4GB、8GB 240 - Pin 1.35V DDR3L VLP RDIMM內(nèi)存模塊詳解
在當(dāng)今的電子設(shè)備中,內(nèi)存模塊的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。今天我們要詳細(xì)介紹的是Micron的4GB、8GB(x72, ECC, DR)240 - Pin 1.35V DDR3L VLP RDIMM內(nèi)存模塊,它在諸多方面都有著出色的表現(xiàn)。
一、產(chǎn)品概述
這款內(nèi)存模塊采用了1.35V DDR3L SDRAM VLP RDIMM技術(shù),有4GB(MT18KDF51272PDZ)和8GB(MT18KDF1G72PDZ)兩種容量可供選擇。它支持DDR3L的功能和操作,具備240 - pin的注冊(cè)雙列直插式、極低外形的特點(diǎn)(VLP RDIMM),數(shù)據(jù)傳輸速率快,能達(dá)到PC3 - 12800、PC3 - 10600。
二、產(chǎn)品特性
2.1 電氣特性
- 電壓兼容性:工作電壓為1.35V(1.283 - 1.45V),并且向后兼容1.5V(1.425 - 1.575V),(V_{DDSPD})為3.0 - 3.6V。
- ECC功能:支持ECC錯(cuò)誤檢測(cè)和糾正,能有效提高數(shù)據(jù)的可靠性。
- ODT特性:具備標(biāo)稱和動(dòng)態(tài)片內(nèi)終結(jié)(ODT)功能,用于數(shù)據(jù)、選通和掩碼信號(hào)。
2.2 設(shè)計(jì)特性
- 雙列設(shè)計(jì):采用雙列設(shè)計(jì),提升了內(nèi)存的性能。
- 溫度傳感器:板載I2C溫度傳感器,集成了串行存在檢測(cè)(SPD)EEPROM,方便監(jiān)控溫度。
- 固定突發(fā)特性:通過模式寄存器組(MRS)可實(shí)現(xiàn)固定突發(fā)截?cái)啵˙C)為4和突發(fā)長度(BL)為8,并且可以動(dòng)態(tài)選擇BC4或BL8。
- 其他特性:具有金手指邊緣接觸、無鹵、Fly - by拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)以及終端控制、命令和地址總線等特點(diǎn)。
三、產(chǎn)品選項(xiàng)
3.1 工作溫度
- 商業(yè)級(jí):0°C ≤ (T_{A}) ≤ +70°C。
- 工業(yè)級(jí):–40°C ≤ (T_{A}) ≤ +85°C。如果需要工業(yè)溫度模塊產(chǎn)品,可以聯(lián)系Micron。
3.2 封裝
采用240 - pin DIMM(無鹵)封裝。
3.3 頻率/CAS延遲
- 1.25ns @ CL = 11(DDR3 - 1600)。
- 1.5ns @ CL = 9(DDR3 - 1333)。
四、關(guān)鍵參數(shù)
4.1 關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)
不同速度等級(jí)對(duì)應(yīng)著不同的行業(yè)命名、數(shù)據(jù)速率以及關(guān)鍵時(shí)序參數(shù),如tRCD、tRP、tRC等。例如,-1G6速度等級(jí)對(duì)應(yīng)PC3 - 12800,數(shù)據(jù)速率為1600MT/s,tRCD為13.125ns,tRP為13.125ns,tRC為48.125ns。
4.2 尋址參數(shù)
| 參數(shù) | 4GB | 8GB |
|---|---|---|
| 刷新計(jì)數(shù) | 8K | 8K |
| 行地址 | 32K A[14:0] | 64K A[15:0] |
| 設(shè)備銀行地址 | 8 BA[2:0] | 8 BA[2:0] |
| 設(shè)備配置 | 2Gb (256 x 8) | 4Gb (512 x 8) |
| 列地址 | 1K A[9:0] | 1K A[9:0] |
| 模塊等級(jí)地址 | 2 S#[1:0] | 2 S#[1:0] |
4.3 型號(hào)與時(shí)序參數(shù)
不同容量的模塊有對(duì)應(yīng)的型號(hào)和時(shí)序參數(shù),以4GB模塊為例,MT18KDF51272PDZ - 1G6__的帶寬為12.8GB/s,時(shí)鐘周期為1.25ns/1600 MT/s,CL - tRCD - tRP為11 - 11 - 11。
五、引腳相關(guān)
5.1 引腳分配
詳細(xì)列出了240 - Pin DDR3 RDIMM前后兩面的引腳分配情況,包括VREFDQ、DQ、DQS、A、BA等引腳的具體位置和功能。
5.2 引腳描述
對(duì)各個(gè)引腳的類型和功能進(jìn)行了詳細(xì)描述,例如Ax為地址輸入引腳,用于提供行地址和列地址等;CKx、CKx#為差分時(shí)鐘輸入引腳,用于采樣控制、命令和地址輸入信號(hào)。
5.3 DQ映射
分別給出了模塊正面和背面的組件到模塊的DQ映射關(guān)系,方便工程師進(jìn)行設(shè)計(jì)和調(diào)試。
六、功能框圖
該模塊的功能框圖展示了其內(nèi)部結(jié)構(gòu),需要注意的是,每個(gè)DDR3組件上的ZQ球連接到一個(gè)外部240Ω ±1%的電阻并接地,用于校準(zhǔn)組件的ODT和輸出驅(qū)動(dòng)器。
七、工作原理
7.1 一般描述
DDR3 SDRAM模塊采用內(nèi)部配置的8 - 銀行DDR3 SDRAM設(shè)備,使用DDR架構(gòu)實(shí)現(xiàn)高速操作,是一種8n - 預(yù)取架構(gòu),在I/O引腳處每個(gè)時(shí)鐘周期可傳輸兩個(gè)數(shù)據(jù)字。
