)持續(xù)呈現(xiàn)供不應(yīng)求態(tài)勢(shì)，三星憑借既有業(yè)務(wù)斬獲了可觀的利潤(rùn)回報(bào)，同時(shí)也不愿錯(cuò)失任何新興市場(chǎng)機(jī)遇，迅速切入了移動(dòng)端HBM這一尚處早期階段的技術(shù)賽道。按照三星的產(chǎn)品規(guī)劃，該公司正致力于為手機(jī)和平板量身定制適配版HBM技術(shù)方案，以求從根本上規(guī)避傳統(tǒng)方案在移動(dòng)場(chǎng)景下所面臨的空間占用過(guò)大以及功耗過(guò)高等突出弊端。

在傳統(tǒng)架構(gòu)中，移動(dòng)設(shè)備所采用的內(nèi)存主要依賴銅線鍵合工藝，其I/O引腳數(shù)量長(zhǎng)期被限制在128個(gè)至256個(gè)之間。在這一架構(gòu)約束下，信號(hào)損耗問(wèn)題尤為突出，進(jìn)一步提升運(yùn)行效率和精確控制設(shè)備發(fā)熱均面臨顯著障礙。

為破解這一瓶頸，據(jù)韓國(guó)《電子新聞》援引的行業(yè)信息，三星計(jì)劃在移動(dòng)端HBM芯片中引入超高縱橫比銅柱結(jié)構(gòu)，并配合扇出型晶圓級(jí)封裝（FOWLP）工藝，將HBM內(nèi)存成功地搭載至手機(jī)與平板設(shè)備當(dāng)中。值得注意的是，這一封裝方案與三星即將推出的Exynos 2600等旗艦級(jí)手機(jī)處理器所采用的復(fù)雜封裝方式完全相同，能夠顯著強(qiáng)化芯片在高負(fù)載工作環(huán)境下的耐熱能力，并有效提升設(shè)備在持續(xù)高強(qiáng)度運(yùn)行狀態(tài)中的性能穩(wěn)定性。

截至目前，該技術(shù)仍處于三星內(nèi)部的秘密研發(fā)階段，移動(dòng)端HBM內(nèi)存正式投入商用的具體時(shí)間尚未對(duì)外確定。