12月10日，比亞迪在寧波發(fā)布了在車規(guī)級領(lǐng)域的IGBT4.0技術(shù)，將電動車CPU的核心技術(shù)帶到了“聚光燈”下。

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)全稱“絕緣柵雙極型晶體管”，其芯片與動力電池電芯并稱為電動車的 “雙芯”，是影響電動車性能的關(guān)鍵技術(shù)，其成本占整車成本的5%左右。

對于電動車而言，IGBT直接控制驅(qū)動系統(tǒng)直、交流電的轉(zhuǎn)換，決定了車輛的扭矩和最大輸出功率等。

作為中國第一家實現(xiàn)車規(guī)級IGBT大規(guī)模量產(chǎn)、也是唯一一家擁有IGBT完整產(chǎn)業(yè)鏈的車企。比亞迪稱，已投入巨資布局性能更加優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)，有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預(yù)計到2023年，比亞迪旗下的電動車將全面搭載SiC電控。

IGBT屬于汽車功率半導(dǎo)體的一種，因設(shè)計門檻高、制造技術(shù)難、投資大，被業(yè)內(nèi)稱為電動車核心技術(shù)的“珠穆拉瑪峰”。此前，該技術(shù)主要掌握在國際巨頭手中。

“比亞迪依靠自身強大的研發(fā)實力、人才的聚集、產(chǎn)業(yè)鏈的配套，在汽車功率半導(dǎo)體領(lǐng)域有了核心的突破，這個突破不是今天想，明天投入就能實現(xiàn)的，是積累了十多年的技術(shù)、人才和產(chǎn)業(yè)鏈才能實現(xiàn)的?！敝袊雽?dǎo)體行業(yè)協(xié)會IC設(shè)計分會副理事長周生明表示。

據(jù)比亞迪第六事業(yè)部兼太陽能事業(yè)部總經(jīng)理陳剛介紹，比亞迪IGBT4.0較當(dāng)前市場主流的IGBT，電流輸出能力高15%，綜合損耗降低了約20%。

同時，比亞迪稱，已經(jīng)成功研發(fā)了SiC MOSFET(汽車功率半導(dǎo)體包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或 MOSFET等)，有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預(yù)計到2023年，比亞迪將在旗下的電動車中，實現(xiàn)SiC基車用功率半導(dǎo)體對硅基IGBT的全面替代，將整車性能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上再提升10%。

陳剛表示：“SiC MOSFET將成為比亞迪電動車性能持續(xù)迭代更新的新一代‘殺手锏’，同時保持開放心態(tài)，期待和產(chǎn)業(yè)鏈條上的伙伴合作融合?！?/p>