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探索NHD - 0416BZ - NSW - BBW字符液晶顯示模塊

chencui ? 2026-06-09 10:15 ? 次閱讀
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探索NHD - 0416BZ - NSW - BBW字符液晶顯示模塊

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,液晶顯示模塊是人機(jī)交互中不可或缺的一部分。今天,我們就來深入了解一下Newhaven Display International公司的NHD - 0416BZ - NSW - BBW字符液晶顯示模塊,看看它有哪些特點(diǎn)和應(yīng)用要點(diǎn)。

文件下載:NHD-0416BZ-NSW-BBW.pdf

一、模塊概述

NHD - 0416BZ - NSW - BBW模塊的型號(hào)包含了豐富的信息:

  • “NHD - ”代表Newhaven Display。
  • “0416 - ”表示該模塊具有4行,每行可顯示16個(gè)字符。
  • “BZ - ”為特定的型號(hào)標(biāo)識(shí)。
  • “N - ”說明它是透射型的。
  • “SW - ”表示采用側(cè)面白色LED背光。
  • “B - ”代表STN - 藍(lán)色( - )。
  • “B - ”意味著最佳視角為6:00方向。
  • “W - ”表示具有寬溫度特性,并且該模塊符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

二、功能與特性

2.1 顯示規(guī)格

該模塊能夠顯示4行,每行16個(gè)字符,內(nèi)置ST7066U控制器,采用 +5.0V電源供電,具有1/16 duty和1/5 bias的特性,且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

2.2 電氣特性

項(xiàng)目 符號(hào) 條件 最小值 典型值 最大值 單位
工作溫度范圍 TOP 絕對(duì)最大 -20 - +70 ?C
存儲(chǔ)溫度范圍 TST 絕對(duì)最大 -30 - +80 ?C
電源電壓 VDD - 4.7 5.0 5.3 V
電源電流 IDD VDD = 5.0V - 1.5 2.5 mA
LCD電源(對(duì)比度) VLCD TOP = 25°C 4.3 4.5 4.7 V
“H” 電平輸入 VIH - 0.7 * VDD - VDD V
“L” 電平輸入 VIL - VSS - 0.6 V
“H” 電平輸出 VOH - 3.9 - VDD V
“L” 電平輸出 VOL - VSS - 0.4 V
光電源電壓 VLED - 4.7 5.0 5.3 V
背光電源電流 ILED VLED = 5.0V 10 15 20 mA

2.3 光學(xué)特性

項(xiàng)目 符號(hào) 條件 最小值 典型值 最大值 單位
最佳視角 - 頂部 ?Y + CR ≥ 2 35 - - ?
最佳視角 - 底部 ?Y - - 60 - - ?
最佳視角 - 左側(cè) θX - - 40 - - ?
最佳視角 - 右側(cè) θX + - 40 - - ?
對(duì)比度 CR - 2 5 - -
響應(yīng)時(shí)間(上升) TR TOP = 25°C - 150 250 ms
響應(yīng)時(shí)間(下降) TF - 200 350 ms

三、引腳說明與接線圖

引腳編號(hào) 符號(hào) 外部連接 功能描述
1 VSS 電源地 電源接地端
2 VDD 電源 邏輯電源電壓( +5.0V)
3 V0 電源調(diào)節(jié) 對(duì)比度電源電壓(約0.5V)
4 RS MPU 寄存器選擇信號(hào),RS = 0:命令;RS = 1:數(shù)據(jù)
5 R/W MPU 讀寫選擇信號(hào),R/W = 1:讀;R/W = 0:寫
6 E MPU 操作使能信號(hào),下降沿觸發(fā)
7 - 10 DB0 – DB3 MPU 四位低階雙向三態(tài)數(shù)據(jù)總線,4位操作時(shí)不使用
11 - 14 DB4 – DB7 MPU 四位高階雙向三態(tài)數(shù)據(jù)總線
15 LED + 電源 背光陽極( +5.0V,通過板載電阻
16 LED - 電源 背光陰極(接地)

推薦使用2.54mm間距的引腳作為L(zhǎng)CD連接器

四、控制器信息

該模塊內(nèi)置ST7066U控制器,可在http://www.newhavendisplay.com/app_notes/ST7066U.pdf下載其詳細(xì)規(guī)格。DDRAM地址分布如下:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0B 0C 0D 0E 0F
40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4E 4F
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F
50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5D 5E 5F

