DIGITIMES Research觀察，磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM)在新興非揮發(fā)存儲(chǔ)器中發(fā)展較為成熟，2018年主要供應(yīng)商Everspin營(yíng)收可望年增36%，2019~2020年以后，隨GlobalFoundries、臺(tái)積電、三星、聯(lián)電等晶圓代工廠商逐步投入嵌入式(embedded) MRAM生產(chǎn)，有助強(qiáng)化嵌入式MRAM技術(shù)發(fā)展，有利開拓多元需求及帶動(dòng)市場(chǎng)起飛。

在商品化方面，目前MRAM已發(fā)展到第三代，具有非揮發(fā)性、讀寫速度快、能耗低、制程仍有持續(xù)微縮空間等優(yōu)點(diǎn)。就產(chǎn)品發(fā)展上，MRAM可分為獨(dú)立式(stand-alone)及嵌入式兩大類，目前獨(dú)立式占MRAM市場(chǎng)規(guī)模達(dá)95%以上。

未來幾年MRAM市場(chǎng)成長(zhǎng)速度以嵌入式應(yīng)用較為看好，主要想取代的產(chǎn)品是嵌入式Flash及SRAM，尤以替代前者較為優(yōu)先。嵌入式Flash制程微縮已遇瓶頸，各廠商產(chǎn)品組合介于40nm~35μm，相對(duì)地，MRAM目前已可達(dá)到22nm，且未來制程微縮仍有許多發(fā)展空間，時(shí)間站在對(duì)MRAM有利的一方。

隨著車用及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)芯片需求已朝40/28/22nm發(fā)展，未來邊緣運(yùn)算AI芯片也需更快速、耗電更低的嵌入式存儲(chǔ)器，預(yù)期嵌入式MRAM今后市場(chǎng)成長(zhǎng)速度將優(yōu)于獨(dú)立式MRAM，2023~2024年產(chǎn)值可望超越獨(dú)立式MRAM。