深入了解MPS751硅PNP晶體管：特性、參數(shù)與應(yīng)用考量
深入了解MPS751硅PNP晶體管：特性、參數(shù)與應(yīng)用考量
一、公司背景與聲明
ON Semiconductor現(xiàn)更名為onsemi。該公司擁有眾多專(zhuān)利、商標(biāo)、版權(quán)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)，產(chǎn)品信息可在其官網(wǎng)www.onsemi.com查詢(xún)，產(chǎn)品專(zhuān)利覆蓋情況可訪問(wèn)www.onsemi.com/site/pdf/Patent - Marking.pdf獲取。需要注意的是，onsemi有權(quán)隨時(shí)更改產(chǎn)品或信息，且不承擔(dān)產(chǎn)品應(yīng)用中的相關(guān)責(zé)任。其產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備等特定場(chǎng)景，如果買(mǎi)家將產(chǎn)品用于非授權(quán)應(yīng)用，需承擔(dān)相應(yīng)責(zé)任。
文件下載：MPS751-D.PDF
二、MPS751硅PNP晶體管概述
MPS751是一款硅PNP晶體管，具有低飽和電壓的特性。其引腳分別為1. 發(fā)射極（Emitter）、2. 基極（Base）、3. 集電極（Collector）。
三、絕對(duì)最大額定值
| 在環(huán)境溫度 (T_{C}=25^{circ} C)（除非另有說(shuō)明）的條件下，MPS751的絕對(duì)最大額定值如下： | Symbol | Parameter | Value | Units |
|---|---|---|---|---|
| V CEO | 集電極 - 發(fā)射極電壓 | -60 | V | |
| I C | 集電極電流（直流） | 2 | A | |
| P C | 集電極耗散功率（(T_{a}=25 ° C)） | 625 | mW | |
| T J | 結(jié)溫 | 150 | ° C | |
| T STG | 存儲(chǔ)溫度 | - 55 ~ 150 | ° C |
這里需要思考的是，在實(shí)際設(shè)計(jì)中，我們必須嚴(yán)格遵守這些額定值，否則可能會(huì)導(dǎo)致晶體管性能下降甚至損壞。大家在設(shè)計(jì)時(shí)是否有遇到過(guò)因超出額定值而出現(xiàn)問(wèn)題的情況呢？
四、電氣特性
同樣在 (T_{C} =25°C)（除非另有說(shuō)明）的條件下，MPS751的電氣特性參數(shù)如下：
1. 擊穿電壓
| Symbol | Parameter | Test Condition | Min. | Typ. | Max. | Units |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BV CBO | 集電極 - 基極電壓 | (I_{C} = 100 μ A) | -80 | V | ||
| BV CEO | 集電極 - 發(fā)射極電壓 | (I_{C} = 10mA) | -60 | V | ||
| BV EBO | 發(fā)射極 - 基極電壓 | (I_{E} = 10 μ A) | -5 | V |
2. 截止電流
| Symbol | Parameter | Test Condition | Min. | Typ. | Max. | Units |
|---|---|---|---|---|---|---|
| I CBO | 集電極截止電流 | (V_{CB} = 30V) | 100 | nA | ||
| I EBO | 發(fā)射極截止電流 | (V_{EB} = 3V) | 100 | nA |
3. 直流電流增益
| Symbol | Parameter | Test Condition | Min. | Typ. | Max. | Units |
|---|---|---|---|---|---|---|
| h FE | 直流電流增益 | (V{CE} = 2V, I{C} = 50mA) (V{CE} = 2V, I{C} = 500mA) (V{CE} = 2V, I{C} = 1A) (V{CE} = 2V, I{C} = 2A) |
75 75 75 40 |
4. 飽和電壓
| Symbol | Parameter | Test Condition | Min. | Typ. | Max. | Units |
|---|---|---|---|---|---|---|
| V CE (sat) | 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓 | (I{C} = 2A, I{B} = 200mA) (I{C} = 1A, I{B} = 100mA) |
0.5 0.3 |
V | ||
| V BE (sat) | 基極 - 發(fā)射極飽和電壓 | (I{C} = 1A, I{B} = 100mA) | 1.2 | V |
5. 導(dǎo)通電壓
| Symbol | Parameter | Test Condition | Min. | Typ. | Max. | Units |
|---|---|---|---|---|---|---|
| V BE (on) | 基極 - 發(fā)射極導(dǎo)通電壓 | (V{CE} = 5V, I{C} = 2mA) | 1 | V |
6. 電流增益帶寬積
| Symbol | Parameter | Test Condition | Min. | Typ. | Max. | Units |
|---|---|---|---|---|---|---|
| f T | 電流增益帶寬積 | (V{CE} = 5V, I{C} = 50mA) (f = 100MHz) |
75 | MHz |
這些電氣特性參數(shù)對(duì)于我們?cè)O(shè)計(jì)電路至關(guān)重要，不同的參數(shù)會(huì)影響晶體管在電路中的性能表現(xiàn)。在實(shí)際應(yīng)用中，我們需要根據(jù)具體的電路需求來(lái)選擇合適的參數(shù)。大家在設(shè)計(jì)時(shí)是如何權(quán)衡這些參數(shù)的呢？
五、注意事項(xiàng)
- 這些額定值是限制值，超過(guò)這些值可能會(huì)損害半導(dǎo)體器件的使用壽命。
- 上述額定值是穩(wěn)態(tài)限制，對(duì)于涉及脈沖或低占空比操作的應(yīng)用，應(yīng)咨詢(xún)廠家。
- 這些額定值基于最大結(jié)溫150°C。
六、產(chǎn)品訂購(gòu)與技術(shù)支持
如果需要訂購(gòu)相關(guān)文獻(xiàn)，可以通過(guò)以下方式：
- 文獻(xiàn)配送中心：Literature Distribution Center for ON Semiconductor 19521 E. 32nd Pkwy, Aurora, Colorado 80011 USA
- 電話(huà)：303 - 675 - 2175 或 800 - 344 - 3860（美國(guó)/加拿大免費(fèi)）
- 傳真：303 - 675 - 2176 或 800 - 344 - 3867（美國(guó)/加拿大免費(fèi)）
- 郵箱：orderlit@onsemi.com
技術(shù)支持方面：
- 北美技術(shù)支持：800 - 282 - 9855（美國(guó)/加拿大免費(fèi)）
- 歐洲、中東和非洲技術(shù)支持：電話(huà)421 33 790 2910
- 日本客戶(hù)服務(wù)中心：電話(huà)81 - 3 - 5817 - 1050
更多信息可訪問(wèn)官網(wǎng)www.onsemi.com，也可聯(lián)系當(dāng)?shù)劁N(xiāo)售代表。
總之，MPS751硅PNP晶體管在電子設(shè)計(jì)中有著廣泛的應(yīng)用前景，但在使用過(guò)程中，我們必須充分了解其各項(xiàng)參數(shù)和注意事項(xiàng)，以確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。大家在使用MPS751或者其他類(lèi)似晶體管時(shí)，有什么獨(dú)特的經(jīng)驗(yàn)或技巧嗎？歡迎分享交流。
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