7.2 Fly - By拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
為了提高信號(hào)質(zhì)量,時(shí)鐘、控制、命令和地址總線采用了Fly - By拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),每個(gè)DRAM上的時(shí)鐘、控制、命令和地址引腳連接到單個(gè)走線并進(jìn)行終端處理。
7.3 寄存器時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器操作
注冊(cè)DDR3 SDRAM模塊使用由寄存器和鎖相環(huán)(PLL)組成的寄存器時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器設(shè)備。寄存器部分在時(shí)鐘上升沿鎖存命令和地址輸入信號(hào),PLL部分接收并重新驅(qū)動(dòng)差分時(shí)鐘信號(hào)到DDR3 SDRAM設(shè)備,減少了時(shí)鐘、控制、命令和地址信號(hào)的負(fù)載。
7.4 奇偶校驗(yàn)操作
寄存器時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器包含一個(gè)偶校驗(yàn)功能,用于檢查奇偶校驗(yàn)。內(nèi)存控制器在Par_In輸入處接收奇偶校驗(yàn)位,并與A[15:0]、BA[2:0]、RAS#、CAS#和WE#上接收的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。
八、溫度傳感器與SPD EEPROM
8.1 溫度傳感器操作
集成的熱傳感器監(jiān)測(cè)溫度,并通過I2C總線將其轉(zhuǎn)換為數(shù)字字。系統(tǒng)設(shè)計(jì)師可以根據(jù)系統(tǒng)要求使用用戶可編程寄存器創(chuàng)建自定義溫度傳感解決方案。
8.2 SPD EEPROM操作
DDR3 SDRAM模塊集成了串行存在檢測(cè)功能,SPD數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在256字節(jié)的EEPROM中。前128字節(jié)由Micron編程,符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)JC - 45,用于標(biāo)識(shí)模塊特定的時(shí)序參數(shù)、配置信息和物理屬性,其余128字節(jié)可供客戶使用。
8.3 EVENT#引腳
溫度傳感器的EVENT#引腳(開漏)用于標(biāo)記關(guān)鍵事件,有中斷模式、比較模式和臨界溫度模式三種操作模式。用戶可以在傳感器的配置寄存器中設(shè)置事件閾值。
九、電氣規(guī)格
9.1 絕對(duì)最大額定值
VDD電源電壓相對(duì)于VSS的范圍為–0.4到1.975V,任何引腳相對(duì)于VSS的電壓范圍也為–0.4到1.975V。
9.2 工作條件
VDD電源電壓為1.283 - 1.45V(向后兼容1.5V),IVTT為–600到600mA,VTT命令/地址總線的終止參考電壓有相應(yīng)的范圍,模塊的環(huán)境工作溫度和DDR3 SDRAM組件的 case 工作溫度也有明確的要求。
十、DRAM工作條件
推薦的AC工作條件在DDR3組件數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出,模塊速度等級(jí)與組件速度等級(jí)相關(guān)。同時(shí),在設(shè)計(jì)時(shí)需要進(jìn)行模擬以確保信號(hào)完整性,并且要考慮系統(tǒng)電壓降,保證DRAM的工作電壓。
十一、IDD規(guī)格
不同容量(4GB和8GB)和不同Die Revision的模塊有各自的IDD規(guī)格,包括各種工作電流,如操作電流、預(yù)充電功率下降電流、刷新電流等。
十二、寄存器時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器規(guī)格
詳細(xì)列出了寄存器時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器的電氣特性,包括DC電源電壓、DC參考電壓、DC終止電壓、AC和DC輸入輸出電壓等參數(shù)。
十三、模塊尺寸
提供了240 - Pin DDR3 RDIMM(R/C - L)和(R/C - L1)的尺寸圖,所有尺寸以毫米(英寸)為單位,尺寸圖僅供參考。
綜上所述,這款4GB、8GB 240 - Pin 1.35V DDR3L VLP RDIMM內(nèi)存模塊在性能、可靠性和設(shè)計(jì)靈活性方面都有著出色的表現(xiàn)。電子工程師在設(shè)計(jì)相關(guān)產(chǎn)品時(shí),可以根據(jù)具體需求合理選擇和使用該模塊,同時(shí)要注意各個(gè)參數(shù)和特性的細(xì)節(jié),以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。大家在實(shí)際應(yīng)用中遇到過哪些關(guān)于內(nèi)存模塊的問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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