IRSM808 - 105MH:小型家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)的理想半橋IPM
在小型家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域,一款性能卓越的功率模塊對(duì)于產(chǎn)品的高效運(yùn)行至關(guān)重要。今天,我們就來深入了解一下國際整流器公司(International Rectifier)推出的IRSM808 - 105MH半橋智能功率模塊(IPM)。
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一、產(chǎn)品概述
IRSM808 - 105MH是一款專為先進(jìn)家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)的10A、500V半橋模塊,適用于節(jié)能風(fēng)扇和水泵等設(shè)備。它采用了國際整流器公司的先進(jìn)技術(shù),在一個(gè)隔離封裝中實(shí)現(xiàn)了極其緊湊、高性能的半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該模塊結(jié)合了低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的溝槽場(chǎng)截止型快速恢復(fù)外延二極管場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Trench FREDFET)技術(shù)和業(yè)界領(lǐng)先的半橋高壓、堅(jiān)固驅(qū)動(dòng)器,采用小巧的PQFN封裝,尺寸僅為8x9mm,還集成了自舉功能,非常適合對(duì)空間要求苛刻的應(yīng)用,并且無需散熱片即可工作。
二、產(chǎn)品特性
2.1 集成功能
- 集成柵極驅(qū)動(dòng)器和自舉功能:適用于正弦調(diào)制應(yīng)用,為電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供了穩(wěn)定的控制信號(hào)。
- 低RDS(on) Trench FREDFET:降低了導(dǎo)通損耗,提高了模塊的效率。
2.2 保護(hù)與性能優(yōu)化
- 雙通道欠壓鎖定:確保在電源電壓不足時(shí),模塊能夠安全可靠地工作。
- 所有通道匹配的傳播延遲:保證了信號(hào)傳輸?shù)囊恢滦?,提高?a target="_blank">電機(jī)控制的精度。
- 優(yōu)化的dV/dt:在損耗和電磁干擾(EMI)之間取得了良好的平衡,減少了系統(tǒng)的干擾。
2.3 兼容性與其他特性
- 3.3V輸入邏輯兼容:方便與各種微控制器和控制電路接口。
- 高電平有效HIN和低電平有效LIN:提供了靈活的控制方式。
- 電機(jī)功率范圍80 - 200W:適用于多種小型家電電機(jī)的驅(qū)動(dòng)。
- 最小隔離電壓1500V RMS:保證了電氣安全。
- 符合ROHS標(biāo)準(zhǔn):環(huán)保性能良好。
三、訂購信息
| 該模塊有兩種包裝形式可供選擇: | 可訂購部件編號(hào) | 封裝類型 | 包裝形式 | 數(shù)量 |
|---|---|---|---|---|
| IRSM808 - 105MH | PQFN 8x9mm | 托盤 | 1300 | |
| IRSM808 - 105MHTR | PQFN 8x9mm | 卷帶包裝 | 2000 |
四、電氣特性
4.1 絕對(duì)最大額定值
絕對(duì)最大額定值規(guī)定了模塊能夠承受的極限條件,超過這些值可能會(huì)對(duì)模塊造成損壞。例如,MOSFET的阻斷電壓(BV DSS)最大為500V,輸出直流電流(I O)在TC = 25°C時(shí)最大為10A等。
| 符號(hào) | 描述 | 最小值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| BV DSS | MOSFET阻斷電壓 | - | 500 | V |
| I O | 每個(gè)MOSFET的輸出直流電流(TC = 25°C) | - | 10 | A |
| P d | 每個(gè)MOSFET的功率耗散(TC = 100°C) | - | 55 | W |
| T J (MOSFET & IC) | 最大工作結(jié)溫 | - | 150 | °C |
| T L | 引腳溫度(焊接30秒) | - | 260 | °C |
| T S | 存儲(chǔ)溫度范圍 | -40 | 150 | °C |
| V B | 高端浮動(dòng)電源電壓 | -0.3 | VS + 20 | V |
| V S | 高端浮動(dòng)電源偏移電壓 | VB - 20 | VB + 0.3 | V |
| V CC | 低端固定電源電壓 | -0.3 | 20 | V |
