日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

深入解析 onsemi NJD2873 功率晶體管

lhl545545 ? 2026-05-20 13:55 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

深入解析 onsemi NJD2873 功率晶體管

在電子工程領(lǐng)域,功率晶體管是不可或缺的基礎(chǔ)元件。今天,我們來深入探討 onsemi 公司的 NJD2873 功率晶體管,這款產(chǎn)品專為高增益音頻放大器應(yīng)用而設(shè)計(jì),下面將從其特點(diǎn)、參數(shù)、應(yīng)用等方面進(jìn)行詳細(xì)分析。

文件下載:NJD2873T4-D.PDF

一、產(chǎn)品特點(diǎn)

高性能參數(shù)

NJD2873 具有高直流電流增益、低集電極 - 發(fā)射極飽和電壓以及高電流增益 - 帶寬乘積等特點(diǎn)。這些特性使得它在音頻放大器等應(yīng)用中能夠表現(xiàn)出色,為電路提供穩(wěn)定且高效的性能。

環(huán)保與可靠性

晶體管的環(huán)氧樹脂符合 UL 94 V - 0 標(biāo)準(zhǔn),并且采用了無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑(BFR)設(shè)計(jì),符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí),帶有 NJV 前綴的產(chǎn)品適用于汽車和其他有特殊要求的應(yīng)用,經(jīng)過 AEC - Q101 認(rèn)證且具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)能力,可靠性極高。

二、最大額定值

Symbol Rating Value Unit
V CB Collector - Base Voltage 50 Vdc
V CEO Collector - Emitter Voltage 50 Vdc
V EB Emitter - Base Voltage 5 Vdc
I C Collector Current ? Continuous 2 Adc
I CM Collector Current ? Peak 3 Adc
I B Base Current 0.4 Adc
P D Total Device Dissipation @ T C = 25 ? C Derate above 25 ? C 15 0.1 W W/ ? C
P D Total Device Dissipation @ T A = 25 ? C* Derate above 25 ? C 1.68 0.011 W W/ ? C
T J, T stg Operating and Storage Junction Temperature Range ?65 to +175 ? C
HBM ESD ? Human Body Model 3B V
MM ESD ? Machine Model C V

需要注意的是,超過最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會(huì)損壞器件。如果超過這些限制,不能保證器件的功能正常,可能會(huì)造成損壞并影響可靠性。

三、熱特性

Symbol Max
Thermal Resistance
Junction - to - Case 10
Junction - to - Ambient (Note 1) 89.3

注:這些額定值適用于表面安裝在推薦的最小焊盤尺寸上的情況。

四、電氣特性

關(guān)斷特性

  • V CEO(sus):集電極 - 發(fā)射極維持電壓(I C = 10 mAdc,I B = 0),最小值為 50 Vdc。
  • I CBO:集電極截止電流(V CB = 50 Vdc,I E = 0),最大值為 100 nAdc。
  • I EBO:發(fā)射極截止電流(V BE = 5 Vdc,I C = 0),最大值為 100 nAdc。

導(dǎo)通特性

  • h FE:直流電流增益,在不同的集電極電流和電壓條件下有不同的值。例如,在 I C = 0.5 A,V CE = 2 V 時(shí),范圍為 120 - 360。
  • V CE(sat):集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(I C = 1 A,I B = 0.05 A),最大值為 0.3 Vdc。
  • V BE(sat):基極 - 發(fā)射極飽和電壓(I C = 1 A,I B = 0.05 Adc),最大值為 1.2 Vdc。
  • V BE(on):基極 - 發(fā)射極導(dǎo)通電壓,在不同條件下有不同的值。

動(dòng)態(tài)特性

  • f T:電流增益 - 帶寬乘積(I C = 100 mAdc,V CE = 10 Vdc,f test = 10 MHz),最小值為 65 MHz。
  • C ob:輸出電容(V CB = 10 Vdc,I E = 0,f = 0.1 MHz),最大值為 80 pF。

