日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

采用GaN和SiC先進(jìn)開關(guān)技術(shù)的逆變器

EE techvideo ? 來源:EE techvideo ? 2019-06-21 06:16 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新一代逆變器采用GaN和SiC等先進(jìn)開關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開關(guān),具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量,通過提高開關(guān)頻率來實現(xiàn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 開關(guān)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    20

    文章

    3322

    瀏覽量

    98498
  • 逆變器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    305

    文章

    5236

    瀏覽量

    217767
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    21

    文章

    2386

    瀏覽量

    84649
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    使用PW8001高端功率分析儀對SiC逆變器實際測量結(jié)果的比較

    近年來,采用可實現(xiàn)高速開關(guān)功率半導(dǎo)體SicGaN的高效逆變器研發(fā)不斷推進(jìn)。通過采用這些功率半導(dǎo)
    的頭像 發(fā)表于 04-27 15:24 ?857次閱讀
    使用PW8001高端功率分析儀對<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>逆變器</b>實際測量結(jié)果的比較

    功率分析儀PW8001測量 SiC/GaN 逆變器效率的應(yīng)用

    在能源的有效利用愈發(fā)被重視的當(dāng)下,SicGaN在電力電子儀器中的應(yīng)用也在持續(xù)加速。在開發(fā)使用SicGaN的高效率儀器中,要求以0.1%為單位準(zhǔn)確評估功率轉(zhuǎn)換效率的性能提升。 然而,
    的頭像 發(fā)表于 04-20 16:32 ?1058次閱讀
    功率分析儀PW8001測量 <b class='flag-5'>SiC</b>/<b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>逆變器</b>效率的應(yīng)用

    SiC/GaN正在重塑新能源汽車性能,工程師如何應(yīng)對新挑戰(zhàn)?

    SU7、銀河M9全在推。 這背后離不開寬禁帶半導(dǎo)體(SiC/GaN)。但咱們做工程的都知道,從Datasheet到量產(chǎn)上車,要思考:熱管理、雜散電感、EMC、短路耐受、柵極驅(qū)動可靠性…… 我最近看了
    發(fā)表于 04-17 17:43

    SiLM27531H車規(guī)級低邊單通道門極驅(qū)動器,為高效電源管理賦能

    傳統(tǒng)的MOSFET,還是先進(jìn)SiC、GaN器件,SiLM27531H都能確保高效、穩(wěn)定的開關(guān)性能,助力打造更緊湊、更節(jié)能的電源產(chǎn)品。#SiLM27531H #低邊單通道門極驅(qū)動器 #
    發(fā)表于 02-28 08:54

    CHA6154-99F三級單片氮化鎵(GaN)中功率放大器

    功率放大器,采用先進(jìn)GaN-on-SiC 工藝制造,專為高頻應(yīng)用設(shè)計,具備高輸出功率、高功率附加效率及優(yōu)異的線性度,同時以裸片形式提供,支持高頻場景下的高效集成與可靠運(yùn)行。規(guī)格參數(shù)工作頻率:7.25
    發(fā)表于 02-04 08:56

    車規(guī)級單通道低邊驅(qū)動器SiLM27531M,助力GaN/SiC功率系統(tǒng)高效運(yùn)行

    在面向汽車電驅(qū)、車載充電及高端工業(yè)電源的應(yīng)用中,采用GaNSiC先進(jìn)器件的電源系統(tǒng)對驅(qū)動性能提出了更高要求:需要更高的驅(qū)動電壓、更快的開關(guān)
    發(fā)表于 01-07 08:07

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    環(huán)節(jié)拆解材料成本GaN器件:GaN外延片成本占比較高,目前主流仍采用硅或碳化硅(SiC)異質(zhì)襯底,其中硅基GaN成本較低(約50?100/片
    發(fā)表于 12-25 09:12

    TGS2351-SM單刀雙擲(SPDT)射頻開關(guān)芯片現(xiàn)貨庫存

    TGS2351-SM是Qorvo(原TriQuint)推出的一款采用氮化鎵(GaN技術(shù)制造的單刀雙擲(SPDT)射頻開關(guān)芯片,具備高頻、高功率處理能力及快速切換特性,廣泛應(yīng)用于雷達(dá)、
    發(fā)表于 11-28 09:59

