從2016年第二季度開始，存儲(chǔ)器價(jià)格一路飆升，每個(gè)季度都在刷新著銷售額紀(jì)錄。

這一波漲價(jià)趨勢(shì)，也著實(shí)“養(yǎng)肥”了不少存儲(chǔ)器大廠。根據(jù)市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)IC insights最新的報(bào)告顯示，三星憑借著強(qiáng)勢(shì)的存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)已經(jīng)力壓英特爾，連續(xù)兩年坐上了半導(dǎo)體銷售排行榜的龍頭寶座。此外，今年SK 海力士也是憑借其存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，將臺(tái)積電擠下了前三的位置。

一方面，這一波漲價(jià)潮讓存儲(chǔ)器廠商獲利不少，但同時(shí)也讓終端廠商嘗到了切膚之痛，成本大增，利潤(rùn)降低了不少。

現(xiàn)在廠商和消費(fèi)者們終于熬到了頭，近日，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange指出，10月份的DRAM合約價(jià)已經(jīng)正式走跌，除了宣告DRAM價(jià)格漲勢(shì)告一段落，供過于求加上高庫(kù)存水位的影響將導(dǎo)致價(jià)格跌幅劇烈。

存儲(chǔ)器價(jià)格為什么開始下降?

2017年底到2018年發(fā)生了什么，為什么存儲(chǔ)器的價(jià)格會(huì)有所下降？主要有以下幾點(diǎn)原因。

一是，市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)器的需求有所放緩。集微網(wǎng)記者了解到，英特爾14納米x86 CPU 產(chǎn)能短缺，比特幣價(jià)格下跌造成的中低端挖礦機(jī)需求不振，及新興市場(chǎng)貨幣貶值造成的中低端手機(jī)銷售不佳，造成明年內(nèi)存DRAM和閃存NAND預(yù)計(jì)將會(huì)有3-5%的供過于求。

二是，由于前兩年價(jià)格一路看漲的趨勢(shì)，各大內(nèi)存廠產(chǎn)能“剎不住車”，導(dǎo)致NAND Flash快閃存儲(chǔ)器和DRAM價(jià)格開始持續(xù)走低，終結(jié)了持續(xù)兩年的市場(chǎng)供應(yīng)緊俏狀況。

三是，從2016年開始，全球各大存儲(chǔ)芯片廠商紛紛開始升級(jí)，而供不應(yīng)求的情況正是出現(xiàn)在技術(shù)轉(zhuǎn)換期內(nèi)。而現(xiàn)在，隨著三星開始量產(chǎn)96層3D NAND芯片，東芝、西數(shù)也宣布量產(chǎn)96層QLC閃存顆粒等，也宣告技術(shù)轉(zhuǎn)換期的結(jié)束。

四是，來自客戶的壓力。手機(jī)廠商貢獻(xiàn)了全球三分之一的存儲(chǔ)芯片需求，許多手機(jī)廠商一直在對(duì)存儲(chǔ)器供應(yīng)商施壓，想讓他們降低價(jià)格。

存儲(chǔ)器價(jià)格下降預(yù)計(jì)不超過18個(gè)月

然而，即便是近期存儲(chǔ)器的價(jià)格有所放緩，手機(jī)廠商們也不用太高興。據(jù)業(yè)內(nèi)人士分析，此次價(jià)格下降趨勢(shì)預(yù)計(jì)不超過18個(gè)月。

據(jù)了解，英特爾14納米x86 CPU 短缺狀況應(yīng)會(huì)于明年中之前改善，10納米x86 CPU應(yīng)于明年下半年量產(chǎn)，AMD 7納米x86 CPU，7納米挖礦機(jī)及智能手機(jī)，5G手機(jī)等都將于明年上市取代中低端機(jī)型及對(duì)存儲(chǔ)器半導(dǎo)體產(chǎn)生正面影響。因此可以預(yù)估大多數(shù)的內(nèi)閃存存儲(chǔ)器半導(dǎo)體公司會(huì)面對(duì)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率從近50%的高位下滑，但卻不至于步入虧損。

