Onsemi通用NPN硅晶體管BC817系列產(chǎn)品解析
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,晶體管是不可或缺的基礎(chǔ)元件。今天我們來(lái)深入了解一下Onsemi的通用NPN硅晶體管BC817系列,包括BC817 - 16L、SBC817 - 16L、BC817 - 25L、SBC817 - 25L、BC817 - 40L和SBC817 - 40L。
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產(chǎn)品特性
該系列晶體管具有諸多特性,以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。其S和NSV前綴適用于汽車及其他有獨(dú)特場(chǎng)地和控制變更要求的應(yīng)用,并且通過(guò)了AEC - Q101認(rèn)證,具備PPAP能力。同時(shí),這些器件是無(wú)鉛、無(wú)鹵/無(wú)溴化阻燃劑的,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),這在環(huán)保意識(shí)日益增強(qiáng)的今天顯得尤為重要。
最大額定值
| Rating | Symbol | Value | Unit |
|---|---|---|---|
| Collector ? Emitter Voltage | VCEO | 45 | V |
| Collector ? Base Voltage | VCBO | 50 | V |
| Emitter ? Base Voltage | VEBO | 5.0 | V |
| Collector Current ? Continuous | IC | 500 | mAdc |
這些最大額定值是我們?cè)谑褂迷摼w管時(shí)必須要關(guān)注的,超過(guò)這些額定值可能會(huì)損壞器件,影響其可靠性。大家在設(shè)計(jì)電路時(shí),一定要確保工作參數(shù)在這些額定值范圍內(nèi),你是否在實(shí)際設(shè)計(jì)中遇到過(guò)因?yàn)槌鲱~定值而導(dǎo)致器件損壞的情況呢?
熱特性
| 熱特性對(duì)于晶體管的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。以下是該系列晶體管的熱特性參數(shù): | Characteristic | Symbol | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|
| Total Device Dissipation FR - 5 Board, (Note 1) (T_{A}=25^{circ} C) Derate above 25°C | PD | 225 1.8 | mW mW/°C | |
| Thermal Resistance, Junction - to - Ambient | RUA | 556 | °C/W | |
| Total Device Dissipation Alumina Substrate, (Note 2) (T_{A}=25^{circ} C) Derate above 25°C | PD | 300 2.4 | mW mW/°C | |
| Thermal Resistance, Junction - to - Ambient | RUA | 417 | °C/W | |
| Junction and Storage Temperature | TJ, Tstg | - 65 to +150 | °C |
從這些參數(shù)可以看出,不同的基板材料(FR - 5板和氧化鋁基板)對(duì)器件的散熱性能有影響。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的基板,以確保晶體管能夠在合適的溫度范圍內(nèi)工作。你在設(shè)計(jì)散熱方案時(shí),通常會(huì)考慮哪些因素呢?
電氣特性
截止特性
| Characteristic | Symbol | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|
| Collector - Emitter Breakdown Voltage (IC = 10 mA) | V(BR)CEO | 45 | V | ||
| Collector - Emitter Breakdown Voltage ((V{EB}=0,I{C}=10mu A)) | V(BR)CES | 50 | V | ||
| Emitter - Base Breakdown Voltage (IE = 1.0 μA) | V(BR)EBO | 5.0 | V | ||
| Collector Cutoff Current (VCB = 20 V) (left(V{C B}=20 ~V, ~T{A}=150^{circ} Cright)) | ICBO | 100 5.0 | nA μA |
這些截止特性參數(shù)決定了晶體管在截止?fàn)顟B(tài)下的性能,對(duì)于設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電路等應(yīng)用非常重要。
導(dǎo)通特性
| Characteristic | Symbol | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|
| DC Current Gain (left(I{C}=100 ~mA, ~V{CE}=1.0 ~Vright)) BC817 - 16, SBC817 - 16 BC817 - 25, SBC817 - 25 | hFE | 100 160 | 250 400 600 | ||
