EiceDRIVER? 2EDN752x / 2EDN852x：高效、可靠的雙路驅(qū)動(dòng)器解決方案

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，一款性能卓越的驅(qū)動(dòng)器對(duì)于提升系統(tǒng)性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。EiceDRIVER? 2EDN752x / 2EDN852x 作為一款先進(jìn)的雙路驅(qū)動(dòng)器，憑借其出色的特性和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景，成為眾多工程師的首選。

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一、產(chǎn)品特性

1. 高速、精準(zhǔn)、強(qiáng)大且兼容

快速開關(guān)性能：5 ns 的快速壓擺率和 17 ns 的傳播延遲精度，能夠?qū)崿F(xiàn) MOSFET 和 GaN 的快速開關(guān)，從而提高開關(guān)電源（SMPS）的效率。
通道間延遲匹配：1 ns 的通道間傳播延遲精度，確保了兩個(gè)通道可以安全并行使用，為設(shè)計(jì)提供了更多的靈活性。
強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力：兩個(gè)獨(dú)立的 5 A 通道，能夠滿足多種應(yīng)用需求，提供了豐富的部署選項(xiàng)。
兼容性強(qiáng)：采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝和引腳排列，便于系統(tǒng)設(shè)計(jì)升級(jí)，降低了設(shè)計(jì)成本和時(shí)間。

2. 堅(jiān)固耐用

欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)：提供 4.2 V 和 8 V 的 UVLO 選項(xiàng)，確保在異常情況下能夠立即保護(hù) MOSFET，避免因電壓過低而導(dǎo)致的損壞。
輸入魯棒性：-10 V 的控制和使能輸入魯棒性，在驅(qū)動(dòng)脈沖變壓器或通孔封裝的 MOSFET 時(shí)，提供了關(guān)鍵的安全裕度。
反向電流保護(hù)：5 A 的反向電流魯棒性，無需額外的輸出保護(hù)電路，減少了物料清單（BOM）成本。

二、典型應(yīng)用

EiceDRIVER? 2EDN752x / 2EDN852x 適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景，包括但不限于：

服務(wù)器 SMPS：為服務(wù)器提供高效、穩(wěn)定的電源供應(yīng)。
電信 SMPS：滿足電信設(shè)備對(duì)電源的高要求。
DC - DC 轉(zhuǎn)換器：實(shí)現(xiàn)不同電壓之間的轉(zhuǎn)換。
功率模塊：用于各種功率模塊的驅(qū)動(dòng)。
電動(dòng)工具：提供可靠的驅(qū)動(dòng)能力，確保工具的正常運(yùn)行。
工業(yè) SMPS：適應(yīng)工業(yè)環(huán)境的復(fù)雜要求。
電機(jī)控制：精確控制電機(jī)的運(yùn)行。
太陽能 SMPS：提高太陽能電源系統(tǒng)的效率。

三、產(chǎn)品版本

1. 邏輯版本

2EDN752x / 2EDN852x 有兩種邏輯版本，通過產(chǎn)品型號(hào)中的變量 x 表示：

(x = 3)：反相輸入邏輯。
(x = 4)：同相/直接輸入邏輯。

2. 封裝版本

該產(chǎn)品提供三種不同的封裝版本，以滿足不同的設(shè)計(jì)需求：

PG - DSO - 8 - 60：標(biāo)準(zhǔn)封裝，適用于大多數(shù)應(yīng)用。
PG - TSSOP - 8 - 1：小型封裝，節(jié)省 PCB 空間。
PG - WSON - 8 - 4：無引腳封裝，具有更好的散熱性能。

