?雙脈沖測試核心目的是精準獲取功率半導體器件（如IGBT、MOSFET、SiC等）的動態(tài)開關(guān)特性參數(shù)，為產(chǎn)品設(shè)計優(yōu)化、器件選型和系統(tǒng)可靠性提供數(shù)據(jù)支撐?，具體可分為以下幾個層面：

1. 核心性能參數(shù)測量

直接獲取器件開關(guān)過程的關(guān)鍵動態(tài)參數(shù)，包括：

1、?開通/關(guān)斷特性?：開通延遲、上升時間、開通損耗；關(guān)斷延遲、下降時間、關(guān)斷損耗，以及電壓/電流變化率（dv/dt、di/dt）。

2、?反向恢復特性?：反并聯(lián)二極管的反向恢復時間、電流和電荷，計算反向恢復損耗。

3、?極端特性參數(shù)?：關(guān)斷時的電壓/電流尖峰值，可用于設(shè)計緩沖電路和選擇散熱器，保障系統(tǒng)安全。

2. 電路設(shè)計優(yōu)化“平民版”雙脈沖測試探頭套裝

幫助工程師在研發(fā)階段完成電路精細化調(diào)試：

1、通過觀察波形振蕩情況，選擇合適的門極驅(qū)動電阻，優(yōu)化驅(qū)動電路設(shè)計。

2、評估柵極驅(qū)動芯片的驅(qū)動電流能力、信號壓擺率（Slew Rate），驗證有源鉗位、退飽和保護等功能是否有效。

3、測量主回路雜散電感，優(yōu)化PCB布局，降低寄生參數(shù)對性能的影響。

3. 可靠性與成本控制

彌補器件手冊參數(shù)的局限性，避免設(shè)計風險：

1、器件手冊參數(shù)基于標準測試條件，實際工況下參數(shù)會有偏差，雙脈沖測試可獲得真實場景下的性能數(shù)據(jù)，給系統(tǒng)仿真提供更精準的輸入。

2、避免因?qū)︼L險認識不足導致產(chǎn)品長期可靠性下降，也能防止設(shè)計裕量過大帶來不必要的成本增加，提升產(chǎn)品競爭力。

4. 器件選型與對標

在研發(fā)和采購階段，可對比不同廠商、不同型號器件的真實性能，為器件選型提供客觀數(shù)據(jù)支持，是連接器件規(guī)格書和實際應用的關(guān)鍵橋梁。

雙脈沖測試的探頭選擇

一、電壓探頭：優(yōu)先隔離探頭解決高頻干擾

核心需求

雙脈沖測試，尤其是SiC/GaN等寬禁帶器件的半橋測試中，上管電壓會疊加高頻高壓共模干擾，需要探頭具備?高帶寬、高共模抑制比（CMRR）和全隔離能力?。傳統(tǒng)探頭如下：

針對SiC/GaN等寬禁帶器件的上管VGS驅(qū)動測試，志勵永達推出ZLIP隔離探頭，同時解決高壓差分探頭在高頻段CMRR衰減快和傳統(tǒng)光隔離動輒萬元價格的難題。

選型關(guān)鍵參數(shù)

帶寬建議：至少滿足?被測器件開關(guān)頻率的5倍以上?（如SiC開關(guān)頻率100MHz，建議選500MHz以上帶寬）；

共模抑制比：要求在20MHz頻段下CMRR≥60dB，500MHz頻段下≥70dB才能有效抑制干擾；

精度：誤差要求控制在±1%以內(nèi)，保證測量結(jié)果準確。

二、電流探頭：根據(jù)量程和開關(guān)特性選擇技術(shù)路線

核心需求

需要捕捉?第一脈沖穩(wěn)態(tài)電流?和?第二脈沖瞬態(tài)尖峰?，要求帶寬足夠、無失真，能覆蓋動態(tài)量程。

主流類型對比

在雙脈沖測試中，羅氏線圈是高頻功率器件電流測量的優(yōu)選方案：

1、?高頻特性適配?：帶寬覆蓋幾Hz到數(shù)十MHz（部分高端型號可達100MHz），能精準捕捉SiC、GaN等寬禁帶器件開關(guān)過程中的快速瞬態(tài)電流變化，避免傳統(tǒng)探頭丟失高頻諧波信號。

2、?無磁飽和特性?：采用空心柔性線圈結(jié)構(gòu)，不存在鐵芯磁飽和問題，可準確測量雙脈沖測試中可能出現(xiàn)的數(shù)千安培級大電流尖峰，尤其適合新能源汽車電機控制器、大功率逆變器等場景。

3、?低侵入性與靈活性?：線圈輕巧柔軟，可直接套在MOSFET、IGBT的管腳或?qū)Ь€上，無需斷開電路，能最大程度減少對被測電路的干擾，還可伸入致密電路板的狹窄空間測量。

選型關(guān)鍵參數(shù)

?帶寬?：遵循經(jīng)驗公式：?探頭帶寬 ≥ 5倍被測信號最高頻率?，SiC MOSFET建議選50MHz以上帶寬；

?量程?：選擇量程覆蓋?120%最大預期電流?（第二脈沖尖峰可達穩(wěn)態(tài)的3-5倍，需預留裕量）；

?精度指標?：上升時間≤3ns（保證開關(guān)損耗計算精度），線性度誤差≤±1%FS，溫度系數(shù)≤0.02%/℃（避免溫漂誤差）。

雙脈沖VDS測試常使用差分探頭，它能很好適配測試中高壓、高頻、浮地測量的復雜需求?精準抑制共模干擾?
雙脈沖測試中，高側(cè)MOSFET的VDS會疊加數(shù)百伏的共模電壓，普通單端探頭會引入嚴重噪聲。差分探頭通過測量兩個測試點的電壓差，能有效抑制共模干擾，精準捕捉VDS的瞬態(tài)變化。

?滿足高壓量程需求?
高側(cè)VDS的峰值可能遠超母線電壓，差分探頭通常具備較高的耐壓范圍（如±1500V），能安全測量高壓場景下的VDS信號，避免探頭擊穿。

?適配高頻瞬態(tài)測量?
第三代半導體器件（如SiC、GaN）的開關(guān)速度可達納秒級，差分探頭的高帶寬（如100MHz以上）能精準捕捉VDS上升沿、下降沿的高頻細節(jié)，以及電壓尖峰、震蕩等關(guān)鍵特征。

?支持浮地測量?
高側(cè)MOSFET處于浮地狀態(tài)，與示波器接地端存在高壓差。差分探頭無需與被測回路共地，能獨立采集浮地節(jié)點的VDS信號，避免接地環(huán)路引入干擾。

助力行業(yè)發(fā)展，志勵永達推出“平民版”雙脈沖測試探頭組合套裝。

有意者可私聊?。。?/p>

審核編輯 黃宇