安森美NCP334和NCP335：超小型2A可控負(fù)載開關(guān)的卓越之選

在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中，如何優(yōu)化電池壽命和提升便攜設(shè)備的自主性是工程師們一直關(guān)注的重點(diǎn)。安森美（onsemi）推出的NCP334和NCP335低導(dǎo)通電阻（Ron）MOSFET負(fù)載開關(guān)，為解決這一問題提供了出色的解決方案。

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產(chǎn)品概述

NCP334和NCP335是由外部邏輯引腳控制的低Ron MOSFET，其設(shè)計(jì)旨在優(yōu)化電池壽命，增強(qiáng)便攜式設(shè)備的自主性。通過采用PMOS結(jié)構(gòu)優(yōu)化電流消耗，當(dāng)連接的IC不使用時(shí)，能夠?qū)⑵渑c電池隔離，從而消除漏電流。此外，NCP335還內(nèi)置了輸出放電路徑，可消除輸出軌上的殘余電壓。

產(chǎn)品特性

寬輸入電壓范圍

支持1.2V - 5.5V的工作電壓范圍，能適應(yīng)多種電源環(huán)境，為不同的應(yīng)用場(chǎng)景提供了廣泛的適用性。

低導(dǎo)通電阻

在3.3V時(shí)，P MOSFET的導(dǎo)通電阻為47mΩ，能夠有效降低功率損耗，提高能源效率。

大電流承載能力

直流電流最大可達(dá)2A，可滿足大多數(shù)負(fù)載的供電需求。

輸出自動(dòng)放電功能（僅NCP335）

當(dāng)EN引腳設(shè)置為低電平時(shí)，NMOS FET會(huì)在輸出引腳和地之間形成放電路徑，將連接在OUT引腳上的應(yīng)用電容放電，確保輸出電壓迅速降為零。

高電平有效使能引腳

EN引腳為高電平有效，當(dāng)EN引腳為低電平時(shí)，開關(guān)斷開，P MOS開關(guān)關(guān)閉；當(dāng)EN引腳為高電平且輸入電壓Vin至少為1.2V時(shí)，IN/OUT路徑導(dǎo)通。

超小封裝

采用0.96 x 0.96 mm的WLCSP4封裝，間距為0.5mm，節(jié)省了電路板空間，非常適合對(duì)尺寸要求嚴(yán)格的便攜式設(shè)備。

靜電放電（ESD）保護(hù)

具備出色的ESD防護(hù)能力，人體模型（HBM）ESD評(píng)級(jí)為4kV，充電設(shè)備模型（CDM）為2kV，機(jī)器模型（MM）為250V，有效保護(hù)器件免受靜電損壞。

無鉛設(shè)計(jì)

符合環(huán)保要求，滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)綠色環(huán)保的需求。

典型應(yīng)用

NCP334和NCP335適用于多種便攜式設(shè)備，如手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)、GPS設(shè)備等。在這些設(shè)備中，它們可以有效地管理電源分配，延長電池續(xù)航時(shí)間。

電氣特性與參數(shù)

最大額定值

• 引腳IN、OUT、EN的電壓范圍為0.3V至 +7.0V。
• 從IN到OUT引腳的輸入/輸出電壓范圍為0V至 +7.0V。
• 最大結(jié)溫范圍為 -40°C至 +125°C。
• 存儲(chǔ)溫度范圍為 -40°C至 +150°C。

工作條件

工作溫度范圍為 -40°C至 +85°C，輸入電壓范圍為1.2V至5.5V。典型值參考溫度為 +25°C，輸入電壓為4V。

電氣參數(shù)

導(dǎo)通電阻（RDS(on)）會(huì)隨著輸入電壓、負(fù)載電流和溫度的變化而變化。例如，在3.3V時(shí)，RDS(on)為47mΩ；在3.6V時(shí)，隨著負(fù)載電流的增加，RDS(on)也會(huì)有所變化。

功能描述

使能輸入

EN引腳為高電平有效。當(dāng)EN引腳為低電平時(shí)，開關(guān)斷開，P MOS開關(guān)關(guān)閉；當(dāng)EN引腳為高電平且Vin至少為1.2V時(shí)，IN/OUT路徑導(dǎo)通。

自動(dòng)放電功能（僅NCP335）

當(dāng)EN引腳設(shè)置為低電平時(shí)，NMOS FET會(huì)在輸出引腳和地之間形成放電路徑，將連接在OUT引腳上的應(yīng)用電容放電。只要EN引腳保持低電平且Vin > 1.2V，放電路徑就會(huì)一直保持激活狀態(tài)。為了限制內(nèi)部放電N - MOSFET上的電流，典型值設(shè)置為65。

Cin和Cout電容

為了提高穩(wěn)定性，IN和OUT引腳至少需要連接1μF的電容，并且應(yīng)盡可能靠近器件放置。

應(yīng)用信息

功率耗散

功率MOSFET的功率耗散是影響結(jié)溫的主要因素。在正常模式下，功率耗散和結(jié)溫可以通過以下公式計(jì)算： [P{D}=R{DS(on)} times (I{OUT})^{2}] [T{J}=P{D} times R{theta JA}+T{A}] 其中，(P{D})為功率耗散（W），(R{DS(on)})為功率MOSFET的導(dǎo)通電阻（Ω），(I{OUT})為輸出電流（A），(T{J})為結(jié)溫（°C），(R{theta JA})為封裝熱阻（°C/W），(T_{A})為環(huán)境溫度（°C）。

PCB設(shè)計(jì)建議

NCP334和NCP335集成了額定電流高達(dá)2A的PMOS FET，因此在PCB設(shè)計(jì)時(shí)需要遵循一定的規(guī)則，以確保熱量能夠有效地從芯片中散發(fā)出去。通過增加PCB面積，特別是IN和OUT引腳周圍的面積，可以降低封裝的熱阻(R_{theta JA})，從而允許更高的功率耗散。

訂購信息

安森美NCP334和NCP335負(fù)載開關(guān)憑借其卓越的性能、超小的封裝和豐富的功能，為便攜式設(shè)備的電源管理提供了理想的解決方案。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，工程師們可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求，合理選擇和使用這兩款器件，以實(shí)現(xiàn)電池壽命的優(yōu)化和設(shè)備性能的提升。你在使用這類負(fù)載開關(guān)時(shí)遇到過哪些問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。