五、封裝與訂購信息

NJD2873 采用 DPAK 封裝,有 NJD2873T4G 和 NJVNJD2873T4G 兩種型號(hào),均為無鉛封裝,每卷 2500 個(gè)。對(duì)于卷帶規(guī)格的詳細(xì)信息,可參考 Tape and Reel Packaging Specification Brochure, BRD8011/D。

六、典型特性

文檔中給出了功率降額、直流電流增益、集電極 - 發(fā)射極飽和電壓、基極 - 發(fā)射極飽和電壓、基極 - 發(fā)射極電壓、飽和區(qū)域、電容、熱響應(yīng)等典型特性的圖表。這些圖表可以幫助工程師更好地了解器件在不同條件下的性能表現(xiàn),從而在設(shè)計(jì)電路時(shí)做出更合理的選擇。

七、機(jī)械尺寸與標(biāo)記

詳細(xì)給出了 DPAK - 3 封裝的機(jī)械尺寸,包括各部分的最小、標(biāo)稱和最大尺寸。同時(shí),還提供了不同引腳排列風(fēng)格的標(biāo)記圖,方便工程師在實(shí)際應(yīng)用中進(jìn)行正確的安裝和連接。

八、思考與應(yīng)用建議

在使用 NJD2873 進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí),工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,合理選擇工作條件,確保器件在額定參數(shù)范圍內(nèi)工作,以保證其性能和可靠性。例如,在音頻放大器設(shè)計(jì)中,要根據(jù)所需的增益、輸出功率等指標(biāo),結(jié)合 NJD2873 的電氣特性進(jìn)行電路參數(shù)的計(jì)算和調(diào)整。同時(shí),要注意散熱設(shè)計(jì),根據(jù)熱特性合理安排散熱措施,避免器件因過熱而損壞。

總之,onsemi 的 NJD2873 功率晶體管是一款性能優(yōu)異、可靠性高的產(chǎn)品,在音頻放大器等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。希望通過本文的介紹,能幫助電子工程師更好地了解和使用這款產(chǎn)品。你在使用類似功率晶體管時(shí)遇到過哪些問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 音頻放大器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    40

    文章

    1031

    瀏覽量

    57804
  • 功率晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    716

    瀏覽量

    19297
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    50V,2A NPN 大功率雙極晶體管-MJD2873-Q

    50 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD2873-Q
    發(fā)表于 02-16 20:21 ?0次下載
    50V,2A NPN 大<b class='flag-5'>功率</b>雙極<b class='flag-5'>晶體管</b>-MJD<b class='flag-5'>2873</b>-Q

    50V,2A NPN 大功率雙極晶體管-MJD2873

    50 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD2873
    發(fā)表于 02-16 20:44 ?0次下載
    50V,2A NPN 大<b class='flag-5'>功率</b>雙極<b class='flag-5'>晶體管</b>-MJD<b class='flag-5'>2873</b>

    深入解析 onsemi MJ21195G 和 MJ21196G 功率晶體管

    深入解析 onsemi MJ21195G 和 MJ21196G 功率晶體管 在電子工程領(lǐng)域,功率
    的頭像 發(fā)表于 05-14 17:15 ?306次閱讀

    探索 onsemi MJ15023 和 MJ15025 功率晶體管:特性與應(yīng)用解析

    探索 onsemi MJ15023 和 MJ15025 功率晶體管:特性與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率
    的頭像 發(fā)表于 05-14 17:30 ?336次閱讀

    深入解析 onsemi PNP達(dá)林頓晶體管BCV26

    深入解析 onsemi PNP達(dá)林頓晶體管BCV26 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,選擇合適的晶體管對(duì)于電路性能至關(guān)重要。今天,我們來
    的頭像 發(fā)表于 05-14 18:25 ?938次閱讀