| BC817 - 40, SBC817 - 40 ((I{C}=500mA,V{CE}=1.0V)) | 250 40 | ||||
| Collector - Emitter Saturation Voltage (left(I{C}=500 ~mA, I{B}=50 ~mAright)) | VCE(sat) | 0.7 | V | ||
| Base - Emitter On Voltage (left(I{C}=500 ~mA, ~V{CE}=1.0 ~Vright)) | VBE(on) | 1.2 | V |
導(dǎo)通特性反映了晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下的性能,不同型號(hào)的晶體管在直流電流增益等方面有所差異,我們可以根據(jù)具體的設(shè)計(jì)需求選擇合適的型號(hào)。
小信號(hào)特性
| Characteristic | Symbol | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|
| Current - Gain - Bandwidth Product (left(I{C}=10 ~mA, ~V{CE}=5.0 Vdc, f = 100 MHzright)) | fT | 100 | MHz | ||
| Output Capacitance (VCB = 10 V,f = 1.0 MHz) | Cobo | 10 | pF |
小信號(hào)特性對(duì)于處理小信號(hào)的電路設(shè)計(jì)非常關(guān)鍵,例如放大器電路等。
開(kāi)關(guān)特性
| Characteristic | Symbol | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|
| Delay Time (left(V{C C}=3.0 Vdc, V{BE}=0.5 ~V, I_{C}=10 ~mAright)) | td | 85 | ns | ||
| Rise Time (left(V{C C}=3.0 V d c, V{B E}=0.5 ~V, I_{C}=10 ~mAright)) | t | 30 | ns | ||
| Storage Time (left(V{C C}=3.0 Vdc, I{C}=10 ~mA, I{B 1}=1 ~mA, I{B 2}=1 ~mAright)) | ts | 1000 | ns | ||
| Fall Time (left(V{C C}=3.0 Vdc, IC = 10 ~mA, IC{B 1}=1 ~mA, IC_{B 2}=1 ~mAright)) | tf | 300 | ns |
開(kāi)關(guān)特性決定了晶體管在開(kāi)關(guān)電路中的響應(yīng)速度,對(duì)于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用非常重要。
訂購(gòu)信息
| Device | Specific Marking | Package | Shipping ? |
|---|---|---|---|
| BC817?16LT1G | 6A | SOT?23 (Pb?Free) | 3000 / Tape & Reel |
| NSVBC817?16LT1G | |||
| BC817?16LT3G | 10,000 / Tape & Reel | ||
| SBC817?16LT3G | |||
| BC817?25LT1G | 6B | SOT?23 (Pb?Free) | |
| SBC817?25LT1G | 3000 / Tape & Reel | ||
| BC817?25LT3G | 10,000 / Tape & Reel | ||
| SBC817?25LT3G | |||
| BC817?40LT1G | 6C | SOT?23 (Pb?Free) | 3000 / Tape & Reel |
| SBC817?40LT1G | |||
| BC817?40LT3G | 10,000 / Tape & Reel | ||
| SBC817?40LT3G |
在訂購(gòu)時(shí),我們需要根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的器件和包裝形式。同時(shí),要注意不同的包裝對(duì)應(yīng)的發(fā)貨數(shù)量。
典型特性
文檔中還給出了不同型號(hào)晶體管的典型特性曲線,包括直流電流增益與集電極電流的關(guān)系、集電極 - 發(fā)射極飽和電壓與集電極電流的關(guān)系等。這些典型特性曲線可以幫助我們更好地了解晶體管在不同工作條件下的性能,從而優(yōu)化電路設(shè)計(jì)。
Onsemi的BC817系列晶體管具有豐富的特性和良好的性能,適用于多種電子電路設(shè)計(jì)。在實(shí)際應(yīng)用中,我們需要根據(jù)具體的需求,綜合考慮其各項(xiàng)參數(shù),選擇合適的型號(hào)和設(shè)計(jì)方案。你在使用該系列晶體管時(shí),有沒(méi)有什么獨(dú)特的經(jīng)驗(yàn)或者遇到過(guò)什么問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享。
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電子電路設(shè)計(jì)
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