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兆易創(chuàng)新明年或?qū)⑹召徍戏蔇RAM項目

NSFb_gh_eb0fee5 ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-10-19 09:49 ? 次閱讀
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兆易創(chuàng)新2018年度定期現(xiàn)場檢查報告,披露了募集資金使用情況。

兆易創(chuàng)新 2016 年 8 月 18 日上市后至 2018 年 6 月 30 日,首次公開發(fā)行募集資金投資項目累計使用募集資金 42,019.68 萬元。截至 2018 年 6 月 30 日,公司募集資金專戶存放募集資金總計為 10,306.36 萬元,其中尚未使用的募集資金 9,633.25萬元,利息收入扣除手續(xù)費導致募集資金凈額增加 673.11 萬元。

據(jù)披露,兆易創(chuàng)新嚴格執(zhí)行募集資金專戶存儲制度,募集資金使用與已披露情況一致,募集資金項目不存在重大風險,不存在其他違反《上海證券交易所上市公司募集資金管理辦法》的情況。

截至 2018 年 10 月 11 日,兆易創(chuàng)新經(jīng)營情況良好。 2018 年上半年,公司實現(xiàn)營業(yè)收入 11.07 億元, 較去年同期增長 17.88%; 歸屬于上市公司股東的凈利潤 2.35億元,較去年同期增長 30.99%。

此外,兆易創(chuàng)新還提及合肥 DRAM 項目進展對公司經(jīng)營及財務的影響。

兆易創(chuàng)新于 2017 年 10 月與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股(集團)有限公司(以下簡稱“合肥產(chǎn)投” ) 簽署了 《關于存儲器研發(fā)項目之合作協(xié)議》 (以下簡稱“ 《合作協(xié)議》 ” ) ,合作在合肥市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)空港經(jīng)濟示范區(qū)內(nèi)開展工藝制程 19nm 存儲器的 12英寸晶圓存儲器(含 DRAM 等)的研發(fā),目標是在 2018 年 12 月 31 日前研發(fā)成功,即實現(xiàn)產(chǎn)品良率(測試電性良好的晶片占整個晶圓的比例)不低于 10%。該項目所需投資由公司和合肥產(chǎn)投按照 1:4 的比例負責籌集,公司負責籌集約 36 億元。

根據(jù)《合作協(xié)議》的約定,若 2018 年 12 月 31 日前項目目標尚未實現(xiàn)、雙方?jīng)Q定終止項目, 兆易創(chuàng)新與合肥產(chǎn)投需要根據(jù) 1:4 分擔項目損益; 又或 2018 年 12 月31 日前未能按期實現(xiàn)該項目目標,且合肥產(chǎn)投決定退出該項目而兆易創(chuàng)新決定繼續(xù)經(jīng)營的并截至2019 年 12 月 31 日,項目目標仍未實現(xiàn)的,兆易創(chuàng)新有義務完成收購合肥產(chǎn)投在項目應當享有的清算或處置收益。

兆易創(chuàng)新披露,鑒于上述項目投資金額較大,技術難度較高,項目的實施情況具有一定的不確定性,保薦機構提請公司持續(xù)密切跟蹤項目實施進展,嚴格做好項目管控,切實有效控制并降低項目可能對公司未來經(jīng)營運作、財務狀況和經(jīng)營業(yè)績等帶來的不利風險。目前兆易創(chuàng)新經(jīng)營狀況良好。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:兆易創(chuàng)新披露上市募資使用進展,明年或?qū)⑹召徍戏?DRAM 項目

文章出處:【微信號:gh_eb0fee55925b,微信公眾號:半導體投資聯(lián)盟】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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