并且，存儲(chǔ)器廠商們也有進(jìn)行一定的措施防止價(jià)格下滑太嚴(yán)重。

近日，韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠SK海力士表示，為了應(yīng)對(duì)2019年包括NAND Flash快閃存儲(chǔ)器及DRAM的價(jià)格下跌，公司決定不但將自2018年底前開始減少投資規(guī)模，還將監(jiān)控并調(diào)整2019年的產(chǎn)能。

同時(shí)，韓媒Digital Daily報(bào)道也稱，三星電子降低了利潤(rùn)較低的移動(dòng)DRAM生產(chǎn)比重，提高了利潤(rùn)更高的DRAM供給，并且今年不會(huì)再進(jìn)行DRAM和NAND Flash的新產(chǎn)線投資。

而另一個(gè)內(nèi)存大廠美光由于存儲(chǔ)器需求和價(jià)格同步下滑，將會(huì)囤積庫(kù)存，以放緩其價(jià)格下跌的速度。根據(jù)美光的說法，控制產(chǎn)能之外還會(huì)加速研發(fā)，以此來?yè)屨嘉磥鞤RAM的高端市場(chǎng)，其16Gb DDR5芯片會(huì)在2019年底量產(chǎn)，基于18nm以下工藝，這就意味著，搭載DDR5內(nèi)存模組的系統(tǒng)最快2020年面世。

“趕了個(gè)晚集”的中國(guó)廠商

但是，中國(guó)廠商似乎并沒有嘗到漲價(jià)潮的福利。

目前，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器主要依靠進(jìn)口，數(shù)據(jù)顯示，我國(guó)每年進(jìn)口的存儲(chǔ)器金額約為600億美元。存儲(chǔ)器可以說是扼住了中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展的咽喉。為此，國(guó)家下定決心發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)。

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器廠商最近一段時(shí)間更是沒有閑著，在國(guó)內(nèi)呼喚芯片等科技自主的聲音里，早就開始加快科研與投產(chǎn)進(jìn)度。雖然還沒有給傳統(tǒng)存儲(chǔ)器廠商帶來實(shí)質(zhì)影響，但也足夠給存儲(chǔ)器市場(chǎng)帶來一劑降溫藥。

最新的消息來自于長(zhǎng)江存儲(chǔ)，其32層3D NAND將于今年底前投入量產(chǎn)，也就是現(xiàn)在了，并要爭(zhēng)取實(shí)現(xiàn)每月30萬片晶圓的產(chǎn)能。另外，兩天前爆出消息，有業(yè)界人士透露，長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking架構(gòu)的64層NAND樣品已經(jīng)送至合作伙伴進(jìn)行測(cè)試，讀寫質(zhì)量大致穩(wěn)定，預(yù)計(jì)最快將在2019年第3季投產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)更計(jì)劃在2020年跳過96層3D NAND，直接進(jìn)入128層堆疊。

在產(chǎn)能方面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢存儲(chǔ)基地一期已經(jīng)投入生產(chǎn)，原本該工廠計(jì)劃的是10萬片產(chǎn)能，但實(shí)際可以做到15萬。為了進(jìn)一步擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，武漢存儲(chǔ)基地二期和紫光成都存儲(chǔ)器制造基地已經(jīng)開工，正在不斷擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。

福建晉華最近則是傳出了不好的消息。由于與聯(lián)電有緊密的合作關(guān)系，共同研發(fā)DRAM，當(dāng)被卷入聯(lián)電與美光的知識(shí)產(chǎn)權(quán)糾紛時(shí)，麻煩隨之而來，美國(guó)政府找各種理由，禁止美國(guó)等半導(dǎo)體設(shè)備廠商將相關(guān)設(shè)備和技術(shù)出售給福建晉華，隨之而來的是，聯(lián)電也中止了與晉華的合作。

合肥長(zhǎng)鑫方面，則是在今年7月正式投片了DRAM，啟動(dòng)試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品。這也是第一個(gè)中國(guó)大陸自主研發(fā)的DRAM芯片。

現(xiàn)在，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠商真正“見真功”和“花大錢”的時(shí)候到了。不過目前來看，國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)器廠商由于技術(shù)原因，與國(guó)際大廠的差距還很明顯，想要趕上漲價(jià)潮的紅利還需努力！