onsemi NPN外延硅晶體管BC546 - BC550系列詳解

在電子設計領域，晶體管是不可或缺的基礎元件。今天要和大家分享的是安森美（onsemi）的NPN外延硅晶體管BC546、BC547、BC548、BC549和BC550系列。這些晶體管采用TO - 92封裝，具備多種特性，適用于多種電子電路設計。

文件下載：BC550-D.PDF

特性亮點

功能特性

• 高電壓與低噪聲：BC546具有65V的集電極 - 發(fā)射極電壓（(V_{CEO})），適用于需要高電壓的開關和放大電路。而BC549和BC550則具備低噪聲特性，在對噪聲要求較高的電路中表現(xiàn)出色。
• 互補性：該系列與BC556、BC557、BC558、BC559和BC560互補，為電路設計提供了更多的選擇和靈活性。
• 環(huán)保設計：這些晶體管都是無鉛器件，符合環(huán)保要求，響應了綠色電子的趨勢。

絕對最大額定值

電氣特性

電氣特性是衡量晶體管性能的關鍵指標，以下是在(T_{C}=25^{circ}C)條件下的部分電氣特性參數(shù)：

集電極截止電流（(I_{CBO})）

當(V{CB}=30V)，(I{E}=0)時，最大為15 nA。這一參數(shù)反映了晶體管在截止狀態(tài)下的漏電流大小。

直流電流增益（(h_{FE})）

在(V{CE}=5V)，(I{C}=2mA)的條件下，最小值為110，最大值為800。不同的(h_{FE})值可以滿足不同電路對電流放大倍數(shù)的要求。

集電極 - 發(fā)射極飽和電壓（(V_{CE(sat)})）

• 當(I{C}=10 mA)，(I{B}=0.5 mA)時，典型值為90 mV，最大值為250 mV。
• 當(I{C}=100 mA)，(I{B}=5 mA)時，典型值為250 mV，最大值為600 mV。

  基極 - 發(fā)射極飽和電壓（(V_{BE(sat)})）

• 當(I{C}=10 mA)，(I{B}=0.5 mA)時，典型值為700 mV。
• 當(I{C}=100 mA)，(I{B}=5 mA)時，典型值為900 mV。

  基極 - 發(fā)射極導通電壓（(V_{BE(on)})）

  在(V{CE}=5V)，(I{C}=2 mA)時，最小值為580 mV，典型值為660 mV，最大值為700 mV。

  電流增益帶寬積（(f_{T})）

  在(V{CE}=5V)，(I{C}=10mA)，(f = 100 MHz)的條件下，典型值為300 MHz。這一參數(shù)體現(xiàn)了晶體管在高頻下的放大能力。

  輸出電容（(C_{ob})）

  當(V{CB}=10V)，(I{E}=0)，(f = 1 MHz)時，典型值為3.5 pF，最大值為6.0 pF。

  輸入電容（(C_{ib})）

  當(V{EB}=0.5V)，(I{C}=0)，(f = 1 MHz)時，典型值為9 pF。

  噪聲系數(shù)（(NF)）

• BC546/BC547/BC548：在(V{CE}=5V)，(I{C}=200mu A)，(f = 1 kHz)，(R_{G}=2 kΩ)的條件下，典型值為2.0 dB，最大值為10.0 dB。
• BC549/BC550：在相同條件下，典型值為1.2 dB，最大值為4.0 dB。
• BC549在(V{CE}=5V)，(I{C}=200mu A)，(R_{G}=2 kΩ)，(f = 30)至(15000 MHz)的條件下，典型值為1.4 dB，最大值為4.0 dB。
• BC550在相同條件下，典型值為1.4 dB，最大值為3.0 dB。

hFE分類

在實際設計中，可根據(jù)電路對電流放大倍數(shù)的要求選擇合適的等級。

訂購信息

該系列晶體管有多種型號可供選擇，并且提供不同的包裝方式，如散裝袋（Bulk Bag）、彈藥盒包裝（Ammo Pack）和卷帶包裝（Tape & Reel）等。需要注意的是，部分型號已經(jīng)停產(chǎn)，具體信息可參考數(shù)據(jù)表第4頁的表格。

機械尺寸

晶體管采用TO - 92封裝，文檔中提供了詳細的機械尺寸圖，包括不同版本的TO - 92封裝尺寸，設計時可根據(jù)實際需求進行參考。

總結

onsemi的BC546 - BC550系列NPN外延硅晶體管具有多種特性和良好的電氣性能，適用于開關和放大電路等多種應用場景。在設計過程中，工程師需要根據(jù)具體的電路要求，合理選擇晶體管的型號和參數(shù)，同時嚴格遵守絕對最大額定值，以確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。大家在實際應用中是否遇到過這些晶體管的特殊問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。