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IRSM808 - 105MH:小型家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)的理想半橋IPM

chencui ? 2026-05-19 09:40 ? 次閱讀
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IRSM808 - 105MH:小型家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)的理想半橋IPM

在小型家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域,一款性能卓越的功率模塊對(duì)于產(chǎn)品的高效運(yùn)行至關(guān)重要。今天,我們就來深入了解一下國際整流器公司(International Rectifier)推出的IRSM808 - 105MH半橋智能功率模塊(IPM)。

文件下載:IRSM808-105MH.pdf

一、產(chǎn)品概述

IRSM808 - 105MH是一款專為先進(jìn)家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)的10A、500V半橋模塊,適用于節(jié)能風(fēng)扇和水泵等設(shè)備。它采用了國際整流器公司的先進(jìn)技術(shù),在一個(gè)隔離封裝中實(shí)現(xiàn)了極其緊湊、高性能的半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該模塊結(jié)合了低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的溝槽場(chǎng)截止型快速恢復(fù)外延二極管場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Trench FREDFET)技術(shù)和業(yè)界領(lǐng)先的半橋高壓、堅(jiān)固驅(qū)動(dòng)器,采用小巧的PQFN封裝,尺寸僅為8x9mm,還集成了自舉功能,非常適合對(duì)空間要求苛刻的應(yīng)用,并且無需散熱片即可工作。

二、產(chǎn)品特性

2.1 集成功能

  • 集成柵極驅(qū)動(dòng)器和自舉功能:適用于正弦調(diào)制應(yīng)用,為電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供了穩(wěn)定的控制信號(hào)。
  • 低RDS(on) Trench FREDFET:降低了導(dǎo)通損耗,提高了模塊的效率。

2.2 保護(hù)與性能優(yōu)化

  • 雙通道欠壓鎖定:確保在電源電壓不足時(shí),模塊能夠安全可靠地工作。
  • 所有通道匹配的傳播延遲:保證了信號(hào)傳輸?shù)囊恢滦?,提高?a target="_blank">電機(jī)控制的精度。
  • 優(yōu)化的dV/dt:在損耗和電磁干擾(EMI)之間取得了良好的平衡,減少了系統(tǒng)的干擾。

2.3 兼容性與其他特性

  • 3.3V輸入邏輯兼容:方便與各種微控制器控制電路接口
  • 高電平有效HIN和低電平有效LIN:提供了靈活的控制方式。
  • 電機(jī)功率范圍80 - 200W:適用于多種小型家電電機(jī)的驅(qū)動(dòng)。
  • 最小隔離電壓1500V RMS:保證了電氣安全。
  • 符合ROHS標(biāo)準(zhǔn):環(huán)保性能良好。

三、訂購信息

該模塊有兩種包裝形式可供選擇: 可訂購部件編號(hào) 封裝類型 包裝形式 數(shù)量
IRSM808 - 105MH PQFN 8x9mm 托盤 1300
IRSM808 - 105MHTR PQFN 8x9mm 卷帶包裝 2000

四、電氣特性

4.1 絕對(duì)最大額定值

絕對(duì)最大額定值規(guī)定了模塊能夠承受的極限條件,超過這些值可能會(huì)對(duì)模塊造成損壞。例如,MOSFET的阻斷電壓(BV DSS)最大為500V,輸出直流電流(I O)在TC = 25°C時(shí)最大為10A等。

符號(hào) 描述 最小值 最大值 單位
BV DSS MOSFET阻斷電壓 - 500 V
I O 每個(gè)MOSFET的輸出直流電流(TC = 25°C) - 10 A
P d 每個(gè)MOSFET的功率耗散(TC = 100°C) - 55 W
T J (MOSFET & IC) 最大工作結(jié)溫 - 150 °C
T L 引腳溫度(焊接30秒) - 260 °C
T S 存儲(chǔ)溫度范圍 -40 150 °C
V B 高端浮動(dòng)電源電壓 -0.3 VS + 20 V
V S 高端浮動(dòng)電源偏移電壓 VB - 20 VB + 0.3 V
V CC 低端固定電源電壓 -0.3 20 V
V IN 邏輯輸入電壓LIN, HIN -0.3 VCC + 0.3 V
V ISO 隔離電壓(1分鐘) - 1500 V RMS