五、指令表

指令 指令代碼(RS、R/W、DB7 - DB0) 描述 270 KHZ執(zhí)行時(shí)間(fosc = )
清屏 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 將 “20H” 寫入DDRAM,并將DDRAM地址從AC設(shè)置為 “00H” 1.52ms
返回主頁 0 0 0 0 0 0 0 0 1 - 將DDRAM地址從AC設(shè)置為 “00H”,并將光標(biāo)移回原始位置(若已移動(dòng)),DDRAM內(nèi)容不變 1.52ms
輸入模式設(shè)置 0 0 0 0 0 0 0 1 I/D SH 設(shè)置光標(biāo)移動(dòng)方向并指定顯示移位,在數(shù)據(jù)讀寫時(shí)執(zhí)行 37μs
顯示開/關(guān)控制 0 0 0 0 0 0 1 D C B D = 1:整個(gè)顯示開啟;C = 1:光標(biāo)開啟;B = 1:光標(biāo)閃爍開啟 37μs
光標(biāo)或顯示移位 0 0 0 0 0 1 S/C R/L - - 設(shè)置光標(biāo)移動(dòng)和顯示移位控制位及方向,不改變DDRAM數(shù)據(jù) 37μs
功能設(shè)置 0 0 0 0 1 DL N F - - DL:接口數(shù)據(jù)為8/4位;N:行數(shù)為2/1;F:字體大小為5x11/5x8 37μs
設(shè)置CGRAM地址 0 0 0 1 - - - - - AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 在地址計(jì)數(shù)器中設(shè)置CGRAM地址 37μs
設(shè)置DDRAM地址 0 0 1 - - - - - - AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 在地址計(jì)數(shù)器中設(shè)置DDRAM地址 37μs
讀取忙標(biāo)志和地址 0 1 BF - - - - - - AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 通過讀取BF可知是否處于內(nèi)部操作,也可讀取地址計(jì)數(shù)器內(nèi)容 0s
寫入數(shù)據(jù)到地址 1 0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 將數(shù)據(jù)寫入內(nèi)部RAM(DDRAM/CGRAM) 37μs
從RAM讀取數(shù)據(jù) 1 1 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 從內(nèi)部RAM(DDRAM/CGRAM)讀取數(shù)據(jù) 37μs

六、時(shí)序特性

6.1 MPU向ST7066U寫入數(shù)據(jù)

參數(shù) 描述 引腳 最小值 典型值 最大值 單位
Tc 使能周期時(shí)間 E 1200 - - ns
TPW 使能脈沖寬度 E 140 - - ns
TR,TF 使能上升/下降時(shí)間 E - - 25 ns
TAS 地址建立時(shí)間 RS、RW、E 0 0 - ns
TAH 地址保持時(shí)間 RS、RW、E 10 - - ns
TDSW 數(shù)據(jù)建立時(shí)間 DB0 - DB7 40 - - ns
TH 數(shù)據(jù)保持時(shí)間 DB0 - DB7 10 - - ns

6.2 從ST7066U向MPU讀取數(shù)據(jù)

參數(shù) 描述 引腳 最小值 典型值 最大值 單位
Tc 使能周期時(shí)間 E 1200 - 0 ns
TPW 使能脈沖寬度 E 140 - - ns
TR,TF 使能上升/下降時(shí)間 E - - 25 ns
TAS 地址建立時(shí)間 RS、RW、E 0 0 - ns
TAH 地址保持時(shí)間 RS、RW、E 10 - - ns
TDDR 數(shù)據(jù)建立時(shí)間 DB0 - DB7 - - 100 ns
TH 數(shù)據(jù)保持時(shí)間 DB0 - DB7 10 - - ns

