4GB (x64, SR) 288-Pin DDR4 UDIMM 技術解析

在當今的電子設備中，內(nèi)存模塊的性能對系統(tǒng)整體表現(xiàn)起著至關重要的作用。今天我們就來深入探討一下 4GB (x64, SR) 288 - Pin DDR4 UDIMM 這款內(nèi)存模塊，看看它有哪些獨特的特性和設計要點。

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一、產(chǎn)品概述

這款 4GB (x64, SR) 288 - Pin DDR4 UDIMM 是一款高性能的內(nèi)存模塊，采用了 DDR4 SD RAM 技術，具有高速數(shù)據(jù)傳輸、低功耗等優(yōu)點。它支持多種數(shù)據(jù)傳輸速率，如 PC4 - 3200、PC4 - 2666 或 PC4 - 2400，能夠滿足不同應用場景的需求。

二、產(chǎn)品特性

1. 基本特性

引腳與結(jié)構(gòu)：采用 288 引腳的無緩沖雙列直插式內(nèi)存模塊（UDIMM）設計，模塊高度為 31.25mm（1.23in）。
數(shù)據(jù)傳輸速率：支持 PC4 - 3200、PC4 - 2666 或 PC4 - 2400 等高速數(shù)據(jù)傳輸速率，能夠提供快速的數(shù)據(jù)讀寫能力。
容量：擁有 4GB（512 Meg x 64）的存儲容量，可滿足大多數(shù)應用程序的運行需求。

2. 電氣特性

電壓：(V{DD}=1.20 V(NOM))，(V{PP}=2.5 V(NOM))，(V_{DDSPD}=2.5 V(NOM))，為模塊的穩(wěn)定運行提供了保障。
動態(tài)特性：具備標稱和動態(tài)片內(nèi)終端（ODT），用于數(shù)據(jù)、選通和掩碼信號，可有效提高信號質(zhì)量。

3. 功能特性

低功耗模式：支持低功耗自動自刷新（LPASR）功能，可降低模塊的功耗，延長設備的續(xù)航時間。
數(shù)據(jù)總線反轉(zhuǎn)：采用數(shù)據(jù)總線反轉(zhuǎn)（DBI）技術，可提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃浴?/li>
片內(nèi) (V_{REFDQ}) 生成與校準：能夠自動生成和校準片內(nèi) (V_{REFDQ})，確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏蚀_性。

三、關鍵參數(shù)

1. 時序參數(shù)

不同的速度等級對應著不同的時序參數(shù)，如 CL（CAS 延遲）、tRCD（行選通到列選通延遲）、tRP（預充電延遲）和 tRC（行周期時間）等。這些參數(shù)對于內(nèi)存的性能有著重要的影響，工程師在設計時需要根據(jù)具體需求進行選擇。

Speed Grade	PC4 -	Data Rate (MT/s) CL =													tRCD (ns)	tRP (ns)	tRC (ns)
24	22/ 21	20	19	18	17	16	15	14	13	12	11	10	9
-3G2	3200	3200		3200/ –		2666	2666	2666, 2400		2400	2133	2133	1866	1866	1600	1600	1333	13.75	13.75	45.75
-2G9	2933	–	2933/ 2933		2666	2666	2400		2400	2133	2133	1866	1866	1600	1600			14.32	14.32	46.32
-2G6	2666	–	–		2666	2666	2666		2400	2133	2133	1866	1866	1600	1600	1333		14.16	14.16	46.16
-2G3	2400	–	–	–	–	2400		2400	2133	2133	1866	1866	1600	1600	1333			14.16	14.16	46.16
-2G1	2133	–	–	–	–	–	–	2133	2133	1866	1866	1600	1600		1333		13.5	13.5	46.5

2. 尋址參數(shù)

該模塊的尋址參數(shù)包括行地址、列地址、設備銀行組地址、設備銀行地址和模塊排名地址等。這些參數(shù)決定了內(nèi)存模塊的尋址方式和存儲結(jié)構(gòu)。

