半導(dǎo)體世界可能會(huì)有一個(gè)新的參與者，它以氧化鎵技術(shù)的形式出現(xiàn)。根據(jù)布法羅大學(xué)（UB）工程與應(yīng)用科學(xué)學(xué)院電氣工程副教授Uttam Singisetti博士的說(shuō)法，這種材料可以在改善電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能和其他形式的可再生能源方面發(fā)揮關(guān)鍵作用，他說(shuō)，“我們需要具有更強(qiáng)大和更高效的功率處理能力的電子元件。氧化鎵開(kāi)辟了我們用現(xiàn)有半導(dǎo)體無(wú)法實(shí)現(xiàn)的新可能性?！?/p>

電子工業(yè)正在盡可能地將硅最大化應(yīng)用，但其畢竟還是有局限的，這就是為什么研究人員正在探索其它材料，如碳化硅，氮化鎵和氧化鎵。雖然氧化鎵的導(dǎo)熱性能較差，但其帶隙（約4.8電子伏特或eV）超過(guò)碳化硅（約3.4eV），氮化鎵（約3.3eV）和硅（1.1eV）的帶隙。

帶隙可衡量使電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。采用高帶隙材料制成的系統(tǒng)可以比由帶隙較低的材料組成的系統(tǒng)更薄、更輕，并且處理更多的功率。此外，高帶隙允許在更高的溫度下操作這些系統(tǒng)，從而減少對(duì)龐大的冷卻系統(tǒng)的需求。

5μm的Ga2O3 MOSFET

Singisetti教授和他的學(xué)生（Ke Zang和Abhishek Vaidya）制造了一個(gè)由5微米的、由氧化鎵制成的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），而一張紙的厚度約為100微米。

研究人員表示，該晶體管的擊穿電壓為1,850 V，比氧化鎵半導(dǎo)體的記錄增加了一倍多。擊穿電壓是將材料（在這種情況下為氧化鎵）從絕緣體轉(zhuǎn)換為導(dǎo)體所需的電量。擊穿電壓越高，器件可以處理的功率越高。

Singisetti表示，由于晶體管的尺寸相對(duì)較大，因此不適合智能手機(jī)和其他小型設(shè)備。但它可能有助于調(diào)節(jié)大規(guī)模運(yùn)營(yíng)中的能量流，例如收獲太陽(yáng)能和風(fēng)能的發(fā)電廠，以及電動(dòng)汽車(chē)、火車(chē)和飛機(jī)等。

“我們通過(guò)增加更多的硅來(lái)提高晶體管的功率處理能力。不幸的是，這會(huì)增加更多的重量，從而降低這些設(shè)備的效率，“Singisetti說(shuō)。“氧化鎵可以讓我們?cè)谑褂酶俚牟牧蠒r(shí)達(dá)到并最終超過(guò)硅基器件。這可催生出更輕、更省油的電動(dòng)汽車(chē)?！?/p>

然而，要實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，必須解決一些挑戰(zhàn)，他說(shuō)。特別是，必須設(shè)計(jì)基于氧化鎵的系統(tǒng)以克服材料的低導(dǎo)熱性。

該研究得到了美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金會(huì)，紐約州立大學(xué)材料與先進(jìn)制造卓越網(wǎng)絡(luò)以及布法羅大學(xué)環(huán)境與水資源研究與教育研究所（RENEW）的支持。

更多的氧化鎵研究

其他研究人員也正在研究氧化鎵。在AIP出版社發(fā)表在應(yīng)用物理快報(bào)上的一篇文章中，作者Higashiwaki和Jessen概述了使用氧化鎵生產(chǎn)微電子的案例。作者專(zhuān)注于場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），這些器件可以從氧化鎵的大臨界電場(chǎng)強(qiáng)度中獲益。Jessen所說(shuō)的質(zhì)量可以實(shí)現(xiàn)具有更小幾何結(jié)構(gòu)的FET的設(shè)計(jì)以及可以破壞任何其他FET材料的侵蝕性摻雜分布。

“微電子世界最大的缺點(diǎn)之一就是充分利用電源：設(shè)計(jì)人員總是希望減少過(guò)多的電力消耗和不必要的熱量產(chǎn)生，”空軍研究實(shí)驗(yàn)室的首席電子工程師Gregg Jessen說(shuō)?！巴ǔ?，您可以通過(guò)縮小設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)此目的。但是，目前使用的技術(shù)已經(jīng)接近其許多應(yīng)用所需的工作電壓極限。它們受到了臨界電場(chǎng)強(qiáng)度的限制?！?/p>

