日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

探索GeneSiC雙脈沖測(cè)試板:高效測(cè)試SiC結(jié)型晶體管的利器

chencui ? 2026-05-15 15:55 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

探索GeneSiC雙脈沖測(cè)試板:高效測(cè)試SiC結(jié)型晶體管的利器

在電子工程領(lǐng)域,對(duì)于功率器件的測(cè)試至關(guān)重要,尤其是在高壓、大電流的應(yīng)用場(chǎng)景中。今天,我們就來深入了解一下GeneSiC的雙脈沖測(cè)試板GA100SBJT12 - FR4,看看它是如何助力工程師進(jìn)行高效測(cè)試的。

文件下載:GA100SBJT12-FR4.pdf

一、產(chǎn)品概述

GeneSiC雙脈沖測(cè)試板主要用于對(duì)GeneSiC SiC結(jié)型晶體管(SJT)以及其他三端開關(guān)晶體管進(jìn)行雙脈沖開關(guān)測(cè)試。它采用低ESL電容器PCB走線設(shè)計(jì),擁有低寄生串聯(lián)電感(LS)電流路徑。這一設(shè)計(jì)對(duì)于記錄最能代表被測(cè)器件(DUT)的數(shù)據(jù)、減少測(cè)試電路失真非常關(guān)鍵。該測(cè)試板能夠達(dá)到最高1200 V和100 A的測(cè)試條件,適用于高功率器件的測(cè)試。

二、產(chǎn)品特性

1. 高電壓大電流測(cè)試能力

該測(cè)試板具備1200 V、100 A的測(cè)試能力,能夠滿足大多數(shù)高功率器件的測(cè)試需求。這意味著工程師可以在這個(gè)測(cè)試板上對(duì)不同規(guī)格的功率器件進(jìn)行全面的性能評(píng)估。

2. 低串聯(lián)電感設(shè)計(jì)

低串聯(lián)電感設(shè)計(jì)是該測(cè)試板的一大亮點(diǎn)。通過使用低ESL電容器和厚6 oz.銅走線,有效降低了寄生電感,減少了電路干擾,使得測(cè)試數(shù)據(jù)更加準(zhǔn)確可靠。

3. 多種封裝兼容性

它兼容多種封裝的SJTs,包括TO - 247封裝的商用SJTs、TO - 257、TO - 258和TO - 46封裝的高溫SJTs。這為工程師提供了更多的選擇,方便對(duì)不同封裝的器件進(jìn)行測(cè)試。

4. 便捷的門極驅(qū)動(dòng)連接

測(cè)試板的門極驅(qū)動(dòng)連接設(shè)計(jì)十分貼心。它可以連接GeneSiC門極驅(qū)動(dòng)板,支持從外部電源接收門極驅(qū)動(dòng)板電壓輸入以及數(shù)字門極控制信號(hào),并通過低寄生電感連接將信號(hào)傳遞到DUT門極引腳。而且,門極驅(qū)動(dòng)連接是可選的,用戶可以根據(jù)自己的需求和偏好進(jìn)行定制。

三、電氣特性

參數(shù) 符號(hào) 條件 單位 備注
最大測(cè)試電壓 VDS, MAX 1200 V
最大漏極電流 ID, MAX 100 A
電容組 Cbank 5.0 μF
寄生電感 Ls HV = 800 V, ID = 6 A 62.5 nH
最大存儲(chǔ)能量 Emax HV = 1200 V 3.6 J

這些電氣特性為工程師在使用測(cè)試板時(shí)提供了明確的參數(shù)參考,有助于準(zhǔn)確地進(jìn)行測(cè)試和分析。

四、關(guān)鍵部分設(shè)計(jì)

1. 高壓連接

測(cè)試板通過MHV同軸連接提供高達(dá)1200 V的測(cè)試高壓,電壓可由用戶選擇的高壓電源產(chǎn)生。這種連接方式確保了高壓傳輸?shù)姆€(wěn)定性和安全性。

