IRSM808 - 204MH：小體積大能量的半橋IPM模塊

在電子工程師的日常工作中，選擇合適的功率模塊對(duì)于設(shè)計(jì)的成功至關(guān)重要。今天，我們就來(lái)深入了解一款專為小型家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)的半橋IPM模塊——IRSM808 - 204MH。

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一、產(chǎn)品概述

IRSM808 - 204MH是一款20A、250V的半橋模塊，適用于高效節(jié)能的風(fēng)扇和泵等先進(jìn)家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。它采用了國(guó)際整流器（IR）的先進(jìn)技術(shù)，在隔離封裝中實(shí)現(xiàn)了極其緊湊、高性能的半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該模塊將IR的低 (R_{DS(on)}) 溝槽MOSFET技術(shù)與業(yè)界領(lǐng)先的半橋高壓、堅(jiān)固驅(qū)動(dòng)器相結(jié)合，封裝在小巧的PQFN封裝中，尺寸僅為8x9mm，還集成了自舉功能，非常適合對(duì)空間要求較高的應(yīng)用。而且，它無(wú)需散熱器即可正常工作。

二、產(chǎn)品特性

2.1 集成功能

集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和自舉功能，適用于正弦調(diào)制應(yīng)用，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供了便利和高效的解決方案。

2.2 低導(dǎo)通電阻

具有低至0.15Ω（最大，25°C）的 (R_{DS(on)}) 溝槽MOSFET，能夠有效降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。

2.3 保護(hù)功能

• 雙通道欠壓鎖定功能，確保在電壓異常時(shí)能及時(shí)保護(hù)模塊。
• 所有通道的傳播延遲匹配，保證了信號(hào)傳輸?shù)囊恢滦浴?

  2.4 優(yōu)化設(shè)計(jì)

  優(yōu)化的dV/dt特性，在損耗和電磁干擾（EMI）之間取得了良好的平衡。

  2.5 邏輯兼容性

  3.3V輸入邏輯兼容，并且具有高電平有效（HIN）和低電平有效（LIN）的輸入邏輯，方便與各種控制系統(tǒng)集成。

  2.6 功率范圍

  電機(jī)功率范圍為80 - 200W，能滿足大多數(shù)小型家電電機(jī)的驅(qū)動(dòng)需求。

  2.7 隔離特性

  具有最小1500V RMS的隔離電壓，增強(qiáng)了系統(tǒng)的安全性。

  2.8 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)

  符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

三、電氣參數(shù)

3.1 絕對(duì)最大額定值

需要注意的是，部分參數(shù)是基于最大結(jié)溫計(jì)算得出，鍵合線電流限制為8A，隔離電壓僅為特性表征，制造過(guò)程中不進(jìn)行測(cè)試。

3.2 推薦工作條件

為了確保模塊正常工作，應(yīng)在推薦條件范圍內(nèi)使用。所有電壓均相對(duì)于COM為絕對(duì)電壓，(V{S}) 偏移在所有電源偏置為15V差分的情況下進(jìn)行測(cè)試。邏輯在 (V{s}) 從COM - 8V到COM + 250V范圍內(nèi)可正常工作，在 (V{s}) 從COM - 8V到COM - (V{BS}) 范圍內(nèi)保持邏輯狀態(tài)。

3.3 靜態(tài)電氣特性

在 (V{BIAS }(V{CC}, V{BS}) = 15V)，(T{J}=25^{circ}C) 的條件下（除非另有說(shuō)明），模塊具有一系列靜態(tài)電氣特性，如 (BV{DSS})（漏源擊穿電壓）、(I{LKH})（高端FET并聯(lián)漏電流）、(I{LKL})（低端FET并聯(lián)加?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)IC漏電流）、(R{DS(ON)})（漏源導(dǎo)通電阻）等。部分參數(shù)僅為特性表征，制造過(guò)程中不進(jìn)行測(cè)試。

3.4 動(dòng)態(tài)電氣特性

在 (I{BIAS }(V{CC}, V{BS}) = 15V)，(T{J}=25^{circ}C) 的條件下（除非另有說(shuō)明），主要關(guān)注驅(qū)動(dòng)時(shí)序相關(guān)參數(shù)，如 (T{ON})（輸入到輸出傳播導(dǎo)通延遲時(shí)間）、(T{OFF})（輸入到輸出傳播關(guān)斷延遲時(shí)間）、(DT)（內(nèi)置死區(qū)時(shí)間）、(T_{FIL,IN})（輸入濾波時(shí)間）等。

3.5 熱和機(jī)械特性

熱阻 (R_{th(J - B)})（每個(gè)MOSFET結(jié)到安裝墊的熱阻）典型值為1.3°C/W，這對(duì)于評(píng)估模塊的散熱性能非常重要。

四、引腳定義

為了獲得更好的電氣性能，暴露焊盤（引腳32）必須連接到COM。

五、典型應(yīng)用連接

5.1 電容安裝

• 母線電容應(yīng)盡可能靠近模塊母線端子安裝，以減少振鈴和EMI問(wèn)題。在模塊引腳附近安裝額外的高頻陶瓷電容將進(jìn)一步提高性能。
• 為了在 (V{CC}-V{SS}) 和 (V{B}-V{S}) 端子之間提供良好的去耦，連接在這些端子上的電容應(yīng)非?？拷K引腳。建議使用典型值為0.1uF的額外高頻電容。

  5.2 自舉電容選擇

  自舉電容的值取決于開(kāi)關(guān)頻率，應(yīng)根據(jù)IR設(shè)計(jì)提示DT04 - 4或應(yīng)用筆記AN - 1044進(jìn)行選擇。

六、結(jié)語(yǔ)

IRSM808 - 204MH模塊憑借其緊湊的尺寸、豐富的功能和良好的電氣性能，為小型家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供了一個(gè)優(yōu)秀的解決方案。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，電子工程師們可以根據(jù)具體需求，合理利用其特性和參數(shù)，優(yōu)化電路設(shè)計(jì)，提高系統(tǒng)的性能和可靠性。大家在使用這款模塊的過(guò)程中，有沒(méi)有遇到過(guò)什么特別的問(wèn)題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)?？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。