onsemi N - Channel JFET（J109、MMBFJ108）器件詳解
onsemi N-Channel JFET（J109、MMBFJ108）器件詳解
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，合適的晶體管對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路至關(guān)重要。今天我們來(lái)深入了解 onsemi 的 N - Channel JFET（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管），型號(hào)為 J109 和 MMBFJ108，看看它們?cè)跀?shù)字開(kāi)關(guān)應(yīng)用中能帶來(lái)怎樣的表現(xiàn)。
文件下載：J109-D.PDF
一、器件特性
設(shè)計(jì)用途
這款器件專(zhuān)為對(duì)導(dǎo)通電阻要求極低的數(shù)字開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，采用了 Process 58 工藝，并且是無(wú)鉛器件，符合環(huán)保要求。
封裝形式
它有多種封裝形式，包括 TO - 92（3引腳，尺寸為 4.825x4.76 或 4.83x4.76）和 SOT - 23/SUPERSOT - 23（3引腳，尺寸為 1.4x2.9）。不同的封裝形式可以滿(mǎn)足不同的應(yīng)用場(chǎng)景和電路板布局需求。
二、最大額定值
| 在使用器件時(shí)，我們必須關(guān)注其最大額定值，以確保器件的安全和可靠運(yùn)行。以下是一些關(guān)鍵的最大額定值參數(shù)（環(huán)境溫度 (T_{A}=25^{circ} C) ）： | Symbol | Parameter | Value | Unit |
|---|---|---|---|---|
| (V_{DG}) | Drain?Gate Voltage | 25 | V | |
| (V_{GS}) | Gate?Source Voltage | ?25 | V | |
| (I_{GF}) | Forward Gate Current | 10 | mA | |
| (T{J}, T{STG}) | Operating and Storage Junction Temperature Range | ?55 to 150 | °C |
需要注意的是，超過(guò)這些最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。這些額定值是基于最大結(jié)溫 150°C 的穩(wěn)態(tài)條件，對(duì)于脈沖或低占空比操作，建議咨詢(xún) onsemi。
三、熱特性
| 熱特性對(duì)于器件的性能和壽命也非常重要。以下是相關(guān)的熱特性參數(shù)（(T_{A}=25^{circ} C) ）： | Symbol | MMBFJ108 | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|
| (P_{D}) | 350 | mW | ||
| 2.8 | mW/°C | |||
| (R_{JC}) | 125 | °C/W | ||
| (R_{JA}) | 357 | °C/W |
這些參數(shù)有助于我們?cè)谠O(shè)計(jì)電路時(shí)合理考慮散熱問(wèn)題，確保器件在合適的溫度范圍內(nèi)工作。
四、電氣特性
關(guān)斷特性
- (V_{(BR)GSS})（Gate?Source Breakdown Voltage）：當(dāng) (I{G} = -10 mu A) ，(V{DS} = 0) 時(shí)，該值為 -25 V。
- (I_{GSS})（Gate Reverse Current）：在 (V{GS} = -15 V) ，(V{DS} = 0) 條件下，為 -3.0 nA；當(dāng) (T_{A} = 100^{circ}C) 時(shí)，為 -200 nA。
- (V_{GS(off)})（Gate?Source Cut?Off Voltage）：對(duì)于 MMBFJ108，在 (V{DS} = 15 V) ，(I{D} = 10 nA) 時(shí)，范圍為 -3.0 至 -10.0 V；對(duì)于 J109，范圍為 -2.0 至 -6.0 V。
導(dǎo)通特性
- (I_{DSS})（Zero - Gate Voltage Drain Current）：典型值為 40 mA。
- (r_{Ds(on)})（Drain - Source On Resistance）：在 (V{DS} leq 0.1 V) ，(V{GS} = 0) 條件下，最大值為 8.0 (Omega) ，典型值為 12 (Omega) 。
小信號(hào)特性
- (C{dg(on)}) 和 (C{sg(off)})（Drain?Gate & Source?Gate On Capacitance）：在 (V{DS} = 0) ，(V{GS} = 0) ，(f = 1.0 MHz) 時(shí)，最大值為 85 pF。
- (C_{dg(off)})（Drain?Gate Off Capacitance）：在 (V{DS} = 0) ，(V{GS} = -10 V) ，(f = 1.0 MHz) 時(shí)，最大值為 15 pF。
- (C_{sg(off)})（Source?Gate Off Capacitance）：在 (V{DS} = 0) ，(V{GS} = -10 V) ，(f = 1.0 MHz) 時(shí)，最大值為 15 pF。
這里大家可以思考一下，這些電氣特性參數(shù)在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中會(huì)對(duì)電路的性能產(chǎn)生怎樣的影響呢？
五、典型性能特性
文檔中提供了一系列典型性能特性的圖表，包括常見(jiàn)的漏源特性、漏極導(dǎo)通電阻、漏極電流與柵源截止電壓關(guān)系、噪聲電壓與頻率關(guān)系、開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)間與柵源截止電壓和漏極電流關(guān)系等。這些圖表可以幫助我們更直觀地了解器件在不同條件下的性能表現(xiàn)，對(duì)于優(yōu)化電路設(shè)計(jì)非常有幫助。
六、訂購(gòu)信息
| Part Number | Top Mark | Package | Shipping |
|---|---|---|---|
| J109 | J109 | TO - 92 3L (Pb - Free) | 10000 Units / Bulk |
| J109 - D26Z | J109 | TO - 92 3L (Pb - Free) | 2000 / Tape & Reel 3000 / Tape & Reel |
| MMBFJ108 | I8 (Pb - Free) | SSOT 3L |
大家在訂購(gòu)時(shí)，可以根據(jù)自己的需求選擇合適的包裝和數(shù)量。
七、機(jī)械尺寸
文檔還提供了不同封裝形式的機(jī)械尺寸圖，包括 TO - 92 和 SOT - 23/SUPERSOT - 23 的詳細(xì)尺寸信息。這些信息對(duì)于電路板的布局和設(shè)計(jì)非常重要，確保器件能夠正確安裝和使用。
總的來(lái)說(shuō)，onsemi 的 J109 和 MMBFJ108 N - Channel JFET 在數(shù)字開(kāi)關(guān)應(yīng)用中具有低導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，通過(guò)了解其特性、額定值、電氣特性等參數(shù)，我們可以更好地將其應(yīng)用到實(shí)際電路設(shè)計(jì)中。大家在使用過(guò)程中遇到任何問(wèn)題，歡迎一起交流探討。
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