四、引腳配置與功能描述

1. 引腳配置

不同封裝版本的引腳配置有所不同，但基本功能相似。以 PG - DSO - 8 - 60 封裝為例，其引腳配置如下：	引腳	符號(hào)
1	ENA	通道 A 使能輸入，高電平或懸空時(shí)，OUTA 由 INA 控制；低電平時(shí)，OUTA 為低電平。
2	INA	通道 A 邏輯輸入，控制 OUTA（反相或同相）。
3	GND	接地。
4	INB	通道 B 邏輯輸入，控制 OUTB（反相或同相）。
5	OUTB	通道 B 驅(qū)動(dòng)器輸出，具有低阻抗的源極和漏極電流能力。
6	VDD	正電源電壓，工作范圍為 4.5 V/8.6 V 至 20 V。
7	OUTA	通道 A 驅(qū)動(dòng)器輸出，具有低阻抗的源極和漏極電流能力。
8	ENB	通道 B 使能輸入，高電平或懸空時(shí)，OUTB 由 INB 控制；低電平時(shí)，OUTB 為低電平。

2. 功能描述

輸入兼容性：控制和使能輸入與 LV - TTL 兼容（CMOS 3.3 V），輸入電壓范圍為 -5 V 至 +20 V。-10 V 的輸入引腳魯棒性可防止因寄生接地電感引起的閂鎖或電氣過應(yīng)力，提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
欠壓鎖定（UVLO）：4.2 V 和 8 V 的 UVLO 選項(xiàng)確保在異常情況下能夠立即保護(hù) MOSFET 和 GaN 器件。當(dāng)電源電壓低于 UVLO 閾值時(shí)，輸出將被鎖定為低電平，避免 MOSFET 進(jìn)入線性模式，從而減少功率損耗。
輸出能力：每個(gè)輸出能夠提供 5 A 的源極和漏極電流，采用真正的軌到軌輸出級(jí)，確保了極低的導(dǎo)通電阻（源極 p 溝道 MOS 為 0.7 Ω，漏極 n 溝道 MOS 為 0.55 Ω）。通道間延遲匹配非常緊密，典型值為 1 ns，允許兩個(gè)通道并行使用，從而實(shí)現(xiàn) 10 A 的源極和漏極電流能力。

五、電氣特性

1. 絕對(duì)最大額定值

參數(shù)	符號(hào)	最小值	最大值	單位	備注或測(cè)試條件
正電源電壓	VVDD	-0.3	22	V
引腳 INA、INB、ENA、ENB 電壓	VIN	-10	22	V
引腳 OUTA、OUTB 電壓	VOUT	-0.3	VVDD + 0.3	V	允許反向電流峰值產(chǎn)生的電壓尖峰
引腳 OUTA、OUTB 反向電流峰值	ISNKREV、ISRCREV	-5	5	Apk	< 500 ns
結(jié)溫	TJ	-40	150	°C
存儲(chǔ)溫度	TS	-55	150	°C
ESD 能力	VESD
			1.5	kV	充電器件模型（CDM）
			2.5	kV	人體模型（HBM）

2. 熱特性

不同封裝版本的熱特性有所不同，以 PG - DSO - 8 - 60 封裝為例：	參數(shù)	最小值	最大值	單位
結(jié)到環(huán)境熱阻	RthJA25	125	K/W	PG - DSO - 8 - 60，Tamb = 25°C
結(jié)到外殼（頂部）熱阻	RthJC25	66	K/W	PG - DSO - 8 - 60，Tamb = 25°C
結(jié)到電路板熱阻	RthJB25	62	K/W	PG - DSO - 8 - 60，Tamb = 25°C
結(jié)到頂部表征參數(shù)	ΨthJC25	16	K/W	PG - DSO - 8 - 60，Tamb = 25°C
結(jié)到電路板表征參數(shù)	ΨthJB25	55	K/W	PG - DSO - 8 - 60，Tamb = 25°C

3. 工作范圍

參數(shù)	符號(hào)	最小值	最大值	單位	備注或測(cè)試條件
電源電壓	VVDD	4.5	20	V	最小值由 UVLO 定義
邏輯輸入電壓	VIN	-5	20	V
結(jié)溫	TJ	-40	150	°C	連續(xù)運(yùn)行超過 125°C 可能會(huì)縮短使用壽命

