周星工程近日宣布，已成功向一家全球頭部半導(dǎo)體企業(yè)交付了全球首套原子層生長原子層生長晶體管集成系統(tǒng)。這套設(shè)備專門用于下一代3D垂直堆疊半導(dǎo)體晶體管的制造。由于雙方簽訂了商業(yè)保密協(xié)議，客戶的具體名稱以及設(shè)備的供貨數(shù)量暫未對外披露。

隨著半導(dǎo)體工藝持續(xù)向納米級節(jié)點推進，傳統(tǒng)平面晶體管已逼近物理極限。晶體管尺寸的過度微縮導(dǎo)致漏電流問題顯著加劇，芯片功耗隨之急劇攀升。為突破這一瓶頸，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正加速從平面結(jié)構(gòu)向鰭式場效應(yīng)晶體管、環(huán)柵晶體管以及垂直堆疊晶體管單元等三維架構(gòu)轉(zhuǎn)型。周星工程此次交付的原子層生長設(shè)備，正是瞄準(zhǔn)了高縱橫比垂直堆疊結(jié)構(gòu)的制造難題。

在技術(shù)原理層面，傳統(tǒng)原子層沉積技術(shù)的薄膜堆疊方式類似于“向上堆雪”，每層沉積厚度較薄但結(jié)構(gòu)相對松散；而原子層生長技術(shù)的生長過程更接近于“冰的凍結(jié)”，原子自行結(jié)合并逐層生長，所生成的薄膜質(zhì)量更高、結(jié)構(gòu)更致密、物理強度更堅硬。原子層生長設(shè)備通過重復(fù)原子層沉積工藝直接構(gòu)建三維薄膜結(jié)構(gòu)，能夠有效減少光刻與刻蝕步驟，同時保證下一代晶體管所需的步進覆蓋率與厚度均勻性。

值得注意的是，原子層生長技術(shù)不受底層襯底材料類型的限制。除非存儲芯片、存儲電容器、存儲晶體管等半導(dǎo)體應(yīng)用外，該技術(shù)還可拓展至太陽能電池和顯示面板等光電領(lǐng)域。此外，該技術(shù)成功解決了高雜質(zhì)濃度帶來的生產(chǎn)難題，可用于制造玻璃襯底以及基于氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等第Ⅲ?-?Ⅴ族和第Ⅲ?-?Ⅵ族化合物的下一代高性能半導(dǎo)體器件。

目前，周星工程正與北美、亞洲、歐洲以及中東地區(qū)的多家全球領(lǐng)先企業(yè)展開設(shè)備開發(fā)合作，相關(guān)合作覆蓋了從工藝驗證到量產(chǎn)導(dǎo)入的多個環(huán)節(jié)。