    深入解析 onsemi MJD128T4G 互補(bǔ)達(dá)林頓功率晶體管

    深入解析 onsemi MJD128T4G 互補(bǔ)達(dá)林頓功率晶體管 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率
    的頭像 發(fā)表于 05-15 14:00 ?154次閱讀

    深入解析 onsemi MJB5742T4G NPN 達(dá)林頓功率晶體管

    深入解析 onsemi MJB5742T4G NPN 達(dá)林頓功率晶體管 一、引言 在電子電路設(shè)計(jì)中,功率
    的頭像 發(fā)表于 05-15 14:00 ?170次閱讀

    探索 onsemi NPN達(dá)林頓功率晶體管NJD35N04G系列

    探索 onsemi NPN達(dá)林頓功率晶體管NJD35N04G系列 作為電子工程師,在設(shè)計(jì)電路時(shí),為特定應(yīng)用選擇合適的晶體管至關(guān)重要。今天,
    的頭像 發(fā)表于 05-15 15:00 ?69次閱讀

    深入解析 onsemi MPSA29 NPN達(dá)林頓晶體管

    深入解析 onsemi MPSA29 NPN達(dá)林頓晶體管 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,選擇合適的晶體管對(duì)于電路性能至關(guān)重要。今天,我們就來
    的頭像 發(fā)表于 05-15 15:05 ?95次閱讀

    深入解析 onsemi 互補(bǔ)硅晶體管 TIP12x 系列

    深入解析 onsemi 互補(bǔ)硅晶體管 TIP12x 系列 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,選擇合適的晶體管至關(guān)重要。今天我們要
    的頭像 發(fā)表于 05-15 15:15 ?62次閱讀

    Onsemi達(dá)林頓互補(bǔ)硅功率晶體管:TIP140 - TIP147系列深度解析

    Onsemi達(dá)林頓互補(bǔ)硅功率晶體管:TIP140 - TIP147系列深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率晶體
    的頭像 發(fā)表于 05-15 15:30 ?95次閱讀

    Onsemi互補(bǔ)硅塑料功率晶體管TIP4xG系列解析

    Onsemi互補(bǔ)硅塑料功率晶體管TIP4xG系列解析 引言 在電子工程領(lǐng)域,功率晶體管是通用放大
    的頭像 發(fā)表于 05-17 17:45 ?809次閱讀

    探索 onsemi NST60100 PNP 功率晶體管:性能與應(yīng)用解析

    探索 onsemi NST60100 PNP 功率晶體管:性能與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率晶體管
    的頭像 發(fā)表于 05-18 15:50 ?96次閱讀

    深入解析 Onsemi NST3946DXV6 互補(bǔ)通用晶體管

    深入解析 Onsemi NST3946DXV6 互補(bǔ)通用晶體管 在電子工程師的日常工作中,選擇合適的晶體管對(duì)于電路設(shè)計(jì)至關(guān)重要。今天,我們就
    的頭像 發(fā)表于 05-18 16:00 ?77次閱讀

    探索 onsemi NJD1718 和 NJVNJD1718 功率晶體管:特性、參數(shù)與應(yīng)用

    探索 onsemi NJD1718 和 NJVNJD1718 功率晶體管:特性、參數(shù)與應(yīng)用 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率
    的頭像 發(fā)表于 05-20 13:50 ?134次閱讀
    北安市| 应城市| 都安| 大竹县| 台东县| 色达县| 兰西县| 交口县| 郁南县| 湘潭市| 龙海市| 云霄县| 霍州市| 佛学| 彩票| 探索| 浑源县| 武平县| 兴安盟| 化德县| 花垣县| 鄂托克旗| 建水县| 景宁| 泽库县| 福海县| 习水县| 开平市| 鸡东县| 紫金县| 馆陶县| 喀喇| 屏山县| 寻甸| 霍林郭勒市| 从化市| 鄱阳县| 陆河县| 本溪| 呼伦贝尔市| 绥中县|