2. 電容組

電容組由20個(gè)1 μF、630 V的電容器組成,能夠存儲(chǔ)高達(dá)3.6 J的能量,為DUT供電。其中包含10個(gè)低有效串聯(lián)電感(ESL)的表面貼裝陶瓷電容器,可使DUT漏極電流在上升和下降過程中受到的電路干擾最小化。同時(shí),測(cè)試板上的厚6 oz.銅走線進(jìn)一步降低了寄生電感,將電容組與測(cè)試電路連接起來。

3. 電壓平衡網(wǎng)絡(luò)

電壓平衡網(wǎng)絡(luò)由兩個(gè)1 MΩ、2 W的SMD電阻和兩個(gè)阻塞整流器組成。電阻用于確保測(cè)試板上串聯(lián)電容器兩端的電位相等,而阻塞整流器則用于保護(hù)儲(chǔ)能電容器免受極端過電壓的影響。

4. 外部負(fù)載電感連接

外部負(fù)載電感(需用戶自行提供)直接焊接到測(cè)試板上的HV和漏極節(jié)點(diǎn)的連接墊上。在選擇負(fù)載電感時(shí),要注意其電壓額定值,避免超過限制。同時(shí),建議選擇電感值 (L{bog} ≤1.0 mH),以免電容組在電感未完全充電到所需測(cè)試電流 (I{D}) 水平時(shí)就耗盡能量。

5. 被測(cè)器件(DUT)和續(xù)流二極管(FWD)

DUT和FWD應(yīng)焊接到連接端子上,盡量減少?gòu)陌迳仙斐龅囊_長(zhǎng)度,多余的引腳應(yīng)修剪掉,以減少超快速、高壓開關(guān)過程中可能產(chǎn)生的電噪聲,避免影響測(cè)量結(jié)果。此外,為了準(zhǔn)確測(cè)量和減少測(cè)試引起的電壓和電流振鈴,建議盡可能靠近器件探測(cè)任何器件電壓(如 (V{GS}) 、 (V{DS}) )。

6. 漏極電流傳感器連接

通過漏極電流傳感器連接和“J”形的Pearson Electronics電流監(jiān)測(cè)器(需用戶自行提供),可以實(shí)現(xiàn)對(duì)DUT漏極電流的低電感測(cè)量。連接時(shí),使用寬金屬導(dǎo)體從GND節(jié)點(diǎn)延伸,部分包裹電流監(jiān)測(cè)器,并通過電流監(jiān)測(cè)器的眼孔延伸到源節(jié)點(diǎn)下方。源節(jié)點(diǎn)和GND節(jié)點(diǎn)必須連接,以確保測(cè)試板正常工作。如果不按上述方式在漏極電流傳感器連接處感測(cè)漏極電流,則必須使用寬跳線電纜將兩個(gè)節(jié)點(diǎn)短接。

五、總結(jié)

GeneSiC雙脈沖測(cè)試板GA100SBJT12 - FR4以其出色的設(shè)計(jì)和性能,為電子工程師提供了一個(gè)可靠的測(cè)試平臺(tái)。它的低串聯(lián)電感設(shè)計(jì)、多種封裝兼容性以及便捷的連接方式,使得對(duì)SiC結(jié)型晶體管和其他三端開關(guān)晶體管的測(cè)試更加準(zhǔn)確、高效。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師可以根據(jù)測(cè)試需求合理選擇外部負(fù)載電感、DUT和FWD等元件,充分發(fā)揮測(cè)試板的優(yōu)勢(shì)。大家在使用這款測(cè)試板的過程中,有沒有遇到過什么有趣的問題或者獨(dú)特的經(jīng)驗(yàn)?zāi)??歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 測(cè)試
    +關(guān)注

    關(guān)注

    9

    文章

    6478

    瀏覽量

    131742
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    深入解析GA50SICP12 - 227碳化硅結(jié)晶體管/肖特基二極共封裝模塊

