佳能公司宣布將于2018年12月下旬發(fā)布針對半導體曝光設備后道工序的i線***※1「FPA-5520iV」系列的高分辨率新產(chǎn)品“FPA-5520iV HR Option”，強化FOWLP※2功能，并進一步提升生產(chǎn)效率。

FPA-5520iV HR

FOWLP功能的半導體曝光設備市場正在擴大。在FOWLP封裝技術市場中，對高密度布線的需求高，進而提高了對分辨率的要求。

新產(chǎn)品在繼承了“FPA-5520iV”（2016年7月上市）的強大FOWLP功能及高生產(chǎn)效率等基本性能的同時，進一步提高了分辨率，達0.8微米※3。

實現(xiàn)分辨率0.8微米

“FPA-5520iV”原本具有1.0微米的分辨率，而在“FPA-5520iV HR Option”中采用了全新投射光學系統(tǒng)，使針對封裝的***可以實現(xiàn)分辨率0.8微米的微細圖形加工，達到業(yè)界最高水平※4。由此，半導體芯片可更小，而且能夠增加信息處理量，提升處理速度。

繼承“FPA-5520iV”的基本性能

新產(chǎn)品同時也繼承了“FPA-5520iV”已實現(xiàn)的多個基本性能。如可以靈活應對再構成基板※5變形等FOWLP技術中的量產(chǎn)問題，以及在芯片排列偏差較大的再構成基板上檢測校準標記※6、從而提高生產(chǎn)效率等性能。

佳能未來將繼續(xù)提供針對半導體曝光設備的多種解決方案和升級選項等，來滿足市場需求。

※1使用水銀燈波長為365納米光源的半導體曝光設備。1納米是10億分之一米。

※2Fan Out Wafer Level Package的簡寫。封裝技術的一種。有可以應對無基板、封裝面積比芯片大且引腳較多的封裝等優(yōu)勢。

※31微米是100萬分之一米。（= 1000分之一毫米）

※4判斷條件為同等級的i線***，并硅片平坦度相同的情況。截止2018年12月10日。（佳能調(diào)查）

※5將從半導體***前道工序中制造的晶元中取出多個半導體芯片原件并排列，用樹脂固定成晶元形狀的基板。

※6用來校準曝光設備在基板上的位置。通過觀察和測量多個標記，精密把握曝光裝置的位置。

＜半導體曝光設備的市場動向＞

通過微型化實現(xiàn)高度集成的半導體元件制造工藝暫時處于停滯狀態(tài)。作為微型化以外的高度集成方法之一，提高封裝布線密度的方案被提出。其中，F(xiàn)OWLP作為最有力的技術受到廣泛關注，伴隨后道工序制造廠商量產(chǎn)化趨勢逐漸興起的同時，F(xiàn)OWLP的RDL※微型化也得到了發(fā)展。

※Redistribution Layer的簡寫。從芯片上的高密度的端點到封裝間布線的層。

＜主要商品規(guī)格＞