Parameter	4GB
Row address	64K A[15:0]
Column address	1K A[9:0]
Device bank group address	2 BG0
Device bank address per group	4 BA[1:0]
Device configuration	8Gb (512 Meg x 16), 8 banks
Module rank address	CS0_n

四、引腳分配與描述

1. 引腳分配

該模塊的引腳分配涵蓋了 288 個引腳，包括電源引腳、數(shù)據(jù)引腳、控制引腳等。詳細的引腳分配表如下：

288 - Pin DDR4 UDIMM Front								288 - Pin DDR4 UDIMM Back
Pin	Symbol	Pin	Symbol	Pin	Symbol	Pin	Symbol	Pin	Symbol	Pin	Symbol	Pin	Symbol	Pin	Symbol
1	NC	37	VSS	73	VDD	109	VSS	145	NC	181	DQ29	217	VDD	253	DQ41
2	VSS	38	DQ24	74	CK0_t	110	DM5_n/ DBI5_n, NC	146	VREFCA	182	VSS	218	CK1_t	254	VSS
3	DQ4	39	VSS	75	CK0_c	111	NC	147	VSS	183	DQ25	219	CK1_c	255	DQS5_c
4	VSS	40	DM3_n/ DBI3_n, NC	76	VDD	112	VSS	148	DQ5	184	VSS	220	VDD	256	DQS5_t
5	DQ0	41	NC	77	VTT	113	DQ46	149	VSS	185	DQS3_c	221	VTT	257	VSS
6	VSS	42	VSS	78	EVENT_n, NF	114	VSS	150	DQ1	186	DQS3_t	222	PARITY	258	DQ47
7	DM0_n/ DBI0_n, NC	43	DQ30	79	A0	115	DQ42	151	VSS	187	VSS	223	VDD	259	VSS
8	NC	44	VSS	80	VDD	116	VSS	152	DQS0_c	188	DQ31	224	BA1	260	DQ43
9	VSS	45	DQ26	81	BA0	117	DQ52	153	DQS0_t	189	VSS	225	A10_AP	261	VSS
10	DQ6	46	VSS	82	RAS_n/ A16	118	VSS	154	VSS	190	DQ27	226	VDD	262	DQ53
11	VSS	47	CB4/ NC	83	VDD	119	DQ48	155	DQ7	191	VSS	227	NC	263	VSS
12	DQ2	48	VSS	84	CS0_n	120	VSS	156	VSS	192	CB5, NC	228	WE_n/ A14	264	DQ49
13	VSS	49	CB0/ NC	85	VDD	121	DM6_n/ DBI6_n, NC	157	DQ3	193	VSS	229	VDD	265	VSS
14	DQ12	50	VSS	86	CAS_n/ A15	122	NC	158	VSS	194	CB1, NC	230	NC	266	DQS6_c
15	VSS	51	DM8_n/ DBI8_n, NC	87	ODT0	123	VSS	159	DQ13	195	VSS	231	VDD	267	DQS6_t
16	DQ8	52	NC	88	VDD	124	DQ54	160	VSS	196	DQS8_c	232	A13	268	VSS
17	VSS	53	VSS	89	CS1_n, NC	125	VSS	161	DQ9	197	DQS8_t	233	VDD	269	DQ55
18	DMI_n/ DBI1_n, NC	54	CB6/ DBI8_n, NC	90	VDD	126	DQ50	162	VSS	198	VSS	234	NC	270	VSS
19	NC	55	VSS	91	ODT1, NC	127	VSS	163	DQS1_c	199	CB7, NC	235	NC	271	DQ51
20	VSS	56	CB2/ NC	92	VDD	128	DQ60	164	DQS1_t	200	VSS	236	VDD	272	VSS
21	DQ14	57	VSS	93	NC	129	VSS	165	VSS	201	CB3, NC	237	NC	273	DQ61
22	VSS	58	RESET_n	94	VSS	130	DQ56	166	DQ15	202	VSS	238	SA2	274	VSS
23	DQ10	59	VDD	95	DQ36	131	VSS	167	VSS	203	CKE1, NC	239	VSS	275	DQ57

