探索 onsemi MJE170/180 系列功率晶體管:設(shè)計(jì)與應(yīng)用的理想之選
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率晶體管是至關(guān)重要的基礎(chǔ)元件,其性能直接影響著電子設(shè)備的整體表現(xiàn)。今天,我們就來(lái)深入了解 onsemi 推出的 MJE170/180 系列互補(bǔ)型塑料硅功率晶體管,看看它能為我們的設(shè)計(jì)帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。
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產(chǎn)品概述
MJE170/180 系列包含了 PNP 型的 MJE170G、MJE171G、MJE172G 和 NPN 型的 MJE180G、MJE181G、MJE182G 等型號(hào)。該系列專為低功率音頻放大器以及低電流、高速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì),能夠滿足多種電子電路的需求。
產(chǎn)品特性
高直流電流增益
高直流電流增益意味著晶體管能夠更有效地放大電流信號(hào),這對(duì)于音頻放大器等需要精確信號(hào)放大的應(yīng)用來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。它可以確保信號(hào)在放大過(guò)程中保持較高的保真度,減少失真。
高電流增益 - 帶寬積
高電流增益 - 帶寬積使得晶體管在較寬的頻率范圍內(nèi)都能保持良好的性能。在高速開關(guān)應(yīng)用中,這一特性可以保證晶體管能夠快速響應(yīng)信號(hào)的變化,提高開關(guān)速度,降低開關(guān)損耗。
環(huán)形結(jié)構(gòu)降低漏電流
采用環(huán)形結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),有效降低了晶體管的漏電流。漏電流的降低不僅可以提高晶體管的效率,還能減少功耗,延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。
環(huán)保設(shè)計(jì)
這些器件是無(wú)鉛的,并且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。這不僅體現(xiàn)了 onsemi 在環(huán)保方面的責(zé)任,也滿足了現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)環(huán)保材料的要求。同時(shí),其環(huán)氧樹脂符合 UL 94 V - 0 標(biāo)準(zhǔn),具有良好的阻燃性能,提高了設(shè)備的安全性。
最大額定值
| 以 MJE171G、MJE181G 為例,其最大額定值如下: | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 總功率耗散(@Tc = 25°C) | 1.0 | W | |
| 集電極電流 | 0.1 | A |
需要注意的是,超過(guò)最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會(huì)損壞器件。如果超過(guò)這些限制,不能保證器件的功能正常,可能會(huì)發(fā)生損壞并影響可靠性。
電氣特性
產(chǎn)品的電氣特性在特定測(cè)試條件下給出,除非另有說(shuō)明,一般測(cè)試溫度為 (T{C}=25^{circ} C)。不過(guò),當(dāng)器件在不同條件下工作時(shí),其性能可能會(huì)有所不同。例如,特征頻率 (f{T}) 可以通過(guò)公式 (f{T}=|h{f e}| cdot f_{test }) 計(jì)算得出。
安全工作區(qū)
晶體管的功率處理能力受到平均結(jié)溫和二次擊穿兩個(gè)因素的限制。安全工作區(qū)曲線表明了晶體管的 (I{C}-V{CE}) 限制,為了保證可靠運(yùn)行,必須遵守這些限制。也就是說(shuō),晶體管的耗散功率不能超過(guò)曲線所示的值。
圖 5 和圖 6 中的數(shù)據(jù)基于 (T{J(pk)}=150^{circ} C),而 (T{C}) 會(huì)根據(jù)具體條件而變化。二次擊穿脈沖限制在占空比達(dá)到 10% 且 (T{J(pk)}<150^{circ} C) 時(shí)有效。(T{J(pk)}) 可以根據(jù)圖 4 中的數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算。在高外殼溫度下,熱限制會(huì)使晶體管能夠處理的功率低于二次擊穿所施加的限制。
封裝與訂購(gòu)信息
| 該系列晶體管采用 TO - 225 封裝,并且都是無(wú)鉛封裝。具體的訂購(gòu)信息如下: | 器件型號(hào) | 封裝 | 包裝數(shù)量 |
|---|---|---|---|
| MJE170G | TO - 225(無(wú)鉛) | 500 個(gè)/盒 | |
| MJE171G | TO - 225(無(wú)鉛) | 500 個(gè)/盒 | |
| MJE172G | TO - 225(無(wú)鉛) | 500 個(gè)/盒 | |
| MJE180G | TO - 225(無(wú)鉛) | 500 個(gè)/盒 | |
| MJE181G | TO - 225(無(wú)鉛) | 500 個(gè)/盒 | |
| MJE182G | TO - 225(無(wú)鉛) | 500 個(gè)/盒 |
機(jī)械尺寸
| TO - 225 封裝的機(jī)械尺寸如下: | 尺寸 | 最小值(mm) | 最大值(mm) |
|---|---|---|---|
| A | 2.40 | 3.00 | |
| A1 | 1.00 | 1.50 | |
| b | 0.60 | 0.90 | |
| b2 | 0.51 | 0.88 | |
| c | 0.39 | 0.63 | |
| D | 10.60 | 11.10 | |
| E | 7.40 | 7.80 | |
| e | 2.04 | 2.54 | |
| L | 14.50 | 16.63 | |
| L1 | 1.27 | 2.54 | |
| P | 2.90 | 3.30 | |
| Q | 3.80 | 4.20 |
在進(jìn)行電路板設(shè)計(jì)時(shí),我們需要根據(jù)這些尺寸來(lái)合理安排晶體管的布局,確保其與其他元件之間有足夠的空間,避免相互干擾。
總結(jié)
onsemi 的 MJE170/180 系列功率晶體管憑借其高直流電流增益、高電流增益 - 帶寬積、低漏電流以及環(huán)保設(shè)計(jì)等特性,成為低功率音頻放大器和低電流、高速開關(guān)應(yīng)用的理想選擇。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,結(jié)合晶體管的最大額定值、電氣特性和安全工作區(qū)等參數(shù),合理選擇和使用這些晶體管,以確保設(shè)計(jì)的可靠性和性能。
大家在使用這款晶體管的過(guò)程中,有沒(méi)有遇到過(guò)什么問(wèn)題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)兀繗g迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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功率晶體管
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