4. 電氣特性

在 (V{VDD}=12 ~V) 和 (T{J}=25^{circ} C) 的條件下，部分電氣特性如下：	參數(shù)	符號(hào)	最小值	典型值	最大值	單位
VDD 靜態(tài)電流（OUT = high）	IVDDQU1	0.5	0.7	1.2	mA
VDD 靜態(tài)電流（OUT = low）	IVDDQU2	0.3	0.48	0.7	mA
欠壓鎖定（UVLO）開啟閾值（邏輯電平 MOSFET）	UVLOON	3.9	4.2	4.5	V
欠壓鎖定（UVLO）關(guān)閉閾值（邏輯電平 MOSFET）	UVLOOFF	3.6	3.9	4.2	V
UVLO 閾值滯后（邏輯電平 MOSFET）	UVLOHYS		0.3		V
輸入電壓閾值（LH 轉(zhuǎn)換）	VINH	1.98	2.1	2.2	V
輸入電壓閾值（HL 轉(zhuǎn)換）	VINL	0.95	1.02	1.1	V
輸入上拉電阻	RINH		400		kΩ	初始邏輯電平為高的輸入
輸入下拉電阻	RINL		100		kΩ	初始邏輯電平為低的輸入
高電平（源極）輸出電阻	RON_SRC	0.35	0.7	1.2	Ω	ISRC = 50mA
高電平（源極）輸出電流	ISRCPEAK		5.0		A
低電平（漏極）輸出電阻	RON_SNK	0.28	0.55	1.0	Ω	ISNK = 50mA
低電平（漏極）輸出電流	ISNKPEAK		-5.0		A
輸入/使能到輸出傳播延遲（低到高轉(zhuǎn)換）	TPDlh	15	17	23	ns	CLOAD = 1.8 nF，VVDD = 12 V
輸入/使能到輸出傳播延遲（高到低轉(zhuǎn)換）	TPDhl	15	19	23	ns	CLOAD = 1.8 nF，VVDD = 12 V
同一 IC 上兩個(gè)通道的輸入/使能到輸出傳播延遲失配	?tPD			2	ns
上升時(shí)間	TRISE		5.3	10	ns	CLOAD = 1.8 nF，VVDD = 12 V
下降時(shí)間	TFAll		4.5	10	ns	CLOAD = 1.8 nF，VVDD = 12 V
改變輸出狀態(tài)的最小輸入脈沖寬度	TPW		6	10	ns	CLOAD = 1.8 nF，VVDD = 12 V

六、總結(jié)

EiceDRIVER? 2EDN752x / 2EDN852x 是一款功能強(qiáng)大、性能卓越的雙路驅(qū)動(dòng)器，具有高速、精準(zhǔn)、堅(jiān)固耐用等優(yōu)點(diǎn)。其豐富的產(chǎn)品版本和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景，為工程師提供了更多的選擇和靈活性。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，工程師可以根據(jù)具體需求選擇合適的邏輯版本和封裝版本，以實(shí)現(xiàn)最佳的系統(tǒng)性能。同時(shí)，了解該產(chǎn)品的電氣特性和熱特性，有助于工程師更好地進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和優(yōu)化。你在使用這款驅(qū)動(dòng)器的過程中遇到過哪些問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。

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一、產(chǎn)品特性

1. 高速、精準(zhǔn)、強(qiáng)大且兼容

2. 堅(jiān)固耐用

二、典型應(yīng)用

三、產(chǎn)品版本

1. 邏輯版本

2. 封裝版本

四、引腳配置與功能描述

1. 引腳配置

2. 功能描述

五、電氣特性

1. 絕對(duì)最大額定值

2. 熱特性

3. 工作范圍

4. 電氣特性

六、總結(jié)

評(píng)論

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一、產(chǎn)品特性

1. 高速、精準(zhǔn)、強(qiáng)大且兼容

2. 堅(jiān)固耐用

二、典型應(yīng)用

三、產(chǎn)品版本

1. 邏輯版本

2. 封裝版本

四、引腳配置與功能描述

1. 引腳配置

2. 功能描述

五、電氣特性

1. 絕對(duì)最大額定值

2. 熱特性

3. 工作范圍

4. 電氣特性

六、總結(jié)

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三、產(chǎn)品版本

四、引腳配置與功能描述

五、電氣特性

六、總結(jié)