深入解析 onsemi MPSA29 NPN達(dá)林頓晶體管
深入解析 onsemi MPSA29 NPN達(dá)林頓晶體管
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，選擇合適的晶體管對(duì)于電路性能至關(guān)重要。今天，我們就來深入了解一下 onsemi 公司的 MPSA29 NPN 達(dá)林頓晶體管，看看它有哪些特性和優(yōu)勢(shì)，以及在實(shí)際應(yīng)用中需要注意的地方。
文件下載：MPSA29-D.PDF
一、產(chǎn)品概述
MPSA29 是一款專為在集電極電流達(dá)到 500 mA 時(shí)需要極高電流增益的應(yīng)用而設(shè)計(jì)的 NPN 達(dá)林頓晶體管。它采用了特定的工藝（工藝 03），如果想了解相關(guān)特性，也可以參考 MPSA28。這款晶體管還有一個(gè)亮點(diǎn)，它是無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑（BFR）的，并且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，這在環(huán)保要求日益嚴(yán)格的今天是非常重要的。
二、絕對(duì)最大額定值
| 在使用晶體管時(shí)，了解其絕對(duì)最大額定值是非常關(guān)鍵的，因?yàn)槌^這些值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。以下是 MPSA29 的絕對(duì)最大額定值（除非另有說明，值均在 $T_{A}=25^{circ} C$ 時(shí)測(cè)量）： | 參數(shù) | 符號(hào) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | VCEO | 100 | V | |
| 集電極 - 基極電壓 | VCBO | 100 | V | |
| 發(fā)射極 - 基極電壓 | VEBO | 12 | V | |
| 集電極連續(xù)電流 | IC | 800 | mA | |
| 工作和存儲(chǔ)結(jié)溫范圍 | TJ, TSTG | -55 至 150 | °C |
需要注意的是，這些額定值是基于最大結(jié)溫 150°C 得出的，并且是穩(wěn)態(tài)限制。對(duì)于涉及脈沖或低占空比操作的應(yīng)用，建議咨詢 onsemi 公司。
三、熱特性
| 熱特性對(duì)于晶體管的性能和壽命也有著重要影響。以下是 MPSA29 的熱特性參數(shù)（除非另有說明，值均在 $T_{A}=25^{circ} C$ 時(shí)測(cè)量），這里的 PCB 尺寸為 FR - 4，76 mm x 114 mm x 1.57 mm（3.0 英寸 x 4.5 英寸 x 0.062 英寸），且具有最小焊盤尺寸： | 參數(shù) | 符號(hào) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 總器件功耗 | PD | 625 | mW | |
| 25°C 以上的功耗降額 | PD | 5.0 | mW/°C | |
| 結(jié)到外殼的熱阻 | RUC | 83.3 | °C/W | |
| 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | RUA | 200 | °C/W |
在設(shè)計(jì)電路時(shí)，我們需要根據(jù)這些熱特性參數(shù)來合理安排散熱措施，確保晶體管在合適的溫度范圍內(nèi)工作。
四、電氣特性
| MPSA29 的電氣特性是我們?cè)谠O(shè)計(jì)電路時(shí)需要重點(diǎn)關(guān)注的內(nèi)容。以下是其主要電氣特性參數(shù)（除非另有說明，值均在 $T_{A}=25^{circ} C$ 時(shí)測(cè)量），產(chǎn)品的參數(shù)性能是在所列測(cè)試條件下的電氣特性中體現(xiàn)的，如果在不同條件下操作，產(chǎn)品性能可能會(huì)有所不同。脈沖測(cè)試條件為：脈沖寬度 ≤ 300 μs，占空比 ≤ 2.0%。 | 參數(shù) | 條件 | 最小值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| BVCEO（集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓） | $I{C}=100 mu A, I{B}=0$ | 100 | V | ||
| 集電極 - 基極擊穿電壓 | $I{C}=100 mu A, I{E}=0$ | 100 | V | ||
| BVEBO（發(fā)射極 - 基極擊穿電壓） | $I{E}=10 mu A, I{C}=0$ | 12 | V | ||
| ICBO（集電極截止電流） | $V{CB}=80 V, I{E}=0$ | 100 | nA | ||
| CES（集電極截止電流） | $V{CE}=80V, I{E}=0$ | nA | |||
| 發(fā)射極截止電流 | $V{EB}=10V, I{C}=0$ | 100 | nA | ||
| hFE（直流電流增益） | $V{CE}=5.0 V, I{C}=10 mA$ | 10,000 | |||
| $V{CE}=5.0 V, I{C}=100 mA$ | 10,000 | ||||
| VCE(sat)（集電極 - 發(fā)射極飽和電壓） | $I{C}=10 mA, I{B}=0.01 mA$ | 1.2 | V | ||
| $I{C}=100 mA, I{B}=0.1 mA$ | 1.5 | V | |||
| VBE(on)（基極 - 發(fā)射極導(dǎo)通電壓） | $I{C}=100 mA, V{CE}=5.0 V$ | 2.0 | V | ||
| fT（電流增益 - 帶寬乘積） | $I{C}=15 mA, V{CE}=5.0 V, f = 100 MHz$ | 125 | MHz | ||
| Cobo（輸出電容） | $V{CB}=10 V, I{E}=0, f = 1.0 MHz$ | 8.0 | pF |
這些電氣特性參數(shù)為我們?cè)?a href="http://m.sdkjxy.cn/v/tag/167/" target="_blank">電路設(shè)計(jì)中選擇合適的工作點(diǎn)和評(píng)估電路性能提供了重要依據(jù)。例如，高直流電流增益（hFE）可以讓我們用較小的基極電流控制較大的集電極電流，從而實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大。
五、封裝與訂購信息
| MPSA29 有兩種封裝形式： | 部件編號(hào) | 頂部標(biāo)記 | 封裝 | 包裝方式 |
|---|---|---|---|---|
| MPSA29 | MPSA29 | TO - 92 - 3，外殼 135AN（無鉛） | 10,000 個(gè)/散裝盒 | |
| MPSA29 - D26Z | MPSA29 | TO - 92 - 3，外殼 135AR（無鉛） | 2,000 個(gè)/卷帶包裝 |
對(duì)于卷帶包裝的規(guī)格，包括部件方向和卷帶尺寸等信息，可以參考 onsemi 的《Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D》。
六、總結(jié)與思考
MPSA29 NPN 達(dá)林頓晶體管以其高電流增益、良好的電氣特性和環(huán)保特性，在需要高電流增益的應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢(shì)。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，我們需要根據(jù)電路的具體需求，合理利用其電氣和熱特性參數(shù)，同時(shí)注意絕對(duì)最大額定值，以確保器件的正常工作和可靠性。大家在使用 MPSA29 時(shí)，有沒有遇到過一些有趣的問題或者獨(dú)特的應(yīng)用場(chǎng)景呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享。
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電氣特性
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達(dá)林頓對(duì)NPN晶體管的工作原理和優(yōu)缺點(diǎn)
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