該材料在各種應(yīng)用中的靈活性源于其廣泛的可能導(dǎo)電性 - 由于其電場(chǎng)強(qiáng)度，從高導(dǎo)電性到非常絕緣性和高擊穿電壓能力。因此，氧化鎵可以達(dá)到極端程度。大面積的氧化鎵晶圓也可以從熔體中生長(zhǎng)，從而降低了制造成本。

“下一個(gè)氧化鎵應(yīng)用將是電源的單極FET，”Jessen說(shuō)?！芭R界場(chǎng)強(qiáng)是這里的關(guān)鍵指標(biāo)，它具有卓越的能量密度能力。氧化鎵的臨界場(chǎng)強(qiáng)是硅的20倍以上，是碳化硅和氮化鎵的兩倍多?！?/p>

作者討論了Ga2O3晶片的制造方法，控制電子密度的能力以及空穴傳輸?shù)奶魬?zhàn)。他們的研究表明，單極Ga2O3器件將占主導(dǎo)地位。他們的論文還詳細(xì)介紹了不同類(lèi)型FET中的Ga2O3應(yīng)用，以及該材料如何在高壓、高功率和功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中使用。

“從研究的角度來(lái)看，氧化鎵真的令人興奮，”Jessen說(shuō)?！拔覀儎倓傞_(kāi)始了解這些設(shè)備在多種應(yīng)用中的全部潛力，現(xiàn)在是參與該領(lǐng)域的好時(shí)機(jī)?！?/p>

第一個(gè)氧化鎵MOSFET

FLOSFIA在日本首次成功地證明了使用氧化鋅實(shí)現(xiàn)常關(guān)MOSFET 的可能性 。這是一項(xiàng)具有開(kāi)創(chuàng)性的工作，因?yàn)樯a(chǎn)常關(guān)MOSFET一直被認(rèn)為極具挑戰(zhàn)性。FLOSFIA計(jì)劃制造剛玉（corundum，一種晶體結(jié)構(gòu)）α-Ga2O3功率器件，GaO 系列，從TO-220中的肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）開(kāi)始，然后是MOSFET。

圖1：常關(guān)Ga2O3MOSFET的I-V曲線

常關(guān)MOSFET 的第一個(gè)α-Ga2O3（見(jiàn)圖1 ）由N+源/漏極層，p型阱層，柵極絕緣體和電極組成（見(jiàn)圖2 和圖3 ）。從I-V曲線外推的柵極閾值電壓為7.9V。該器件由新型p型剛玉半導(dǎo)體制成，其起到反型層的作用。沒(méi)有理論研究預(yù)測(cè)p型材料與n型Ga2O3相容，直到該團(tuán)隊(duì)在2016年發(fā)現(xiàn)p型Ir2O3，它被認(rèn)為是非常難以實(shí)現(xiàn)的常關(guān)MOSFET。

圖2：器件的橫截面示意圖

3：常關(guān)Ga2O3MOSFET的光學(xué)顯微照片

FLOSFIA總部位于日本京都，是京都大學(xué)研究的副產(chǎn)品，專(zhuān)門(mén)從事霧化學(xué)氣相沉積（CVD）成膜。利用氧化鎵（Ga2O3）的物理特性，F(xiàn)LOSFIA致力于開(kāi)發(fā)低損耗功率器件。該公司成功開(kāi)發(fā)了一種SBD，其具有目前可用的任何類(lèi)型的最低特定導(dǎo)通電阻，實(shí)現(xiàn)與降低功率相關(guān)的技術(shù)，比以前減少了90％。FLOSFIA現(xiàn)在將開(kāi)發(fā)自己的生產(chǎn)線，著眼于2018年開(kāi)始商業(yè)化生產(chǎn)，其生產(chǎn)各種薄膜、增強(qiáng)MISTDRY技術(shù)，實(shí)現(xiàn)功率器件的商業(yè)化，并實(shí)現(xiàn)其技術(shù)應(yīng)用于電極材料、具有功能特性的氧化物電子器件，電鍍和聚合物。

綜上，氧化鎵是一種新興的功率半導(dǎo)體材料，其帶隙大于硅，氮化鎵和碳化硅，但在成為電力電子產(chǎn)品的主要參與者之前，仍需要開(kāi)展更多的研發(fā)和推進(jìn)工作。