日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

探究 onsemi FMB5551 NPN通用放大器:特性與應(yīng)用解析

lhl545545 ? 2026-05-22 09:50 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

探究 onsemi FMB5551 NPN通用放大器:特性與應(yīng)用解析

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,高性能的通用放大器是眾多電路設(shè)計(jì)的核心組件。今天,我們就來(lái)深入了解 onsemi 推出的 FMB5551 NPN 通用放大器,看看它在硬件設(shè)計(jì)中能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。

文件下載:FMB5551-D.PDF

產(chǎn)品概述

FMB5551 采用 SUPERSOT - 6 表面貼裝封裝,屬于 TSOT23 6 - 引腳封裝類(lèi)型。該器件專(zhuān)為通用高壓放大器和氣體放電顯示驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì),源自工藝 16。它具有無(wú)鉛、無(wú)鹵素/無(wú)溴化阻燃劑(BFR)且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的特點(diǎn),環(huán)保性能出色。

絕對(duì)最大額定值

在使用 FMB5551 時(shí),我們必須關(guān)注其絕對(duì)最大額定值,以確保器件的安全和穩(wěn)定運(yùn)行。以下是一些關(guān)鍵的額定值參數(shù): 參數(shù) 數(shù)值 單位
集電極 - 發(fā)射極電壓($V_{CEO}$) 160(另一個(gè)值 180) V
發(fā)射極 - 基極電壓($V_{EBO}$) 6 V
集電極電流($I_{C}$) 600 mA
集電極耗散功率($T_{A}=25^{circ}C$) 0.7 W
結(jié)溫($T_{J}$) 150 $^{circ}C$
存儲(chǔ)溫度范圍($T_{STG}$) -55 至 +150 $^{circ}C$
熱阻($R_{theta JA}$) 180 $^{circ}C$/W

需要注意的是,超過(guò)最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會(huì)損壞器件。如果超出這些限制,不能保證器件的功能,可能會(huì)發(fā)生損壞并影響可靠性。對(duì)于兩個(gè)晶體管的總功率耗散($P{D}$),每個(gè)晶體管的 $P{D}=350 mW$。

電氣特性

截止特性

  • 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓($BV_{CEO}$):當(dāng)集電極電流 $I{C}=1 mA$ 時(shí),$BV{CEO}$ 最小值為 160V。
  • 集電極 - 基極擊穿電壓($BVCBO$):當(dāng)集電極電流 $I_{C}=10 A$ 時(shí),$BVCBO$ 為 180V。
  • 發(fā)射極 - 基極擊穿電壓($BVEBO$):當(dāng)發(fā)射極電流 $I_{E}=10 A$ 時(shí),$BVEBO$ 為 6V。
  • 集電極截止電流($I_{CBO}$):在集電極 - 基極電壓 $V{CB}=120 V$ 時(shí),常溫下最大值為 50 nA;當(dāng)溫度 $T = 100^{circ}C$ 時(shí),$I{CBO}$ 為 50 μA。
  • 發(fā)射極截止電流($I_{EBO}$):當(dāng)發(fā)射極 - 基極電壓 $V_{EB}=4 V$ 時(shí),最大值為 50 nA。

導(dǎo)通特性

  • 直流電流增益($h_{FE}$):在不同的集電極電流和集電極 - 發(fā)射極電壓條件下,$h{FE}$ 有不同的表現(xiàn)。例如,在 $V{CE}=5 V$,$I{C}=1 mA$ 時(shí),$h{FE}$ 最小值為 80;$I{C}=10 mA$ 時(shí),$h{FE}$ 最小值也為 80;$I{C}=50 mA$ 時(shí),$h{FE}$ 最小值為 30。
  • 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓($V_{CE(sat)}$):當(dāng) $I{C}=10 mA$,$I{B}=1 mA$ 時(shí),$V{CE(sat)}$ 最大值為 0.15V;當(dāng) $I{C}=50 mA$,$I{B}=5 mA$ 時(shí),$V{CE(sat)}$ 最大值為 0.2V。
  • 基極 - 發(fā)射極飽和電壓($V_{BE(sat)}$):在上述兩種電流條件下,$V_{BE(sat)}$ 最大值均為 1V。

信號(hào)特性

  • 輸出電容($C_{ob}$):文檔未給出具體數(shù)值。
  • 輸入電容($C_{ib}$):典型值為 20 pF。
  • 特征頻率($f_{T}$):在 $V{CE}=10V$,$I{C}=10mA$ 條件下,$f_{T}$ 典型值為 300 MHz。
  • 噪聲系數(shù):文檔未給出具體數(shù)值。
  • 小信號(hào)電流增益($h_{FE}$):在 $V{CE}=10 V$,$I{C}=1 mA$,$f = 1 kHz$ 條件下,$h_{FE}$ 最小值為 50。

訂購(gòu)信息

FMB5551 采用 TSOT23 6 - 引腳無(wú)鉛封裝,每卷 3000 個(gè)。如需了解帶盤(pán)規(guī)格(包括零件方向和帶盤(pán)尺寸),可參考帶盤(pán)封裝規(guī)格手冊(cè) BRD8011/D。

注意事項(xiàng)

在使用 FMB5551 進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí),我們要注意產(chǎn)品的性能可能會(huì)受到實(shí)際工作條件的影響。文檔中給出的電氣特性是在特定測(cè)試條件下的參數(shù),實(shí)際應(yīng)用中如果工作條件不同,產(chǎn)品性能可能會(huì)有所差異。此外,onsemi 產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA 3 類(lèi)醫(yī)療設(shè)備或類(lèi)似分類(lèi)的醫(yī)療設(shè)備以及人體植入設(shè)備。