    深入解析GA50SICP12 - 227碳化硅結(jié)晶體管/肖特基二極共封裝模塊 在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)器件憑借其卓越的性能逐漸成
    的頭像 發(fā)表于 05-15 16:00 ?21次閱讀

    碳化硅結(jié)晶體管與肖特基二極共封裝模塊GA10SICP12 - 247技術(shù)解析

    碳化硅結(jié)晶體管與肖特基二極共封裝模塊GA10SICP12 - 247技術(shù)解析 在電子工程領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)憑借其卓越的性能,正逐
    的頭像 發(fā)表于 05-15 15:50 ?34次閱讀

    EPC9144開發(fā):高電流脈沖激光二極驅(qū)動(dòng)的利器

    電流脈沖激光二極驅(qū)動(dòng)方面有著獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。 文件下載: EPC9144.pdf 一、開發(fā)概述 EPC9144開發(fā)主要用于驅(qū)動(dòng)激光二極,
    的頭像 發(fā)表于 05-14 15:30 ?65次閱讀

    晶體管的基本工作原理和性能

    單個(gè)pn結(jié)只具有單向?qū)щ娀蛘?、檢波作用,兩個(gè)密切有機(jī)結(jié)合的pn結(jié),則可形成具有放大作用的npn或pnp晶體管
    的頭像 發(fā)表于 04-27 16:38 ?177次閱讀
    <b class='flag-5'>雙</b>極<b class='flag-5'>型</b><b class='flag-5'>晶體管</b>的基本工作原理和性能

    探索 onsemi NDC7002N N 溝道增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管

    探索 onsemi NDC7002N N 溝道增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)是不可或缺的基礎(chǔ)元件。今天,我們
    的頭像 發(fā)表于 04-20 11:30 ?216次閱讀

    當(dāng)在S32K324的VDD_HV_A和V15之間使用外部結(jié)晶體管(BJT)時(shí),J-Link無法讀取寄存器值,怎么處理?

    VDD_HV_A和V15之間使用的外部結(jié)晶體管(BJT)的示意圖如上圖所示。 根據(jù)上面的原理圖,當(dāng) ConfigRegister 中的 LMBCTLEN 字段設(shè)置為 1 時(shí),J
    發(fā)表于 03-24 08:20

    揭秘芯片測(cè)試:如何驗(yàn)證數(shù)十億個(gè)晶體管

    微觀世界的“體檢”難題在一枚比指甲蓋還小的芯片中,集成了數(shù)十億甚至上百億個(gè)晶體管,例如NVIDIA的H100GPU包含800億個(gè)晶體管。要如何確定每一個(gè)晶體管都在正常工作?這是一個(gè)超乎想象的復(fù)雜
    的頭像 發(fā)表于 03-06 10:03 ?439次閱讀
    揭秘芯片<b class='flag-5'>測(cè)試</b>:如何驗(yàn)證數(shù)十億個(gè)<b class='flag-5'>晶體管</b>

    探索BFU520Y:NPN寬帶硅射頻晶體管的卓越性能

    探索BFU520Y:NPN寬帶硅射頻晶體管的卓越性能 在射頻晶體管的領(lǐng)域中,NXP的BFU520Y脫穎而出,成為高速、低噪聲應(yīng)用的理想之選。今天,我們就來深入剖析這款
    的頭像 發(fā)表于 12-30 17:35 ?2284次閱讀

    如何用脈沖測(cè)試更好的表征SiC MOS動(dòng)態(tài)能力?

