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深入解析NHD - 0420DZ - NSW - BBW字符液晶顯示模塊

chencui ? 2026-06-09 11:05 ? 次閱讀
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深入解析NHD - 0420DZ - NSW - BBW字符液晶顯示模塊

在電子設(shè)備的設(shè)計中,液晶顯示模塊是不可或缺的一部分,它為用戶提供了直觀的信息交互界面。今天我們就來詳細(xì)解析Newhaven Display International推出的NHD - 0420DZ - NSW - BBW字符液晶顯示模塊。

文件下載:NHD-0420DZ-NSW-BBW.pdf

一、產(chǎn)品概述

NHD - 0420DZ - NSW - BBW是一款具有4行20字符顯示能力的液晶顯示模塊。其型號中的每個部分都有特定含義:

  • “NHD - ”代表Newhaven Display。
  • “0420 - ”表示4行20字符的顯示規(guī)格。
  • “DZ - ”為具體型號。
  • “N - ”代表透射型。
  • “SW - ”表示邊緣白色LED背光。
  • “B - ”表示STN負(fù)性、藍(lán)色顯示。
  • “B - ”代表6:00最佳視角。
  • “W - ”意味著寬溫度范圍,并且該產(chǎn)品符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

二、功能與特性

2.1 基本功能

  • 顯示能力:具備4行20字符的顯示能力,能夠滿足大多數(shù)信息顯示需求。
  • 內(nèi)置控制器:采用ST7066U控制器,可通過鏈接下載其詳細(xì)規(guī)格。
  • 電源要求:使用 +5.0V 電源供電,采用1/16 duty、1/5 bias的驅(qū)動方式。

2.2 環(huán)保特性

產(chǎn)品符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),這意味著它在生產(chǎn)過程中限制了有害物質(zhì)的使用,更加環(huán)保。

三、引腳說明與接線圖

該模塊共有16個引腳,每個引腳都有其特定的功能: 引腳編號 符號 外部連接 功能描述
1 VSS 電源地 提供電源接地
2 VDD 電源 邏輯供電電壓(+5.0V)
3 V0 電源 對比度供電電壓(約0.5V)
4 RS MPU 寄存器選擇信號,RS = 0為命令,RS = 1為數(shù)據(jù)
5 R/W MPU 讀寫選擇信號,R/W = 1為讀,R/W = 0為寫
6 E MPU 操作使能信號,下降沿觸發(fā)
7 - 10 DB0 - DB3 MPU 低4位雙向三態(tài)數(shù)據(jù)總線,4位操作時不使用
11 - 14 DB4 - DB7 MPU 高4位雙向三態(tài)數(shù)據(jù)總線
15 LED + 電源 背光陽極(5V時48mA)
16 LED - 電源 背光

推薦使用2.54mm間距的引腳作為LCD連接器,不過文檔中未提及背光連接器的具體信息。

四、電氣光學(xué)特性

4.1 電氣特性

項目 符號 條件 最小值 典型值 最大值 單位
工作溫度范圍 TOP 絕對最大 -20 - +70 °C
存儲溫度范圍 TST 絕對最大 -30 - +80 °C
電源電壓 VDD - 4.5 5.0 5.5 V
電源電流 IDD VDD = 5.0V 1.0 1.2 1.5 mA
LCD供電(對比度) VLCD TOP = 25°C 4.4 4.5 4.6 V
“H” 電平輸入 VIH - 0.7 * VDD - VDD V
“L” 電平輸入 VIL - VSS - 0.6 V
“H” 電平輸出 VOH - 3.9 - VDD V
“L” 電平輸出 VOL - VSS - 0.4 V
光電源電壓 VLED ILED = 48mA 4.9 5.0 5.1 V
背光電源電流 ILED - 15 48 60 mA

