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探索 onsemi PZT2907A PNP 硅外延晶體管:特性、參數(shù)與應(yīng)用

lhl545545 ? 2026-05-18 14:25 ? 次閱讀
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探索 onsemi PZT2907A PNP 硅外延晶體管:特性、參數(shù)與應(yīng)用

在電子設(shè)計領(lǐng)域,晶體管是構(gòu)建各種電路的基礎(chǔ)元件之一。今天我們要深入了解的是 onsemi 公司的 PZT2907A PNP 硅外延晶體管,它在線性和開關(guān)應(yīng)用中有著廣泛的用途。

文件下載:PZT2907AT1-D.PDF

產(chǎn)品概述

PZT2907A 是一款 PNP 硅外延晶體管,采用 SOT - 223 封裝,這種封裝專為中功率表面貼裝應(yīng)用而設(shè)計。它的 NPN 互補型號是 PZT2222AT1。該晶體管具有諸多特點,使其在電子設(shè)計中具有一定的優(yōu)勢。

封裝優(yōu)勢

  • 焊接方式靈活:SOT - 223 封裝可以使用波峰焊或回流焊進(jìn)行焊接,為生產(chǎn)工藝提供了更多選擇。
  • 安裝與散熱良好:這種封裝能夠確保水平安裝,從而改善熱傳導(dǎo)性能。同時,還允許對焊接接頭進(jìn)行目視檢查,方便質(zhì)量檢測。
  • 應(yīng)力吸收:成型引腳在焊接過程中能夠吸收熱應(yīng)力,避免芯片受損。
  • 符合標(biāo)準(zhǔn):帶有 S 前綴的型號適用于汽車和其他有特殊場地和控制變更要求的應(yīng)用,并且通過了 AEC - Q101 認(rèn)證,具備 PPAP 能力。此外,這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。

關(guān)鍵參數(shù)

最大額定值

額定值 符號 單位
集電極 - 發(fā)射極電壓 (V_{CEO}) - 60 (V_{dc})
集電極 - 基極電壓 (V_{CBO}) - 60 (V_{dc})
發(fā)射極 - 基極電壓 (V_{EBO}) - 5.0 (V_{dc})
集電極連續(xù)電流 (I_{C}) - 600 (m{A{dc}})

需要注意的是,超過最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會損壞器件。如果超過這些限制,不能保證器件的功能,可能會造成損壞并影響可靠性。

熱特性

符號 最大值 單位
總器件功耗(注 1) (P_{D}) 1.5 (mW/^{circ}C)
(注 1) (R_{BA}) 83.3 (^{circ}C/W)
焊接時引腳溫度(距外殼 0.0625",在焊錫浴中的時間) (T_{L}) 10
(T{J}, T{stg}) - 65 到 (^{circ}C)

注 1:FR - 4 板,銅面積為 (713 mm^{2}),含 1 oz 銅。

電氣特性

截止特性

特性 符號 最小值 最大值 單位
集電極 - 基極擊穿電壓 - 60 (V_{dc})
集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓 (V_{(BR)CEO}) - 60
發(fā)射極 - 基極擊穿電壓 (V_{(BR)EBO}) (V_{dc})
集電極 - 基極截止電流((V{CB} = - 50V{dc}, I_{E} = 0)) (I_{CBO}) - - 10
集電極 - 發(fā)射極截止電流((V{CE} = - 30V{dc}, V{BE} = 0.5V{dc})) (I_{CEX}) - - 50 (nA_{dc})
基極 - 發(fā)射極截止電流 (I_{BEX})

導(dǎo)通特性

條件 符號 最小值 最大值 單位
直流電流增益((I{C} = - 0.1 mA{dc}, V{CE} = - 10 V{dc})) (h_{FE}) 75
((I{C} = - 1.0 mA{dc}, V{CE} = - 10 V{dc})) 100
((I{C} = - 10 mA{dc}, V{CE} = - 10 V{dc})) 100
((I{C} = - 150 mA{dc}, V{CE} = - 10 V{dc})) 100 300
((I{C} = - 500 mA{dc}, V{CE} = - 10 V{dc})) 50
集電極 - 發(fā)射極飽和電壓((I{C} = - 150 mA{dc}, I{B} = - 15 mA{dc});(I{C} = - 500 mA{dc}, I{B} = - 50 mA{dc})) (V_{CE(sat)}) - 0.4 - 1.6 (V_{dc})
基極 - 發(fā)射極飽和電壓((I{C} = - 150 mA{dc}, I{B} = - 15 mA{dc});(I{C} = - 500 mA{dc}, I{B} = - 50 mA{dc})) (V_{BE(sat)}) - 1.3 - 2.6 (V_{dc})

動態(tài)特性

特性 符號 最小值 最大值 單位
電流增益 - 帶寬乘積((I{C} = - 50 mA{dc}, V{CE} = - 20 V{dc}, f = 100 MHz)) (f_{T}) 200 (MHz)
輸出電容((V{CB} = - 10 V{dc}, I_{E} = 0, f = 1.0 MHz)) (C_{c}) 8.0 (pF)
輸入電容((V{EB} = - 2.0 V{dc}, I_{C} = 0, f = 1.0 MHz)) (C_{e}) 30 (pF)

開關(guān)時間

時間 條件 符號 最小值 最大值 單位
開啟時間 ((V{CC} = - 30 V{dc}, I{C} = - 150 mA{dc}, I{B1} = - 15 mA{dc})) (t_{on}) 45 (ns)
延遲時間 (t_muikaa0wy) 10
上升時間 (t_{r}) 40
關(guān)斷時間 ((V{CC} = - 6.0 V{dc}, I{C} = - 150 mA{dc}, I{B1} = I{B2} = - 15 mA_{dc})) (t_{off}) 100 (ns)
存儲時間 (t_{s}) 80
下降時間 (t_{f}) 30

注 2:脈沖測試:脈沖寬度 ≤ 300 μs,占空比 ≤ 2.0%。

訂購信息

器件 封裝 包裝
PZT2907AT1G SOT - 223(無鉛) 1,000 / 卷帶
SPZT2907AT1G SOT - 223(無鉛) 1,000 / 卷帶
PZT2907AT3G SOT - 223(無鉛) 4,000 / 卷帶

對于卷帶規(guī)格的詳細(xì)信息,包括元件方向和卷帶尺寸,請參考《Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D》。如需了解無鉛策略和焊接細(xì)節(jié),請下載《onsemi Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D》。

思考與應(yīng)用

作為電子工程師,在選擇晶體管時,我們需要綜合考慮器件的各種參數(shù)和特性。PZT2907A 的這些特性使其適用于哪些具體的線性和開關(guān)應(yīng)用呢?在實際設(shè)計中,我們又該如何根據(jù)這些參數(shù)來優(yōu)化電路性能呢?這些都是值得我們深入思考的問題。希望通過對 PZT2907A 的了解,能為大家在電子設(shè)計中提供一些參考和思路。

如果你對 onsemi 的其他產(chǎn)品或技術(shù)文檔感興趣,可以通過以下途徑獲取更多信息:

  • 技術(shù)文獻(xiàn):技術(shù)庫:www.onsemi.com/design/resources/technical - documentation;onsemi 網(wǎng)站:www.onsemi.com
  • 在線支持:www.onsemi.com/support
  • 如需更多信息,請通過 www.onsemi.com/support/sales 聯(lián)系當(dāng)?shù)劁N售代表。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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