七、初始化程序示例

7.1 8位初始化

void command(char i) 
{ 
    P1 = i; //put data on output Port
    D_I = 0; //D/I=LOW : send instruction 
    R_W = 0; //R/W=LOW:Write
    E = 1;
    Delay(1);
    Delay(1); //enable pulse width >= 300ns 
    E = 0; //Clock enable:falling edge
}

void write(char i) { 
    P1 = i; //put data on output Port 
    R_W = 0; 
    D_I = 1; //D/I=HIGH : send data 
    E = 1; 
    Delay(1);
    Delay(1); //enable pulse width >= 300ns 
    E = 0; //Clock enable: falling edge 
}

void init() 
{
    E = 0; 
    Delay(100); //Wait >40 msec after power is applied 
    command(0x30); //command 0x30 = Wake up
    Delay(30);
    command(0x30); //command 0x30 = Wake up #2
    Delay(10);
    command(0x30); //command 0x30 = Wake up #3
    Delay(10);
    command(0x38); //Function set: 8-bit/2-line 
    command(0x10); 
    command(0x0c); 
    command(0x06); //Set cursor //Display ON; Cursor ON //Entry mode set
}

7.2 4位初始化

void command(char i) 
{
    P1 = i; //put data on output Port
    D_I = 0; //D/I=LOW : send instruction 
    R_W = 0; 
    Nybble(); 
    i = i = 300ns 
    E = 0; //Clock enable:falling edge
}

void init() 
{
    P1 = 0; 
    P3 = 0; 
    Delay(100); //Wait >40 msec after power is applied 
    P1 = 0x30; 
    Delay(30);
    Nybble(); //command 0x30 = Wake up
    Delay(10);
    Nybble(); //command 0x30= Wake up #2
    Delay(10);
    Nybble(); //command 0x30 = Wake up #3 
    Delay(10);
    P1 = 0x20; 
    Nybble(); //Function set: 4-bit interface 
    command(0x28); //Function set: 4-bit/2-line 
    command(0x10); //Set cursor
    command(0x0F); //Display ON; Blinking cursor 
    command(0x06); //Entry Mode set
}

八、質(zhì)量信息與注意事項(xiàng)

8.1 質(zhì)量測(cè)試

測(cè)試項(xiàng)目 測(cè)試內(nèi)容 測(cè)試條件 備注
高溫存儲(chǔ) 長(zhǎng)時(shí)間施加高溫存儲(chǔ)溫度的耐久性測(cè)試 +80?C,48hrs 2
低溫存儲(chǔ) 長(zhǎng)時(shí)間施加低溫存儲(chǔ)溫度的耐久性測(cè)試 -30?C,48hrs 1,2
高溫操作 長(zhǎng)時(shí)間施加電應(yīng)力(電壓和電流)和高溫?zé)釕?yīng)力的耐久性測(cè)試 +70?C 48hrs 2
低溫操作 長(zhǎng)時(shí)間施加電應(yīng)力(電壓和電流)和低溫?zé)釕?yīng)力的耐久性測(cè)試 -20?C,48hrs 1,2
高溫/濕度操作 長(zhǎng)時(shí)間施加電應(yīng)力(電壓和電流)以及高溫高濕度應(yīng)力的耐久性測(cè)試 +40?C,90% RH,48hrs 1,2
熱沖擊抗性 在高低溫?zé)釕?yīng)力循環(huán)期間施加電應(yīng)力(電壓和電流)的耐久性測(cè)試 0?C,30min -> 25?C,5min -> 50?C,30min = 1 cycle 10 cycles
振動(dòng)測(cè)試 施加振動(dòng)以模擬運(yùn)輸和使用的耐久性測(cè)試 10 - 55Hz,15mm振幅,每個(gè)方向(X、Y、Z)60秒,共15分鐘 3
靜電測(cè)試 施加靜電放電的耐久性測(cè)試 VS = 800V,RS = 1.5kΩ,CS = 100pF,一次

備注說明:

  • 注意1:測(cè)試過程中不應(yīng)觀察到冷凝現(xiàn)象。
  • 注意2:在25?C,0%RH下存儲(chǔ)4小時(shí)后進(jìn)行測(cè)試。
  • 注意3:對(duì)產(chǎn)品本身進(jìn)行測(cè)試,而非在容器內(nèi)。

8.2 注意事項(xiàng)

使用LCDs/LCMs時(shí)的注意事項(xiàng)可參考www.newhavendisplay.com/specs/precautions.pdf,保修信息和條款可查看http://www.newhavendisplay.com/index.php?main

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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