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第七屆800V超充與三代半導(dǎo)體技術(shù)研討會預(yù)告

Big-Bit商務(wù)網(wǎng) ? 來源:Big-Bit商務(wù)網(wǎng) ? 2026-05-30 15:42 ? 次閱讀
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第七屆800V超充與三代半技術(shù)研討會

第七屆800V超充與三代半技術(shù)研討會

高壓擎動,芯效突圍

時間:2026年6月12日,

地點:深圳 登喜路國際大酒店

主辦單位:Big-Bit商務(wù)網(wǎng)

協(xié)辦單位:深圳市連接器行業(yè)協(xié)會、中國電源學(xué)會磁技術(shù)專委會,

承辦單位:《半導(dǎo)體器件應(yīng)用》雜志、《國際線纜與鏈接》雜志、《磁性元件與電源》雜志

會議介紹

隨著新能源汽車滲透率持續(xù)提升,補能效率與整車高壓化成為產(chǎn)業(yè)關(guān)注的重點。800V高壓平臺與超充技術(shù)正加速落地,同時以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體器件逐步走向規(guī)?;瘧?yīng)用,推動充電設(shè)備、電驅(qū)系統(tǒng)與電源架構(gòu)持續(xù)升級。

在此背景下,第八屆中國數(shù)字電源關(guān)鍵元器件應(yīng)用創(chuàng)新峰會(華南站)特別設(shè)立分會場二:第七屆800V超充與三代半技術(shù)研討會,將于2026年6月12日在中國深圳舉行。

本次研討會將圍繞800V高壓快充系統(tǒng)與第三代半導(dǎo)體技術(shù)展開,重點關(guān)注SiC、GaN器件在超充樁、電驅(qū)系統(tǒng)及高效率電源中的應(yīng)用進展,并探討高壓架構(gòu)下的功率器件選型、磁性元件設(shè)計、熱管理及系統(tǒng)可靠性等關(guān)鍵技術(shù)問題。

會議現(xiàn)場將通過主題演講與技術(shù)交流等形式,邀請整車廠、充電設(shè)備企業(yè)及核心元器件廠商共同分享技術(shù)實踐與產(chǎn)業(yè)趨勢,為行業(yè)提供交流合作的平臺,推動800V超充與第三代半導(dǎo)體技術(shù)的應(yīng)用落地。

會議亮點

全天深度干貨輸出

邀請上游器件與整機企業(yè)技術(shù)專家,共同探討800V超充樁、電驅(qū)及OBC中SiC/GaN器件的并聯(lián)均流、開關(guān)振蕩、熱管理與系統(tǒng)可靠性等工程難題。

關(guān)鍵元器件一站選型

組織SiC/GaN模塊、驅(qū)動IC、高壓連接器、液冷槍線等關(guān)鍵器件現(xiàn)場展示,并安排專場供需交流會,促進中下游企業(yè)與上游器件廠商的技術(shù)對談及采購合作。

供需精準(zhǔn)匹配

會前調(diào)研終端企業(yè)需求,定向匹配上游供應(yīng)商資源,針對后續(xù)項目開發(fā)需求及研發(fā)痛點問題,現(xiàn)場進行技術(shù)交流,進行產(chǎn)品服務(wù)信息匹配,搭建高效交流平臺,提升項目落地效率。

議題方向

800V 高壓平臺 SiC 車載 OBC 高效率小型化技術(shù)

雙向 OBC(V2G/V2L)拓撲與并網(wǎng)控制技術(shù)

800V 高壓平臺下 SiC/GaN 寬禁帶器件車載 DC-DC 應(yīng)用優(yōu)化

全負載區(qū)間(輕載 / 滿載)高效率拓撲與軟開關(guān)技術(shù)研發(fā)

車載 DC-DC 高功率密度集成化設(shè)計(平面磁件 / 多合一集成)

車規(guī)級 DC-DC EMC 電磁兼容抑制與長期可靠性設(shè)計

SiC MOSFET在800V車載 OBC(PFC+LLC)中的驅(qū)動設(shè)計與損耗優(yōu)化研究

雙向CLLC諧振變換器在車載 V2G AC-DC 中的軟開關(guān)實現(xiàn)與控制策略

車載高壓高頻磁件小型化與高功率密度設(shè)計

電驅(qū)系統(tǒng)磁集成技術(shù)與一體化磁件方案

單極OBC拓撲(dab)技術(shù)/應(yīng)用場景

新型電路拓撲+OBC新材料

演講嘉賓

GUEST

特邀

王正仕

浙江大學(xué)

副教授

特邀

張千帆

哈爾濱工業(yè)大學(xué)

教授

特邀

史來鋒

東風(fēng)汽車集團有限公司研發(fā)總院

新能源系統(tǒng)開發(fā)主任

劉宏鑫

珠海英搏爾電氣股份有限公司

電驅(qū)CTO

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