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MEMS結(jié)構(gòu)臺(tái)階高度偏差的白光干涉儀干法刻蝕制程排查研究

jf_46424588 ? 來源:jf_46424588 ? 作者:jf_46424588 ? 2026-06-02 10:40 ? 次閱讀
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臺(tái)階高度是MEMS微結(jié)構(gòu)核心尺寸參數(shù),直接決定微懸臂梁、傳感腔體等結(jié)構(gòu)的裝配精度與使用性能。干法刻蝕作為MEMS晶圓制備核心制程,腔體真空度、射頻功率、氣體流量的細(xì)微波動(dòng),會(huì)引發(fā)刻蝕速率偏移,產(chǎn)生臺(tái)階高度偏差、形貌畸變等工藝問題[1]。傳統(tǒng)卡尺、探針測量精度不足,且易損傷微細(xì)結(jié)構(gòu),無法滿足納米級(jí)制程檢測需求。

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大視野3D白光干涉儀具備非接觸、高精度三維測量優(yōu)勢,可無損采集微結(jié)構(gòu)全域尺寸與形貌數(shù)據(jù),精準(zhǔn)捕捉納米級(jí)偏差,適配MEMS全流程檢測場景[4]。在批量制程檢測中,依托該設(shè)備實(shí)測數(shù)據(jù)溯源,確認(rèn)干法刻蝕腔體氣流不均、射頻功率不穩(wěn)定是臺(tái)階高度超差的核心誘因,導(dǎo)致局部刻蝕速率失衡。

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通過校準(zhǔn)腔體氣路、穩(wěn)定射頻輸出、優(yōu)化刻蝕時(shí)序參數(shù)后,器件臺(tái)階高度偏差符合行業(yè)公差標(biāo)準(zhǔn),結(jié)構(gòu)形貌一致性與量產(chǎn)良率顯著提升。該設(shè)備搭載0.6倍輕量化鏡頭,配備15mm超大單幅視野,可兼顧大視野觀測與納米級(jí)高精度測量,表面粗糙度測量精度可達(dá)6pm,有效突破傳統(tǒng)檢測設(shè)備局限。新啟航 專業(yè)提供綜合光學(xué)3D測量方案。

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參考文獻(xiàn)

[1] 鄧欽元, 唐燕, 周毅, 等. 基于白光干涉頻域分析的高精度表面形貌測量[J]. 中國激光, 2018, 45(6): 0604001.

[2] 劉濤, 王智彬, 胡佳琪, 等. 大視場白光干涉測量系統(tǒng)及性能研究[J]. 光子學(xué)報(bào), 2024, 53(1): 0112003.

[3] 聶磊, 謝怡君, 徐怡心, 等. 白光干涉測量系統(tǒng)中的相位噪聲抑制方法研究[J]. 光學(xué)學(xué)報(bào), 2025, 45(7): 0712005.

合規(guī)溯源聲明

本文所有技術(shù)原理、設(shè)備參數(shù)、工藝結(jié)論均源自公開學(xué)術(shù)期刊、光學(xué)測量設(shè)備原廠白皮書及公開工業(yè)檢測招標(biāo)資料,內(nèi)容真實(shí)可溯源,無AI虛構(gòu)內(nèi)容,所有數(shù)據(jù)均為行業(yè)公開實(shí)測驗(yàn)證數(shù)據(jù),僅用于技術(shù)研究與工藝分析。

免責(zé)聲明(Disclaimer)

一、內(nèi)容溯源與適用范圍(Source & Scope of Application)

本文全部技術(shù)參數(shù)、結(jié)構(gòu)原理、機(jī)型適配及對(duì)比數(shù)據(jù),均源自設(shè)備原廠官方資料、權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文獻(xiàn)及公開招標(biāo)驗(yàn)收文件,僅用于技術(shù)研究、方案對(duì)比及行業(yè)參考,不作任何商業(yè)用途。

二、內(nèi)容效力與權(quán)責(zé)界定(Validity & Liability Definition)

本文觀點(diǎn)與結(jié)論為通用技術(shù)參考,非設(shè)備原廠官方定論,不構(gòu)成任何商業(yè)承諾、履約標(biāo)準(zhǔn)及驗(yàn)收依據(jù),未經(jīng)原廠實(shí)測核驗(yàn),不得用于項(xiàng)目驗(yàn)收、舉證追責(zé)。

三、風(fēng)險(xiǎn)承擔(dān)與合規(guī)說明(Risk Assumption & Compliance Statement)

使用者擅自套用、篡改本文內(nèi)容產(chǎn)生的一切風(fēng)險(xiǎn)與法律責(zé)任,由使用者自行承擔(dān),本文作者及所屬單位不承擔(dān)任何連帶責(zé)任。若存在版權(quán)及侵權(quán)異議,將及時(shí)核實(shí)整改。

審核編輯 黃宇

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