需要注意的是,背光采用電流驅(qū)動,不要超過60mA,因為亮度與背光電源電流直接相關(guān)。

4.2 光學(xué)特性

項目 符號 條件 最小值 典型值 最大值 單位
最佳視角 頂部 ?Y + CR ≥ 2 - 20 - °
底部 ?Y - - 40 - °
左側(cè) θX - - 30 - °
右側(cè) θX + - 30 - °
對比度 CR - - - 3 -
響應(yīng)時間 上升 TR TOP = 25°C - 150 200 ms
下降 TF - 150 200 ms

五、控制器信息

模塊內(nèi)置ST7066U控制器,其DDRAM地址有特定的分布: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0B 0C 0D 0E 0F 10 11 12 13
40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4E 4F 50 51 52 53
14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 20 21
54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5D 5E 5F 60 61

六、指令表

該模塊有多種指令,不同指令的代碼和執(zhí)行時間如下: 指令 指令代碼(RS、R/W、DB7 - DB0) 描述 270 KHZ執(zhí)行時間(fOSC = )
清屏 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 將 “20H” 寫入DDRAM,并將DDRAM地址從AC設(shè)置為 “00H” 1.52ms
返回主頁 0 0 0 0 0 0 0 0 1 - 將DDRAM地址從AC設(shè)置為 “00H”,如果光標(biāo)已移動則返回原始位置,DDRAM內(nèi)容不變 1.52ms
輸入模式設(shè)置 0 0 0 0 0 0 0 1 I/D SH 設(shè)置光標(biāo)移動方向并指定顯示移位,在數(shù)據(jù)讀寫時執(zhí)行 37μs
顯示開/關(guān)控制 0 0 0 0 0 0 1 D C B D = 1:整個顯示開啟;C = 1:光標(biāo)開啟;B = 1:閃爍光標(biāo)開啟 37μs
光標(biāo)或顯示移位 0 0 0 0 0 1 S/C R/L - - 設(shè)置光標(biāo)移動和顯示移位控制位及方向,不改變DDRAM數(shù)據(jù) 37μs
功能設(shè)置 0 0 0 0 1 DL N F - - DL:接口數(shù)據(jù)為8/4位;N:行數(shù)為2/1;F:字體大小為5x11/5x8 37μs
設(shè)置CGRAM地址 0 0 0 1 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 在地址計數(shù)器中設(shè)置CGRAM地址 37μs
設(shè)置DDRAM地址 0 0 1 AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 在地址計數(shù)器中設(shè)置DDRAM地址 37μs
讀取忙標(biāo)志和地址 0 1 BF AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 通過讀取BF可知是否處于內(nèi)部操作,也可讀取地址計數(shù)器內(nèi)容 0s
向地址寫入數(shù)據(jù) 1 0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 將數(shù)據(jù)寫入內(nèi)部RAM(DDRAM/CGRAM) 37μs
從RAM讀取數(shù)據(jù) 1 1 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 從內(nèi)部RAM(DDRAM/CGRAM)讀取數(shù)據(jù) 37μs

七、時序特性

7.1 從MPU向ST7066U寫入數(shù)據(jù)

參數(shù) 描述 引腳 最小值 典型值 最大值 單位
Tc 使能周期時間 引腳E 1200 - - ns
TPW 使能脈沖寬度 引腳E 140 - - ns
TR,TF 使能上升/下降時間 引腳E - - 25 ns
TAS 地址建立時間 引腳RS、RW、E 0 0 - ns
TAH 地址保持時間 引腳RS、RW、E 10 - - ns
TDSW 數(shù)據(jù)建立時間 引腳DB0 - DB7 40 - - ns
TH 數(shù)據(jù)保持時間 引腳DB0 - DB7 10 - - ns

7.2 從ST7066U向MPU讀取數(shù)據(jù)

