Onsemi 20V、4.0A低VCE(sat) PNP晶體管：NSS20200LT1G與NSV20200LT1G的技術(shù)解析

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，晶體管是不可或缺的基礎(chǔ)元件。今天，我們來深入探討Onsemi推出的兩款20V、4.0A低VCE(sat) PNP晶體管——NSS20200LT1G和NSV20200LT1G，看看它們有哪些獨(dú)特之處和應(yīng)用場景。

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產(chǎn)品概述

Onsemi的e2PowerEdge系列低VCE(sat)晶體管屬于微型表面貼裝器件，具有超低飽和電壓（VCE(sat)）和高電流增益能力。這使得它們非常適合用于低壓、高速開關(guān)應(yīng)用，在這些應(yīng)用中，經(jīng)濟(jì)高效的能源控制至關(guān)重要。

產(chǎn)品特性

應(yīng)用廣泛

典型應(yīng)用包括DC - DC轉(zhuǎn)換器以及便攜式和電池供電產(chǎn)品（如手機(jī)、無繩電話、PDA、計(jì)算機(jī)、打印機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和MP3播放器）的電源管理。此外，它們還可用于大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品（如磁盤驅(qū)動(dòng)器和磁帶驅(qū)動(dòng)器）的低壓電機(jī)控制。在汽車行業(yè)，可用于安全氣囊展開和儀表集群。高電流增益允許e2PowerEdge器件直接由PMU的控制輸出驅(qū)動(dòng)，線性增益（Beta）使其成為模擬放大器的理想組件。

符合標(biāo)準(zhǔn)

• AEC - Q101合格且具備PPAP能力，NSV前綴適用于汽車和其他有獨(dú)特場地和控制變更要求的應(yīng)用。
• 這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑，并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

訂購信息

產(chǎn)品參數(shù)

最大額定值（TA = 25°C）

熱特性

不同條件下的總器件功耗和熱阻有所不同：

• 在FR - 4@100 mm2、1 oz.銅走線條件下，TA = 25°C時(shí)總器件功耗為460mW，25°C以上每升高1°C降額3.7mW/°C，結(jié)到環(huán)境的熱阻RJA為270°C/W。
• 在FR - 4@500 mm2、1 oz.銅走線條件下，TA = 25°C時(shí)總器件功耗為540mW，25°C以上每升高1°C降額4.3mW/°C，結(jié)到環(huán)境的熱阻RJA為230°C/W。
• 單脈沖（< 10秒）條件下，總器件功耗PDsingle為710mW。
• 結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍為 - 55到 + 150°C。

電氣特性（TA = 25°C，除非另有說明）

關(guān)斷特性

• 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓（IC = -10 mAdc，IB = 0）：V(BR)CEO為 - 20Vdc。
• 集電極 - 基極擊穿電壓（IC = -0.1 mAdc，IE = 0）：V(BR)CBO為 - 20Vdc。
• 發(fā)射極 - 基極擊穿電壓（IE = -0.1 mAdc，IC = 0）：V(BR)EBO為 - 7.0Vdc。
• 集電極截止電流（VCB = -20Vdc，IE = 0）：ICBO最大為 - 0.1uAdc。
• 發(fā)射極截止電流：IEBO最大為 - 0.1uAdc。

導(dǎo)通特性

• 不同集電極電流下的電流增益hFE：在IC = -10 mA、VCE = -2.0 V時(shí)，hFE最小值為250；IC = -500 mA、VCE = -2.0 V時(shí)，hFE最小值為250；IC = -1.0 A、VCE = -2.0 V時(shí)，hFE最小值為180；IC = -2.0 A、VCE = -2.0 V時(shí)，hFE最小值為150。
• 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓VCE(sat)：在不同集電極電流和基極電流組合下有不同的值，如IC = -0.1 A、IB = -0.010 A時(shí)，典型值為 - 0.008V，最大值為 - 0.013V等。
• 基極 - 發(fā)射極飽和電壓VBE(sat)（IC = -1.0 A，IB = -0.01 A）：最大值為 - 0.900V。
• 基極 - 發(fā)射極開啟電壓VBE(on)（IC = -1.0 A，VCE = -2.0 V）：最大值為 - 0.900V。
• 截止頻率fT（IC = -100 mA，VCE = -5.0 V，f = 100 MHz）：為100 MHz。
• 輸入電容Cibo（VEB = 0.5 V，f = 1.0 MHz）：最大值為330 pF。
• 輸出電容Cobo（VCB = 3.0 V，f = 1.0 MHz）：最大值為100 pF。

開關(guān)特性

在VCC = -15 V、IC = 750 mA、IB1 = 15 mA條件下：

• 延遲時(shí)間：60 ns。
• 上升時(shí)間tr：120 ns。
• 存儲(chǔ)時(shí)間ts：300 ns。
• 下降時(shí)間tf：130 ns。

機(jī)械尺寸

采用SOT - 23（TO - 236）封裝，尺寸為2.90x1.30x1.00 1.90P，各引腳定義和不同封裝樣式有詳細(xì)說明。

總結(jié)

Onsemi的NSS20200LT1G和NSV20200LT1G PNP晶體管憑借其低VCE(sat)、高電流增益以及廣泛的應(yīng)用場景，為電子工程師在低壓、高速開關(guān)應(yīng)用中提供了一個(gè)可靠的選擇。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，綜合考慮這些產(chǎn)品的各項(xiàng)參數(shù)，以確保設(shè)計(jì)的可靠性和性能。大家在使用這些晶體管時(shí)，有沒有遇到過什么特別的問題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)?？歡迎在評論區(qū)分享。