作為電子工程師,我們?cè)谶x擇和使用 FMB5551 時(shí),要充分考慮其各項(xiàng)特性和限制,結(jié)合實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行合理設(shè)計(jì),以確保電路的性能和可靠性。你在使用類(lèi)似的通用放大器時(shí),遇到過(guò)哪些挑戰(zhàn)呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電氣特性
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    494

    瀏覽量

    10361
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    安森美雙芯片NPN通用放大器NSVT5551DW1:設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析

    安森美雙芯片NPN通用放大器NSVT5551DW1:設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,放大器是不可
    的頭像 發(fā)表于 05-18 14:45 ?162次閱讀

    探索NSVT5551MR6:通用NPN放大器的卓越性能與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

    探索NSVT5551MR6:通用NPN放大器的卓越性能與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 在電子工程師的日常工作中,選擇合適的電子元件是確保項(xiàng)目成功的關(guān)鍵。今天我們要深入探討的是安森美(
    的頭像 發(fā)表于 05-18 15:05 ?212次閱讀

    探索 onsemi NPN 通用放大器 MPSA05:特性、參數(shù)與應(yīng)用考量

    探索 onsemi NPN 通用放大器 MPSA05:特性、參數(shù)與應(yīng)用考量 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,通用
    的頭像 發(fā)表于 05-20 14:45 ?278次閱讀

    探索 onsemi PNP 多芯片通用放大器 FMB3906 和 MMPQ3906

    探索 onsemi PNP 多芯片通用放大器 FMB3906 和 MMPQ3906 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,一款合適的放大器能為電路性能帶來(lái)顯著提升
    的頭像 發(fā)表于 05-20 15:30 ?110次閱讀

    onsemi PNP多芯片通用放大器FFB2907A、FMB2907A、MMPQ2907A深度解析

    onsemi PNP多芯片通用放大器FFB2907A、FMB2907A、MMPQ2907A深度解析 作為電子工程師,在設(shè)計(jì)
    的頭像 發(fā)表于 05-20 15:30 ?138次閱讀

    Onsemi NPN多芯片通用放大器FMB3904與MMPQ3904的技術(shù)剖析

    Onsemi NPN多芯片通用放大器FMB3904與MMPQ3904的技術(shù)剖析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,通用
    的頭像 發(fā)表于 05-20 15:35 ?119次閱讀

    探索 onsemi NPN 多芯片通用放大器 FMB2222A 和 MMPQ2222A

    探索 onsemi NPN 多芯片通用放大器 FMB2222A 和 MMPQ2222A 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,
    的頭像 發(fā)表于 05-20 15:45 ?148次閱讀

    探索 onsemi MMBT100 NPN通用放大器特性與應(yīng)用解析

    探索 onsemi MMBT100 NPN通用放大器特性與應(yīng)用解析 作為電子工程師,在設(shè)計(jì)電路
    的頭像 發(fā)表于 05-21 11:30 ?335次閱讀

    深入解析 onsemi KSP2222A NPN通用放大器

    深入解析 onsemi KSP2222A NPN通用放大器 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中,放大器是不
    的頭像 發(fā)表于 05-21 16:45 ?301次閱讀

    深度剖析 onsemi FMBM5551通用 NPN 放大器的卓越之選

    深度剖析 onsemi FMBM5551通用 NPN 放大器的卓越之選 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,選擇合適的
    的頭像 發(fā)表于 05-22 09:55 ?139次閱讀

    onsemi FFB2227A與FMB2227A:通用放大器晶體管解析

    onsemi FFB2227A與FMB2227A:通用放大器晶體管解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,晶體管作為基礎(chǔ)元件,其性能和
    的頭像 發(fā)表于 05-22 10:05 ?134次閱讀

    onsemi FMB3946:通用放大器與開(kāi)關(guān)的理想之選

    onsemi FMB3946:通用放大器與開(kāi)關(guān)的理想之選 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,一款性能出色的通用放大器
    的頭像 發(fā)表于 05-22 10:05 ?125次閱讀

    onsemi FFB2227A與FMB2227A:通用放大器的技術(shù)剖析

    onsemi FFB2227A與FMB2227A:通用放大器的技術(shù)剖析 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,選擇合適的晶體管至關(guān)重要。onsemi
    的頭像 發(fā)表于 05-25 13:45 ?123次閱讀

    深入解析 onsemi NPN 通用放大器 BCP54

    深入解析 onsemi NPN 通用放大器 BCP54 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,通用
    的頭像 發(fā)表于 05-25 16:25 ?132次閱讀

    解析2N5551 NPN通用放大器特性、參數(shù)與應(yīng)用考量

    解析2N5551 NPN通用放大器特性、參數(shù)與應(yīng)用考量 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,
    的頭像 發(fā)表于 05-26 16:00 ?154次閱讀
    武乡县| 册亨县| 巴彦县| 临邑县| 奉新县| 历史| 鄱阳县| 普兰店市| 永康市| 万盛区| 武强县| 宣化县| 琼结县| 西充县| 黄石市| 湖北省| 西城区| 定西市| 蓬溪县| 大竹县| 资兴市| 赣榆县| 南木林县| 金乡县| 海口市| 镇江市| 巨鹿县| 壤塘县| 内丘县| 茂名市| 司法| 保德县| 高唐县| 乐业县| 雷山县| 西昌市| 雷州市| 松江区| 通榆县| 巴彦淖尔市| 东乡族自治县|