參數(shù) 描述 引腳 最小值 典型值 最大值 單位
Tc 使能周期時間 引腳E 1200 - - ns
TPW 使能脈沖寬度 引腳E 140 - - ns
TR,TF 使能上升/下降時間 引腳E - - 25 ns
TAS 地址建立時間 引腳RS、RW、E 0 0 - ns
TAH 地址保持時間 引腳RS、RW、E 10 - - ns
TDDR 數(shù)據(jù)建立時間 引腳DB0 - DB7 - - 100 ns
TH 數(shù)據(jù)保持時間 引腳DB0 - DB7 10 - - ns

八、內(nèi)置字體表

文檔中給出了內(nèi)置字體表,但內(nèi)容較為復(fù)雜,這里不再詳細(xì)列出。在實際使用中,可根據(jù)需要參考該字體表進(jìn)行字符顯示。

九、初始化程序示例

9.1 8位初始化

/**********************************************************/ 
void command(char i) { 
    P1 = i; //put data on output Port 
    D_I = 0; //D/I = LOW : send instruction 
    E = 1; 
    Delay(1); 
    RW = 0; //R/W = LOW:Write
    Delay(1); //enable pulse width >= 300ns 
    E = 0; //Clock enable: falling edge 
} 

void write(char i) {
    P1 = i; //put data on output Port 
    D_I = 1; //D/I = HIGH : send data 
    RW = 0; //R/W = LOW : Write
    E = 1; 
    Delay(1);
    Delay(1); //enable pulse width >= 300ns 
    E = 0; //Clock enable: falling edge 
}

void init() {
    E = 0; 
    Delay(100); //Wait >40 msec after power is applied 
    command(0x30); //command 0x30 = Wake up 
    Delay(30); //must wait 5ms, busy flag not available 
    command(0x30); //command 0x30 = Wake up #2 
    Delay(10); //must wait 160us, busy flag not available 
    command(0x30); //command 0x30 = Wake up #3 
    Delay(10); //must wait 160us, busy flag not available 
    command(0x38); //Function set: 8-bit/2-line 
    command(0x10); 
    command(0x0c); //Set cursor
    command(0x06); //Entry mode set 
}

9.2 4位初始化

void command(char i) {
    P1 = i; //put data on output Port 
    D_I = 0; //D/I = LOW : send instruction 
    RW = 0; 
    Nybble(); //Send upper 4 bits 
    i = i = 300ns 
    E = 0; //Clock enable: falling edge 
}

void init() {
    P1 = 0; 
    P3 = 0; 
    Delay(100); //Wait >40 msec after power is applied 
    P1 = 0x30; //put 0x30 on the output port 
    Delay(30); //must wait 5ms, busy flag not available 
    Nybble(); //command 0x30 = Wake up 
    Delay(10); //must wait 160us, busy flag not available 
    Nybble(); //command 0x30 = Wake up #2 
    Delay(10); //must wait 160us, busy flag not available 
    Nybble(); //command 0x30 = Wake up #3 
    Delay(10); //can check busy flag now instead of delay 
    P1 = 0x20; //put 0x20 on the output port 
    Nybble(); //Function set: 4-bit interface 
    command(0x28); //Function set: 4-bit/2-line 
    command(0x10); //Set cursor
    command(0x0F); //Display ON; Blinking cursor 
    command(0x06); //Entry Mode set 
}

十、質(zhì)量信息與注意事項

10.1 質(zhì)量測試

該模塊進(jìn)行了多項質(zhì)量測試,包括高溫存儲、低溫存儲、高溫操作、低溫操作、高溫/濕度存儲、熱沖擊抗性、振動測試和靜電測試等,具體測試條件和注意事項如下: 測試項目 測試內(nèi)容 測試條件 注意事項
高溫存儲 長時間施加高存儲溫度的耐久性測試 +80°C,200小時 2
低溫存儲 長時間施加低存儲溫度的耐久性測試 -30°C,200小時 1,2
高溫操作 長時間施加電應(yīng)力(電壓和電流)和高熱應(yīng)力的耐久性測試 +70°C,
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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