2. 引腳描述

每個引腳都有其特定的功能和作用，例如地址輸入引腳（Ax）用于提供行地址和列地址，時鐘引腳（CKx_t 和 CKx_c）用于提供時鐘信號等。詳細的引腳描述如下：

Symbol	Type	Description
Ax	Input	地址輸入：為激活命令提供行地址，為讀寫命令提供列地址，以選擇內(nèi)存陣列中的一個位置。A10/AP、A12/BC_n、WE_n/A14、CAS_n/A15 和 RAS_n/A16 具有額外功能。
A10/AP	Input	自動預充電：在讀寫命令期間采樣 A10，以確定是否在讀寫操作后對訪問的銀行執(zhí)行自動預充電。
A12/BC_n	Input	突發(fā)截斷：在讀寫命令期間采樣 A12/BC_n，以確定是否執(zhí)行突發(fā)截斷。
ACT_n	Input	命令輸入：與 CS_n 一起定義激活命令。
BAx	Input	銀行地址輸入：定義激活、讀寫或預充電命令應用的銀行。
BGx	Input	銀行組地址輸入：定義刷新、激活、讀寫或預充電命令應用的銀行組。
CKx_t CKx_c	Input	時鐘：差分時鐘輸入，用于采樣地址、命令和控制輸入信號。
CKEx	Input	時鐘使能：CKE 高電平激活，低電平禁用內(nèi)部時鐘信號、設備輸入緩沖器和輸出驅(qū)動器。
CSx_n	Input	芯片選擇：當 CS_n 為高電平時，所有命令被屏蔽。
ODTx	Input	片內(nèi)終端：啟用 DDR4 SDRAM 內(nèi)部的終端電阻。
PARITY	Input	命令和地址的奇偶校驗：可通過模式寄存器啟用或禁用。
RAS_n/A16 CAS_n/A15 WE_n/A14	Input	命令輸入：定義命令和/或地址，具有多種功能。
RESET_n	CMOS Input	低電平有效異步復位：RESET_n 為低電平時復位有效，為高電平時無效。
SAx	Input	串行地址輸入：用于配置溫度傳感器/SPD EEPROM 地址范圍。
SCL	Input	溫度傳感器/SPD EEPROM 的串行時鐘：用于同步與溫度傳感器/SPD EEPROM 的通信。
DQx, CBx	I/O	數(shù)據(jù)輸入/輸出和校驗位輸入/輸出：雙向數(shù)據(jù)總線。
DM_n/DBI_n/ TDQS_t (DMU_n, DBIU_n), (DML_n/ DBIl_n)	I/O	輸入數(shù)據(jù)掩碼和數(shù)據(jù)總線反轉(zhuǎn)：DM_n 用于寫數(shù)據(jù)的輸入掩碼，DBI_n 用于識別數(shù)據(jù)是否反轉(zhuǎn)。
SDA	I/O	串行數(shù)據(jù)：用于在 EEPROM 或 EEPROM/TS 組合設備中傳輸數(shù)據(jù)。
DQS_t DQS_c DQSU_t DQSU_c DQSL_t DQSL_c	I/O	數(shù)據(jù)選通：與讀數(shù)據(jù)一起輸出，與寫數(shù)據(jù)一起輸入。
ALERT_n	Output	警報輸出：具有 CRC 錯誤標志和命令與地址奇偶校驗錯誤標志等功能。
EVENT_n	Output	溫度事件：當溫度超過臨界閾值時，溫度傳感器會斷言 EVENT_n 引腳。

五、功能框圖與拓撲結(jié)構(gòu)

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一、產(chǎn)品概述

二、產(chǎn)品特性

1. 基本特性

2. 電氣特性

3. 功能特性

三、關鍵參數(shù)

1. 時序參數(shù)

2. 尋址參數(shù)

四、引腳分配與描述

1. 引腳分配

2. 引腳描述

五、功能框圖與拓撲結(jié)構(gòu)

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