解析 onsemi NST847BF3T5G NPN通用晶體管

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，晶體管是不可或缺的基礎(chǔ)元件。今天我們就來(lái)深入了解一下 onsemi 推出的 NST847BF3T5G NPN 通用晶體管，看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。

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產(chǎn)品概述

NST847BF3T5G 是 onsemi 熱門的 SOT - 23/SOT - 323/SOT - 563/SOT - 963 三引腳器件的衍生產(chǎn)品。它采用 SOT - 1123 表面貼裝封裝，專為通用放大器應(yīng)用而設(shè)計(jì)，非常適合對(duì)電路板空間要求苛刻的低功耗表面貼裝應(yīng)用。

產(chǎn)品特性

高電流增益

該晶體管的 hFE（直流電流增益）范圍在 200 - 450 之間，能夠?yàn)殡娐诽峁┓€(wěn)定且較高的電流放大能力，在信號(hào)放大等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。這意味著在設(shè)計(jì)放大器電路時(shí)，我們可以更靈活地調(diào)整電路的增益，以滿足不同的設(shè)計(jì)需求。

低飽和電壓

其集電極 - 發(fā)射極飽和電壓 (V_{CE(sat)}) ≤ 0.25 V，這一特性有助于降低功耗，提高電路的效率。在一些對(duì)功耗要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景中，如電池供電的設(shè)備，低飽和電壓可以延長(zhǎng)電池的使用壽命。

節(jié)省電路板空間

SOT - 1123 封裝設(shè)計(jì)使得該晶體管占用的電路板空間更小，對(duì)于那些對(duì)空間要求嚴(yán)格的設(shè)計(jì)，如小型便攜式設(shè)備，能夠有效提高電路板的集成度。

無(wú)鉛環(huán)保

NST847BF3T5G 是無(wú)鉛器件，符合環(huán)保要求，滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)綠色環(huán)保的需求。

電氣參數(shù)

最大額定值

在實(shí)際應(yīng)用中，我們必須確保電路中的電壓和電流不超過(guò)這些最大額定值，否則可能會(huì)損壞器件，影響電路的可靠性。

電氣特性

在 (T_{A}=25^{circ} C) 的條件下，該晶體管還具有以下重要的電氣特性：

• 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓：在 (I{C}=10 mu A)，(V{EB}=0) 時(shí)，為 50 V。
• 發(fā)射極 - 基極擊穿電壓：在 (I_{E}=1.0 mu A) 時(shí)，有相應(yīng)的參數(shù)。
• 集電極截止電流 (I_{CBO})：在 (V_{CB} = 30 V) 時(shí)，最大為 5.0 aA。

導(dǎo)通特性

• 直流電流增益 (h_{FE})：在 (I{C}= 10mu A)，(V{CE} = 5.0V) 和 (I{C}=2.0 ~mA)，(V{CE}=5.0 ~V) 時(shí)，范圍在 150 - 450 之間。
• 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓 (V_{CE(sat)})：在 (I{C}=10 ~mA)，(I{B}=0.5 ~mA) 和 (I{C}=100 ~mA)，(I{B}=5.0 ~mA) 時(shí)，最大為 0.25 V。
• 基極 - 發(fā)射極飽和電壓：在 (I{C}=10 ~mA)，(I{B}=0.5 ~mA) 時(shí)，為 0.9 V。
• 基極 - 發(fā)射極電壓 (V_{BE(on)})：在 (I{C}=2.0 ~mA)，(V{CE}=5.0 ~V) 和 (I{C}=10mA)，(V{CE}=5.0V) 時(shí)有相應(yīng)表現(xiàn)。

小信號(hào)特性

• 電流增益 - 帶寬積 (f_{T})：在 (I{C}=10 ~mA)，(V{CE}=5.0 Vdc)，(f = 100 MHz) 時(shí)，為 100 MHz。
• 輸出電容 (C_{obo})：在 (V_{CB}=10 ~V)，(f = 1.0 MHz) 時(shí)，有相應(yīng)參數(shù)。
• 輸入電容 (C_{ibo})：在 (V{EB}=0.5 ~V)，(I{C}=0 ~mA)，(f = 1.0 MHz) 時(shí)，有相應(yīng)參數(shù)。
• 噪聲系數(shù) (NF)：在 (I{C}=0.2 ~mA)，(V{CE}=5.0 Vdc)，(R_{S}=2.0 k Omega)，(f = 1.0 kHz)，(BW = 200 ~Hz) 時(shí)，最大為 10 dB。

這些參數(shù)對(duì)于我們?cè)O(shè)計(jì)高頻電路、低噪聲電路等具有重要的參考價(jià)值。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景，合理選擇和調(diào)整這些參數(shù)，以確保電路的性能達(dá)到最佳。

熱特性

注 1：分別對(duì)應(yīng) 100 (mm^2) 1 oz 銅走線和 500 (mm^2) 1 oz 銅走線的情況。

熱特性對(duì)于晶體管的可靠性和穩(wěn)定性至關(guān)重要。在設(shè)計(jì)電路時(shí)，我們需要根據(jù)這些熱參數(shù)，合理設(shè)計(jì)散熱措施，確保晶體管在工作過(guò)程中不會(huì)因?yàn)檫^(guò)熱而損壞。

封裝與訂購(gòu)信息

封裝尺寸

NST847BF3T5G 采用 SOT - 1123 封裝，其尺寸為 0.80x0.60x0.37，引腳間距為 0.35P。在進(jìn)行電路板設(shè)計(jì)時(shí)，我們需要嚴(yán)格按照封裝尺寸進(jìn)行布局，以確保晶體管能夠正確安裝和焊接。

訂購(gòu)信息

在訂購(gòu)時(shí)，我們需要注意封裝和包裝方式是否符合我們的需求。同時(shí)，對(duì)于卷帶包裝的規(guī)格，如零件方向和卷帶尺寸等信息，可以參考 onsemi 的 Tape and Reel Packaging Specification 手冊(cè)（BRD8011/D）。

總結(jié)

onsemi 的 NST847BF3T5G NPN 通用晶體管憑借其高電流增益、低飽和電壓、節(jié)省空間和無(wú)鉛環(huán)保等特性，在通用放大器應(yīng)用和低功耗表面貼裝應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢(shì)。電子工程師在設(shè)計(jì)相關(guān)電路時(shí)，可以根據(jù)其電氣參數(shù)和熱特性，合理選擇和使用該晶體管，以實(shí)現(xiàn)電路的高性能和可靠性。

大家在實(shí)際應(yīng)用中，是否遇到過(guò)晶體管參數(shù)選擇不當(dāng)導(dǎo)致電路性能不佳的情況呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。