| V IN | 邏輯輸入電壓LIN, HIN | -0.3 | VCC + 0.3 | V |
| V ISO | 隔離電壓(1分鐘) | - | 1500 | V RMS |
4.2 推薦工作條件
為了確保模塊的正常運(yùn)行,應(yīng)在推薦的工作條件下使用。例如,正直流母線輸入電壓(V +)最大為400V,PWM載波頻率(F p)最大為20kHz等。
| 符號(hào) | 描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 條件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| V + | 正直流母線輸入電壓 | - | - | 400 | V | |
| V S1,2,3 | 高端浮動(dòng)電源偏移電壓 | (Note 3) | - | 400 | V | |
| V B1,2,3 | 高端浮動(dòng)電源電壓 | V S + 12 | - | V S + 20 | V | |
| V CC | 低端和邏輯電源電壓 | 13.5 | - | 16.5 | V | |
| V IN | 邏輯輸入電壓 | COM | - | V CC | V | |
| F p | PWM載波頻率 | - | - | 20 | kHz |
4.3 靜態(tài)電氣特性
在特定條件下(VBIAS (VCC, VBS) = 15V,TJ = 25°C),模塊具有一系列靜態(tài)電氣特性。例如,漏源擊穿電壓(BV DSS)在TJ = 25°C,ILK = 3mA時(shí)為500V,漏源導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在TJ = 25°C,VCC = 10V,Id = 6A時(shí)典型值為0.58Ω等。
4.4 動(dòng)態(tài)電氣特性
動(dòng)態(tài)電氣特性描述了模塊在開關(guān)過程中的性能。例如,輸入到輸出的導(dǎo)通傳播延遲時(shí)間(T ON)和關(guān)斷傳播延遲時(shí)間(T OFF)典型值均為0.8μs,內(nèi)置死區(qū)時(shí)間(DT)為0.9 - 1.3μs等。
五、熱學(xué)和機(jī)械特性
模塊的熱學(xué)特性對(duì)于其性能和可靠性至關(guān)重要。熱阻(Rth(J - B))在標(biāo)準(zhǔn)回流焊安裝焊盤時(shí),每個(gè)MOSFET工藝典型值為0.9°C/W;熱阻(Rth(J - A))在安裝在13.2cm2的兩層FR4板上且有36個(gè)過孔時(shí)為40°C/W。
六、模塊引腳說明
| 了解模塊的引腳功能對(duì)于正確使用模塊非常重要。以下是主要引腳的說明: | 引腳 | 名稱 | 描述 |
|---|---|---|---|
| 1, 4, 7, 32 | COM | 低端柵極驅(qū)動(dòng)返回 | |
| 2 | VCC | 15V柵極驅(qū)動(dòng)電源 | |
| 3 | HIN | 高端邏輯輸入(高電平有效) | |
| 5 | LIN | 低端邏輯輸入(低電平有效) | |
| 6 | DT | 死區(qū)時(shí)間 | |
| 8, 9, 10 | V - | 低端源極連接 | |
| 11 – 19 | VS | 相輸出 | |
| 20 – 28 | V + | 直流母線 | |
| 29 – 30 | VS | 相輸出(負(fù)自舉電容連接) | |
| 31 | VB | 高端浮動(dòng)電源(正自舉電容連接) |
需要注意的是,外露焊盤(引腳32)必須連接到COM以獲得更好的電氣性能。
七、典型應(yīng)用連接
在實(shí)際應(yīng)用中,為了確保模塊的性能和可靠性,需要注意以下幾點(diǎn):
- 母線電容:應(yīng)盡可能靠近模塊的母線端子安裝,以減少振鈴和EMI問題。在模塊引腳附近安裝額外的高頻陶瓷電容可以進(jìn)一步提高性能。
- 去耦電容:為了在VCC - VSS和VB - VS端子之間提供良好的去耦,連接在這些端子上的電容應(yīng)靠近模塊引腳。建議使用額外的0.1uF高頻電容。
- 自舉電容:自舉電容的值取決于開關(guān)頻率,應(yīng)根據(jù)IR設(shè)計(jì)提示DT04 - 4或應(yīng)用筆記AN - 1044進(jìn)行選擇。
八、總結(jié)
IRSM808 - 105MH半橋IPM以其緊湊的尺寸、高性能的特性和豐富的功能,為小型家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供了一個(gè)理想的解決方案。電子工程師在設(shè)計(jì)相關(guān)產(chǎn)品時(shí),可以充分利用該模塊的優(yōu)勢(shì),提高產(chǎn)品的性能和可靠性。大家在使用過程中有沒有遇到過類似模塊的應(yīng)用問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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