    適用于SiC/GaN器件的雙通道隔離驅(qū)動方案SLMi8232BDCG-DG介紹

    太陽能逆變器的 DC/AC 轉(zhuǎn)換模塊 電動汽車充電系統(tǒng)及車載電源管理 適用于 MOSFET/IGBT/SiC/GaN 功率器件的隔離驅(qū)動場景 SLMi8232BDCG-DG是一款高隔離耐壓、低延遲的雙通道
    發(fā)表于 09-18 08:20

    安森美SiC MOSFET模塊在牽引逆變器的應(yīng)用

    牽引逆變器被稱為電驅(qū)系統(tǒng)的 “心臟”,為車輛行駛提供必需的扭矩與加速度。當(dāng)前,很多純電動汽車和混合動力汽車均采用IGBT技術(shù)。而碳化硅(SiC)技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 08-15 16:13 ?2759次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET模塊在牽引<b class='flag-5'>逆變器</b>的應(yīng)用

    SiLM27531HAC-7G車規(guī)級單通道 30V, 5A/5A 高欠壓保護(hù)閾值的高速低邊門極驅(qū)動解析

    在追求高效率、高功率密度的開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器及電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中(尤其汽車電子領(lǐng)域),驅(qū)動器的性能至關(guān)重要。針對GaNSiC等寬帶隙器件對高速、強(qiáng)驅(qū)動力和高驅(qū)動電壓的需求
    發(fā)表于 08-09 09:18

    Si、SiCGaN,誰更適合上場?| GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)解析

    以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-《功率GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)全維解析》三部曲系列-文字原創(chuàng),素材來源:TMC現(xiàn)場記錄、Horse、Hofer、Vitesco-本篇為節(jié)選
    的頭像 發(fā)表于 08-07 06:53 ?2273次閱讀
    Si、<b class='flag-5'>SiC</b>與<b class='flag-5'>GaN</b>,誰更適合上場?| <b class='flag-5'>GaN</b>芯片PCB嵌埋封裝<b class='flag-5'>技術(shù)</b>解析

    混合SiC/IGBT逆變器能否成為電動汽車的最優(yōu)解?

    工況下表現(xiàn)更為明顯。相比之下,基于SiC逆變器雖具有更低開關(guān)損耗和更高效率,但其制造成本較高且依賴先進(jìn)工藝?;旌?b class='flag-5'>SiC/IGBT方案旨在融
    的頭像 發(fā)表于 07-09 09:58 ?3219次閱讀
    混合<b class='flag-5'>SiC</b>/IGBT<b class='flag-5'>逆變器</b>能否成為電動汽車的最優(yōu)解?

    交流充電樁負(fù)載能效提升技術(shù)

    功率器件與拓?fù)鋬?yōu)化 寬禁帶半導(dǎo)體器件應(yīng)用 傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET因開關(guān)損耗高,限制了系統(tǒng)效率。采用碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)器件可顯著降低損耗:
    發(fā)表于 05-21 14:38

    GaNSiC功率器件深度解析

    本文針對當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaNSiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?;趯κ惺?/div>
    的頭像 發(fā)表于 05-15 15:28 ?2527次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b>與<b class='flag-5'>SiC</b>功率器件深度解析
    侯马市| 青浦区| 平顺县| 大理市| 山阳县| 宁安市| 岢岚县| 子洲县| 苍山县| 靖西县| 通道| 淮滨县| 莫力| 邵武市| 扶风县| 崇仁县| 惠安县| 阳谷县| 砚山县| 玉田县| 利辛县| 巴彦淖尔市| 祁门县| 永安市| 策勒县| 南漳县| 兴城市| 松江区| 大庆市| 土默特右旗| 福州市| 淄博市| 乐安县| 浠水县| 胶南市| 平陆县| 凯里市| 正安县| 铁岭市| 仙桃市| 柯坪县|