4.2 推薦工作條件

為了確保模塊的正常運(yùn)行,應(yīng)在推薦的工作條件下使用。例如,正直流母線輸入電壓(V +)最大為400V,PWM載波頻率(F p)最大為20kHz等。

符號(hào) 描述 最小值 典型值 最大值 單位 條件
V + 正直流母線輸入電壓 - - 400 V
V S1,2,3 高端浮動(dòng)電源偏移電壓 (Note 3) - 400 V
V B1,2,3 高端浮動(dòng)電源電壓 V S + 12 - V S + 20 V
V CC 低端和邏輯電源電壓 13.5 - 16.5 V
V IN 邏輯輸入電壓 COM - V CC V
F p PWM載波頻率 - - 20 kHz

4.3 靜態(tài)電氣特性

在特定條件下(VBIAS (VCC, VBS) = 15V,TJ = 25°C),模塊具有一系列靜態(tài)電氣特性。例如,漏源擊穿電壓(BV DSS)在TJ = 25°C,ILK = 3mA時(shí)為500V,漏源導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在TJ = 25°C,VCC = 10V,Id = 6A時(shí)典型值為0.58Ω等。

4.4 動(dòng)態(tài)電氣特性

動(dòng)態(tài)電氣特性描述了模塊在開關(guān)過程中的性能。例如,輸入到輸出的導(dǎo)通傳播延遲時(shí)間(T ON)和關(guān)斷傳播延遲時(shí)間(T OFF)典型值均為0.8μs,內(nèi)置死區(qū)時(shí)間(DT)為0.9 - 1.3μs等。

五、熱學(xué)和機(jī)械特性

模塊的熱學(xué)特性對(duì)于其性能和可靠性至關(guān)重要。熱阻(Rth(J - B))在標(biāo)準(zhǔn)回流焊安裝焊盤時(shí),每個(gè)MOSFET工藝典型值為0.9°C/W;熱阻(Rth(J - A))在安裝在13.2cm2的兩層FR4板上且有36個(gè)過孔時(shí)為40°C/W。

六、模塊引腳說明

了解模塊的引腳功能對(duì)于正確使用模塊非常重要。以下是主要引腳的說明: 引腳 名稱 描述
1, 4, 7, 32 COM 低端柵極驅(qū)動(dòng)返回
2 VCC 15V柵極驅(qū)動(dòng)電源
3 HIN 高端邏輯輸入(高電平有效)
5 LIN 低端邏輯輸入(低電平有效)
6 DT 死區(qū)時(shí)間
8, 9, 10 V - 低端源極連接
11 – 19 VS 相輸出
20 – 28 V + 直流母線
29 – 30 VS 相輸出(負(fù)自舉電容連接)
31 VB 高端浮動(dòng)電源(正自舉電容連接)

需要注意的是,外露焊盤(引腳32)必須連接到COM以獲得更好的電氣性能。

七、典型應(yīng)用連接

在實(shí)際應(yīng)用中,為了確保模塊的性能和可靠性,需要注意以下幾點(diǎn):

  • 母線電容:應(yīng)盡可能靠近模塊的母線端子安裝,以減少振鈴和EMI問題。在模塊引腳附近安裝額外的高頻陶瓷電容可以進(jìn)一步提高性能。
  • 去耦電容:為了在VCC - VSS和VB - VS端子之間提供良好的去耦,連接在這些端子上的電容應(yīng)靠近模塊引腳。建議使用額外的0.1uF高頻電容
  • 自舉電容:自舉電容的值取決于開關(guān)頻率,應(yīng)根據(jù)IR設(shè)計(jì)提示DT04 - 4或應(yīng)用筆記AN - 1044進(jìn)行選擇。

八、總結(jié)

IRSM808 - 105MH半橋IPM以其緊湊的尺寸、高性能的特性和豐富的功能,為小型家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供了一個(gè)理想的解決方案。電子工程師設(shè)計(jì)相關(guān)產(chǎn)品時(shí),可以充分利用該模塊的優(yōu)勢(shì),提高產(chǎn)品的性能和可靠性。大家在使用過程中有沒有遇到過類似模塊的應(yīng)用問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

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