    ? ? 揚(yáng)杰科技干貨分享- 如何用脈沖測(cè)試更好的表征SiC MOS動(dòng)態(tài)能力? ? 引言 隨著碳化硅(SiC)MOS產(chǎn)品的迭代發(fā)展,
    的頭像 發(fā)表于 12-02 09:36 ?3073次閱讀
    如何用<b class='flag-5'>雙</b><b class='flag-5'>脈沖</b><b class='flag-5'>測(cè)試</b>更好的表征<b class='flag-5'>SiC</b> MOS動(dòng)態(tài)能力?

    onsemi UF3N120007K4S SiC JFET晶體管的特性與應(yīng)用解析

    在電子工程領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能對(duì)電路設(shè)計(jì)和系統(tǒng)性能有著至關(guān)重要的影響。今天,我們來詳細(xì)探討一下安森美(onsemi)的UF3N120007K4S碳化硅(SiC結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
    的頭像 發(fā)表于 11-26 15:47 ?640次閱讀
    onsemi UF3N120007K4S <b class='flag-5'>SiC</b> JFET<b class='flag-5'>晶體管</b>的特性與應(yīng)用解析

    英飛凌功率晶體管的短路耐受性測(cè)試

    本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN(氮化鎵高電子遷移率晶體管)和 OptiMOS 6(硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管),在極端短路條件下的表現(xiàn)。通過一系列嚴(yán)謹(jǐn)?shù)?b class='flag-5'>測(cè)試,
    的頭像 發(fā)表于 10-07 11:55 ?3481次閱讀
    英飛凌功率<b class='flag-5'>晶體管</b>的短路耐受性<b class='flag-5'>測(cè)試</b>

    多值電場(chǎng)電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    ,有沒有一種簡(jiǎn)單且有效的器件實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇呢?本文將介紹一種電場(chǎng)多值電壓選擇晶體管,之所以叫電壓,是因?yàn)橥ㄟ^調(diào)控晶體管內(nèi)建電場(chǎng)大小來實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇,原理是PN
    發(fā)表于 09-15 15:31

    ?晶體管參數(shù)測(cè)試分類、測(cè)試方法、關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展和測(cè)試設(shè)備

    晶體管參數(shù)測(cè)試技術(shù) ? ? 一、測(cè)試參數(shù)體系 ? 晶體管參數(shù)測(cè)試主要涵蓋三大類指標(biāo): ? 靜態(tài)參數(shù) ? 直流放大系數(shù)(hFE):反映
    的頭像 發(fā)表于 07-29 13:54 ?1059次閱讀
    ?<b class='flag-5'>晶體管</b>參數(shù)<b class='flag-5'>測(cè)試</b>分類、<b class='flag-5'>測(cè)試</b>方法、關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展和<b class='flag-5'>測(cè)試</b>設(shè)備

    泰克科技測(cè)試方案:借助WBG-DPT軟件的新型軟件消偏方法加速脈沖測(cè)試

    )的脈沖測(cè)試軟件 (WBG-DPT) 包含一種專為脈沖測(cè)試設(shè)計(jì)的新型消偏技術(shù)。這種新穎的方法
    的頭像 發(fā)表于 06-25 17:17 ?1899次閱讀
    泰克科技<b class='flag-5'>測(cè)試</b>方案:借助WBG-DPT軟件的新型軟件消偏方法加速<b class='flag-5'>雙</b><b class='flag-5'>脈沖</b><b class='flag-5'>測(cè)試</b>

    結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解

    當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成:結(jié)晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:32 ?1712次閱讀
    無<b class='flag-5'>結(jié)</b>場(chǎng)效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>詳解
    金乡县| 伊宁市| 弋阳县| 哈巴河县| 石门县| 武汉市| 孝义市| 五河县| 突泉县| 塔河县| 永年县| 林周县| 宁海县| 光山县| 太和县| 社旗县| 东丽区| 榆社县| 宁陵县| 闸北区| 兴化市| 重庆市| 独山县| 成武县| 霍林郭勒市| 合川市| 永和县| 鞍山市| 东丰县| 灵丘县| 长乐市| 聂拉木县| 旬阳县| 海南省| 同心县| 乌鲁木齐县| 阆中市| 五莲县| 九台市| 黄龙县| 邹城市|