解析onsemi PZT651 NPN硅平面外延晶體管

在電子工程師的日常設計工作中，晶體管是非常基礎且關鍵的元件。今天我們一起深入了解 onsemi 推出的 PZT651 NPN 硅平面外延晶體管，看看它在設計應用中能帶來哪些便利和優(yōu)勢。

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產(chǎn)品概述

PZT651 是一款專為工業(yè)和消費應用設計的 NPN 硅外延晶體管。它采用 SOT?223 封裝，這種封裝專為中等功率表面貼裝應用打造，具有顯著優(yōu)點。一方面，它能確保水平安裝，從而改善熱傳導性能；另一方面，方便對焊點進行目視檢查。此外，成型引腳可在焊接過程中吸收熱應力，避免芯片受損。

產(chǎn)品特性

高電流特性

PZT651 具備高電流能力，其 SOT?223 封裝支持波峰焊或回流焊工藝，方便工程師在不同的焊接場景中使用。同時，它有 PNP 互補型號 PZT751T1G，為電路設計提供了更多的選擇。

應用前綴與認證

產(chǎn)品帶有 S 前綴，適用于汽車及其他有獨特場地和控制變更要求的應用。并且它通過了 AEC?Q101 認證，具備生產(chǎn)件批準程序（PPAP）能力，這意味著它在質(zhì)量和可靠性上達到了較高的標準，能滿足汽車等對安全性和穩(wěn)定性要求極高的應用場景。

環(huán)保特性

該晶體管是無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑的，并且符合 RoHS 標準，響應了環(huán)保的趨勢，也滿足了相關法規(guī)的要求。

關鍵參數(shù)

最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值表中列出的應力可能會損壞器件。如果超過這些限制，不能保證器件的功能正常，可能會造成損壞并影響可靠性。并且這里的功率耗散是在器件安裝在使用最小推薦焊盤的 FR - 4 玻璃環(huán)氧印刷電路板上的情況。

熱特性

電氣特性

截止特性

• 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓（$I{C}= 10 mAdc$，$I{B}=0$）：$V_{(BR)CEO}$ 最小為 60 Vdc。
• 集電極 - 基極擊穿電壓（$I{C}= 100mu Adc$，$I{E}=0$）：$V_{(BR)CBO}$ 最小為 80 Vdc。
• 發(fā)射極 - 基極擊穿電壓（$I{E}= 10 mu Adc$，$I{C} =0$）：$V_{(BR)EBO}$ 最小為 5.0 Vdc。
• 基極 - 發(fā)射極截止電流（$V{EB} = 4.0 Vdc$）：$I{EBO}$ 最大為 0.1 uAdc。
• 集電極 - 基極截止電流（$V{CB}=80Vdc$，$I{E}=0$）：$I_{CBO}$ 最大為 100 nAdc。

導通特性

• 直流電流增益（$I{C}=50 mAdc$，$V{CE}=2.0Vdc$ 等不同條件）：$h_{FE}$ 在不同電流下有不同的取值范圍。
• 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓（$I{C}=2.0 Adc$，$I{B}=200 mAdc$ 等）：$V_{CE(sat)}$ 有不同的最大值。
• 基極 - 發(fā)射極電壓（$I{C}=1.0 Adc$，$V{CE}=2.0 Vdc$）：$V_{BE(on)}$ 最大為 1.0 Vdc。
• 基極 - 發(fā)射極飽和電壓（$I{C}=1.0 Adc$，$I{B}=100 mAdc$）：$V_{BE(sat)}$ 最大為 1.2 Vdc。
• 電流增益 - 帶寬（$I{C}=50 mAdc$，$V{CE}=5.0 Vdc$，$f=100 MHz$）：$f_{T}$ 最小為 75 MHz。

這里需要注意的是，產(chǎn)品的參數(shù)性能是在列出的測試條件下給出的，如果在不同條件下運行，產(chǎn)品性能可能無法通過電氣特性體現(xiàn)。并且對于導通特性的測試是脈沖測試，脈沖寬度 ≤300 μs，占空比 =2.0 %。

訂購信息

如果需要了解帶盤規(guī)格的詳細信息，包括元件方向和帶盤尺寸等，可以參考其帶盤包裝規(guī)格手冊 BRD8011/D。

在實際的電路設計中，電子工程師們需要根據(jù)具體的應用場景和要求，綜合考慮 PZT651 的各項特性和參數(shù)，以確保設計出的電路能夠穩(wěn)定、可靠地運行。大家在使用這款晶體管的過程中，有沒有遇到過什么特別的問題或者有什么獨特的應用經(jīng)驗呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。