Onsemi BSR57 N-Channel JFET：低功耗、高性能的選擇
Onsemi BSR57 N-Channel JFET：低功耗、高性能的選擇
在電子設(shè)計領(lǐng)域，對于低功耗、高性能的追求從未停止。Onsemi的BSR57 N - Channel JFET（結(jié)型場效應(yīng)晶體管）就是一款值得關(guān)注的器件，它專為低功耗斬波或開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計，接下來讓我們深入了解一下。
文件下載：BSR57-D.PDF
器件概述
BSR57采用SOT - 23 - 3/5（無鉛）封裝，引腳定義為1腳是漏極（Drain），2腳是源極（Source），3腳是柵極（Gate），屬于CASE 318?08 SOT?23 STYLE 10類型。它基于51工藝制造，適用于低功耗的應(yīng)用場景。
絕對最大額定值
| 在使用任何電子器件時，了解其絕對最大額定值至關(guān)重要，這能確保器件在安全的工作范圍內(nèi)運行，避免損壞。以下是BSR57在 $T_{C}=25^{circ} C$（除非另有說明）時的絕對最大額定值： | 參數(shù) | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏極 - 柵極電壓 | $V_{DGO}$ | 40 | V | |
| 柵極 - 源極電壓 | $V_{GSO}$ | -40 | V | |
| 正向柵極電流 | $I_{GF}$ | 50 | mA | |
| 總功率耗散（環(huán)境溫度 $T_{amb}$ 最高40 °C） | $P_{tot}$ | 250 | mW | |
| 存儲溫度范圍 | $T_{STG}$ | -55 到 +150 | °C | |
| 結(jié)溫 | $T_{J}$ | 150 | °C |
需要注意的是，如果超過這些最大額定值，可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。
訂購信息
| 對于工程師來說，了解器件的訂購信息也很重要。BSR57的訂購信息如下： | 器件 | 封裝 | 運輸方式 |
|---|---|---|---|
| BSR57 | SOT?23?3/5（無鉛） | 3000 / 卷帶包裝 |
如果需要了解卷帶規(guī)格，包括部件方向和卷帶尺寸等信息，可以參考Onsemi的卷帶包裝規(guī)格手冊BRD8011/D。
電氣特性
| 電氣特性是評估器件性能的關(guān)鍵。以下是BSR57在 $T_{C}=25^{circ} C$（除非另有說明）時的電氣特性： | 符號 | 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| $BV_{GSS}$ | 柵極 - 源極電壓 | $V{DS}=0 V, I{C}=1.0 mu A$ | 40 | V | |||
| $I_{GSS}$ | 柵極反向電流 | $V{GS} = 20 V, V{DS} = 0 V$ | 1.0 | nA | |||
| $I_{DSS}$ | 零柵極電壓漏極電流 | $V{DS}=15V,V{GS}=0V$ | 20 | 100 | mA | ||
| $V_{GS(off)}$ | 柵極 - 源極截止電壓 | $V{DS}=15 V, I{D}=0.5 nA$ | 2.0 | 6.0 | V | ||
| $V_{DS(on)}$ | 漏極 - 源極導(dǎo)通電壓 | $V{GS} = 0 V, I{D}=10 mA$ | 0.5 | V | |||
| $r_{ds(on)}$ | 漏極 - 源極導(dǎo)通電阻 | $V{GS}=0 V, I{D}=1 mA$ | 40 | $Omega$ | |||
| $C_{rss}$ | 反向傳輸電容 | $V{DS}=0 V, V{GS}=10 V$ | 5.0 | pF | |||
| $t_muikaa0wy$ | 延遲時間 | $V{DD}=10V,V{GS(on)}=0V$ $I{D}=10 mA, V{GS}( off )=6.0 V$ | 6.0 | ns | |||
| $t_{r}$ | 上升時間 | 4.0 | ns | ||||
| $t_{off}$ | 關(guān)斷時間 | 50 | ns |
不過要注意，產(chǎn)品的參數(shù)性能是在所列測試條件下的電氣特性指示，如果在不同條件下運行，產(chǎn)品性能可能無法通過這些電氣特性體現(xiàn)。
其他注意事項
Onsemi提醒用戶，公司保留隨時對產(chǎn)品或信息進行更改的權(quán)利，且不另行通知。文檔中的信息是“按原樣”提供的，Onsemi不保證信息的準確性、產(chǎn)品特性、可用性、功能性或產(chǎn)品對任何特定用途的適用性，也不承擔(dān)因產(chǎn)品或電路的應(yīng)用或使用而產(chǎn)生的任何責(zé)任。
此外，Onsemi產(chǎn)品不設(shè)計、不打算也未獲授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、FDA 3類醫(yī)療設(shè)備或在外國司法管轄區(qū)具有相同或類似分類的醫(yī)療設(shè)備，以及任何打算植入人體的設(shè)備。如果買家將Onsemi產(chǎn)品用于此類非預(yù)期或未經(jīng)授權(quán)的應(yīng)用，買家應(yīng)承擔(dān)相關(guān)責(zé)任。
在設(shè)計過程中，工程師們是否考慮過如何根據(jù)這些特性來優(yōu)化電路設(shè)計呢？歡迎在評論區(qū)分享你的想法。
技術(shù)資料與支持
如果需要更多的技術(shù)資料，可以訪問Onsemi的技術(shù)庫：www.onsemi.com/design/resources/technical - documentation ，也可以登錄Onsemi官網(wǎng)：www.onsemi.com 。如果需要在線支持，可以訪問www.onsemi.com/support ，還可以通過www.onsemi.com/support/sales 聯(lián)系當(dāng)?shù)劁N售代表獲取更多信息。
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