薄膜厚度均勻性是決定MEMS芯片電學、力學性能穩(wěn)定性的關鍵工藝指標。晶圓制備過程中，薄膜沉積、蝕刻、基材預處理等工序的參數(shù)波動，易造成膜厚偏差、局部厚薄不均等批量異常。傳統(tǒng)接觸式測量方式易損傷芯片微結構，且無法實現(xiàn)全域數(shù)據(jù)采集與工藝溯源，難以適配高精度MEMS器件檢測需求。

大視野3D白光干涉儀具備非接觸、亞納米級測量精度與全域三維形貌掃描能力，可精準量化薄膜厚度偏差、定位異常區(qū)域，為工藝溯源提供精準數(shù)據(jù)支撐。在批量晶圓實測檢測中，通過該設備檢出薄膜局部厚度超差缺陷，結合膜厚分布數(shù)據(jù)與生產(chǎn)工藝參數(shù)交叉比對溯源，明確核心工藝隱患：鍍膜階段沉積源功率波動、晶圓旋轉工位偏移，疊加基材預處理殘留微量雜質，造成薄膜沉積速率失衡、膜層附著均勻性下降，最終引發(fā)批量膜厚異常。

針對鎖定的工藝問題，優(yōu)化沉積功率參數(shù)、校準晶圓旋轉工位、升級基材清潔預處理流程。整改后，晶圓薄膜厚度偏差嚴格控制在行業(yè)工藝允許范圍，徹底解決批量膜厚異常問題，規(guī)避器件性能失效風險，有效提升晶圓制備工藝的穩(wěn)定性與一致性。

本次所用大視野3D白光干涉儀搭載0，6倍輕量化鏡頭，配備15mm超大單幅視野與多物鏡轉塔結構，單設備即可兼顧大視野全域觀測與納米級高精度測量，可精準表征芯片表面粗糙度、微結構尺寸等關鍵參數(shù)，適配MEMS傳感器全流程精密檢測場景。

新啟航 專業(yè)提供綜合光學3D測量方案

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審核編輯 黃宇