探索 onsemi MJE15032(NPN)與 MJE15033(PNP)互補(bǔ)硅功率晶體管
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,選擇合適的晶體管對(duì)于實(shí)現(xiàn)高性能電路至關(guān)重要。今天,我們將深入探討 onsemi 公司的 MJE15032(NPN)和 MJE15033(PNP)互補(bǔ)硅功率晶體管,看看它們?cè)?a target="_blank">音頻放大器等應(yīng)用中能帶來(lái)怎樣的表現(xiàn)。
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產(chǎn)品概述
MJE15032(NPN)和 MJE15033(PNP)這對(duì)互補(bǔ)硅功率晶體管專(zhuān)為音頻放大器中的高頻驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)。它們采用 TO - 220 緊湊型封裝,具有高直流電流增益和高電流增益 - 帶寬積的特點(diǎn)。此外,其環(huán)氧樹(shù)脂符合 UL 94 V - 0 標(biāo)準(zhǔn)(厚度為 0.125 英寸),并且是無(wú)鉛產(chǎn)品,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。
關(guān)鍵參數(shù)與特性
最大額定值
| 額定參數(shù) | 符號(hào) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | VCEO | 250 | Vdc |
| 集電極 - 基極電壓 | VCB | 250 | Vdc |
| 發(fā)射極 - 基極電壓 | VEB | 5.0 | Vdc |
| 集電極連續(xù)電流 | Ic | 8.0 | Adc |
| 集電極峰值電流 | ICM | 16 | Adc |
| 基極電流 | - | 2.0 | Adc |
| 總功率耗散($T_{C}=25^{circ} C$),25°C 以上降額 | PD | 50(0.40 W/°C) | W |
| 總功率耗散($T_{A}=25^{circ} C$),25°C 以上降額 | PD | 2.0(0.016 W/°C) | W |
| 工作和存儲(chǔ)結(jié)溫范圍 | TJ, Tstg | -65 至 + 150 | °C |
| ESD - 人體模型 | HBM | 3B | V |
| ESD - 機(jī)器模型 | MM | C | V |
需要注意的是,超過(guò)最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會(huì)損壞器件。若超出這些限制,不能保證器件的功能,可能會(huì)發(fā)生損壞并影響可靠性。
熱特性
| 特性 | 符號(hào) | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結(jié)到外殼的熱阻 | Reuc | 2.5 | °C/W |
| 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | RUA | 62.5 | °C/W |
熱特性對(duì)于晶體管的穩(wěn)定工作至關(guān)重要。較低的熱阻意味著能夠更有效地散熱,從而保證晶體管在不同環(huán)境下的性能。
電氣特性
截止特性
- 集電極 - 發(fā)射極維持電壓($I{C}= 10 mAdc, I{B}=0$):VCEO(sus) 最小值為 250 Vdc。
- 集電極截止電流($V{CB}=250 Vdc, I{E}=0$):ICBO 最大值為 10 uAdc。
- 發(fā)射極截止電流($V{BE}=5.0Vdc,I{C}=0$):IEBO 最大值為 10 uAdc。
導(dǎo)通特性
- 直流電流增益(不同集電極電流和集電極 - 發(fā)射極電壓條件下):在$I{C}=0.5 Adc, V{CE}=5.0 Vdc$時(shí),hFE 最小值為 70;$I{C}=1.0 Adc, V{CE}=5.0 Vdc$時(shí),hFE 最小值為 50;$I{C}=2.0 Adc, V{CE}=5.0 Vdc$時(shí),hFE 最小值為 10。
- 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓($I{C}= 1.0 Adc, I{B} = 0.1 Adc$):VCE(sat) 最大值為 0.5 Vdc。
- 基極 - 發(fā)射極導(dǎo)通電壓($I{C}=1.0 Adc, V{CE}=5.0 Vdc$):VBE(on) 最大值為 1.0 Vdc。
動(dòng)態(tài)特性
電流增益 - 帶寬積($I{C}=500 mAdc, V{CE}=10 Vdc, f_{test }=1.0 MHz$):fT 最小值為 30 MHz。
這里需要提醒大家,產(chǎn)品的參數(shù)性能是在列出的測(cè)試條件下給出的。如果在不同條件下運(yùn)行,產(chǎn)品性能可能與電氣特性有所不同。例如,脈沖測(cè)試要求脈沖寬度 ≤300 μs,占空比 ≤2.0% 。
安全工作區(qū)
晶體管的功率處理能力受到平均結(jié)溫和二次擊穿兩個(gè)因素的限制。安全工作區(qū)曲線(xiàn)表明了晶體管的$I{C}-V{CE}$限制,為了可靠運(yùn)行,必須遵守這些限制,即晶體管的耗散不能超過(guò)曲線(xiàn)所示的值。
數(shù)據(jù)基于$T{J(pk)}=150^{circ} C$,$T{C}$會(huì)根據(jù)條件變化。二次擊穿脈沖限制在占空比達(dá) 10% 且$T{J(pk)} <150^{circ} C$時(shí)有效,$T{J(pk)}$可根據(jù)圖 1 的數(shù)據(jù)計(jì)算得出。在高外殼溫度下,熱限制會(huì)使可處理的功率低于二次擊穿所施加的限制。
封裝與訂購(gòu)信息
封裝尺寸
| 采用 TO - 220 - 3 封裝,尺寸為 10.10x15.12x4.45,引腳間距 2.54P。具體尺寸如下表: | 尺寸 | 最小值 | 標(biāo)稱(chēng)值 | 最大值 |
|---|---|---|---|---|
| A | 4.07 | 4.45 | 4.83 | |
| A1 | 1.15 | 1.28 | 1.41 | |
| A2 | 2.04 | 2.42 | 2.79 | |
| b | 1.15 | 1.34 | 1.52 | |
| b1 | 0.64 | 0.80 | 0.96 | |
| C | 0.36 | 0.49 | 0.61 | |
| D | 9.66 | 10.10 | 10.53 | |
| D1 | 8.43 | 8.63 | 8.83 | |
| E | 14.48 | 15.12 | 15.75 | |
| E1 | 12.58 | 12.78 | 12.98 | |
| E2 | 1.27 REF | - | - | |
| e | 2.42 | 2.54 | 2.66 | |
| e1 | 4.83 | 5.08 | 5.33 | |
| H1 | 5.97 | 6.22 | 6.47 | |
| L | 12.70 | 13.49 | 14.27 | |
| L1 | 2.80 | 3.45 | 4.10 | |
| Q | 2.54 | 2.79 | 3.04 | |
| OP | 3.60 | 3.85 | 4.09 | |
| Z | - | - | 3.48 |
訂購(gòu)信息
| 器件 | 封裝 | 包裝數(shù)量 |
|---|---|---|
| MJE15032G | TO - 220(無(wú)鉛) | 50 個(gè)/導(dǎo)軌 |
| MJE15033G | TO - 220(無(wú)鉛) | 50 個(gè)/導(dǎo)軌 |
總結(jié)
MJE15032(NPN)和 MJE15033(PNP)互補(bǔ)硅功率晶體管憑借其高電流增益、良好的熱特性和合適的封裝,在音頻放大器等高頻驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢(shì)。作為電子工程師,在設(shè)計(jì)相關(guān)電路時(shí),我們需要充分考慮這些參數(shù)和特性,以確保電路的性能和可靠性。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過(guò)類(lèi)似晶體管的使用問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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功率晶體管
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