在適配器設(shè)計(jì)領(lǐng)域，成本控制與能效提升始終是工程師的核心追求。隨著第三代半導(dǎo)體技術(shù)成熟，碳化硅（SiC）器件正逐步替代傳統(tǒng)硅基MOS，打破“高性能=高成本”的行業(yè)固有認(rèn)知。本文基于芯茂微SiC反激方案，通過(guò)24W、30W、36W三款主流功率適配器實(shí)測(cè)， 量化對(duì)比SiC方案與傳統(tǒng)MOS方案的BOM成本差異 ，拆解降本核心邏輯，為電源設(shè)計(jì)選型提供硬核參考。

一、測(cè)試方案與平臺(tái)說(shuō)明

本次實(shí)測(cè)采用芯茂微 SiC反激專(zhuān)用方案 （PSR/SSR架構(gòu)），對(duì)照組為同功率傳統(tǒng)CoolMOS方案，測(cè)試條件貼合量產(chǎn)場(chǎng)景：

• 功率覆蓋： 24W、30W、36W （消費(fèi)電子適配器主流功率段）；
• 能效標(biāo)準(zhǔn)：滿足 7級(jí)能效 （行業(yè)嚴(yán)苛能效要求）；
• 核心控制器：SiC方案采用芯茂微LP3798系列（PSR）/LP8841系列（SSR），傳統(tǒng)方案采用通用硅基MOS控制器；
• 對(duì)比維度：變壓器、同步器件、線材、外圍架構(gòu)（光耦/431）、散熱器件五大核心BOM項(xiàng)。

二、24W適配器成本實(shí)測(cè)：PSR+SSR雙架構(gòu)驗(yàn)證

2.1 PSR架構(gòu)對(duì)比（傳統(tǒng)MOS vs SiC MOS）

24W PSR架構(gòu)是充電器、安防適配器的主流方案，實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)如下：

（左：傳統(tǒng)MOS方案PCB；右：SiC MOS方案PCB）

2.2 SSR架構(gòu)對(duì)比（傳統(tǒng)MOS vs SiC MOS）

24W SSR架構(gòu)適用于對(duì)穩(wěn)定性要求高的網(wǎng)通設(shè)備，成本優(yōu)化更顯著：

（SiC MOS方案PCB，器件布局更緊湊）

三、30W適配器成本實(shí)測(cè)：SSR架構(gòu)降本峰值

30W是快充適配器的黃金功率段，SiC方案在此功率段降本效果達(dá)到峰值：

（30W SiC方案PCB，體積較傳統(tǒng)方案縮減30%）

四、36W適配器成本實(shí)測(cè)：中功率段降本穩(wěn)定

36W適配器多用于顯示器、電動(dòng)工具，SiC方案在中功率段保持穩(wěn)定降本：

五、SiC方案系統(tǒng)性降本邏輯拆解

從實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)可見(jiàn)，SiC方案并非單一器件降價(jià)，而是 系統(tǒng)級(jí)全鏈路降本 ，核心邏輯可總結(jié)為4點(diǎn)：

1. 同步器件耐壓降檔 ：SiC低損耗特性允許同步MOS耐壓從85V降至60V，單器件節(jié)省0.2-0.3元；
2. 變壓器小型化 ：SiC高頻特性（100KHz定頻）讓變壓器型號(hào)、體積、AE值降檔，節(jié)省0.3-0.5元，同時(shí)銅線用量減少，對(duì)沖銅價(jià)上漲壓力；
3. 線材規(guī)格降級(jí) ：損耗降低使發(fā)熱減少，線材可減小一號(hào)規(guī)格，節(jié)省0.2-0.3元；
4. 散熱與架構(gòu)簡(jiǎn)化 ：SiC耐高溫、低發(fā)熱特性可 取消散熱片 （節(jié)省0.2-0.3元）；部分SSR方案可省去光耦、431等器件，進(jìn)一步簡(jiǎn)化BOM。

綜合來(lái)看， 同功率下SiC方案較傳統(tǒng)MOS方案，BOM成本穩(wěn)定節(jié)省0.7-1.2元 ，功率越高，降本幅度越可觀。

六、性能與體積雙優(yōu)，不止于降本

除了成本優(yōu)勢(shì)，芯茂微SiC方案在性能與體積上同樣實(shí)現(xiàn)突破：

• 體積減少30% ：變壓器小型化+器件集成化，PCB面積顯著縮減，適配產(chǎn)品小型化趨勢(shì)；
• 高轉(zhuǎn)換效率 ：SiC超低開(kāi)關(guān)損耗，系統(tǒng)效率提升3%-5%，輕松滿足7級(jí)能效，降低長(zhǎng)期使用能耗；
• 功率覆蓋廣 ：芯茂微SiC方案覆蓋12W-300W功率段，LP3798系列（PSR）適配12W-200W，LP8841系列（SSR）適配60W-300W，滿足多場(chǎng)景需求。

七、總結(jié)：SiC成為適配器降本增效最優(yōu)解

本次24W-36W適配器實(shí)測(cè)充分驗(yàn)證： SiC替代傳統(tǒng)MOS，不是“高端升級(jí)”，而是“降維替代” 。在銅價(jià)高企、能效標(biāo)準(zhǔn)升級(jí)的當(dāng)下，芯茂微SiC反激方案以系統(tǒng)成本降10%、體積減30%、能效達(dá)7級(jí)的核心優(yōu)勢(shì)，完美解決電源廠商“成本與性能不可兼得”的痛點(diǎn)。

對(duì)于充電器、安防監(jiān)控、網(wǎng)通設(shè)備、電動(dòng)工具等領(lǐng)域的工程師，SiC方案已從“可選技術(shù)”變?yōu)椤氨剡x方案”。未來(lái)，隨著國(guó)產(chǎn)化SiC生態(tài)進(jìn)一步成熟，SiC器件成本將持續(xù)下探，有望在更多功率段全面替代傳統(tǒng)MOS，重構(gòu)電源行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局。

審核編輯 黃宇